• Proceedings of the Korea Institutes of Information Security and Cryptology Conference
• /
• 2001.11a
• /
• pp.185-188
• /
• 2001

본 논문에서는 차세대 이동통신 환경에서 모바일 이용자가 자신의 단말기를 이용, 부가가치 서비스 제공자(VASP, Value Added Service Provider)에게 접근하여 서비스를 받을 경우에 대한 과금 문제를 다루고자 한다. 또한 이 과정에서 발생할 수 있는 모바일 이용자와 부가가치 서비스 제공자사이에 인증문제, 상호간에 분쟁이 발생했을 경우에 대한 해결, 모바일 사용자의 위치 정보에 대한 프라이버시 보호 그리고 모바일 사용자의 신분에 대한 익명성 보장문제 등을 암호학적인 프리미티브들을 이용하여 아울러 해결하고자 한다.

• Journal of Ginseng Research
• /
• v.40 no.4
• /
• pp.359-365
• /
• 2016

Background: Glycoprotein IIb/IIIa (${\alpha}aIIb/{\beta}_3$) is involved in platelet adhesion, and triggers a series of intracellular signaling cascades, leading to platelet shape change, granule secretion, and clot retraction. In this study, we evaluated the effect of ginsenoside Ro (G-Ro) on the binding of fibrinogen to ${\alpha}aIIb/{\beta}_3$. Methods: We investigated the effect of G-Ro on regulation of signaling molecules affecting the binding of fibrinogen to ${\alpha}aIIb/{\beta}_3$, and its final reaction, clot retraction. Results: We found that G-Ro dose-dependently inhibited thrombin-induced platelet aggregation and attenuated the binding of fibrinogen to ${\alpha}aIIb/{\beta}_3$ by phosphorylating cyclic adenosine monophosphate (cAMP)-dependently vasodilator-stimulated phosphoprotein (VASP; $Ser^{157}$). In addition, G-Ro strongly abrogated the clot retraction reflecting the intensification of thrombus. Conclusion: We demonstrate that G-Ro is a beneficial novel compound inhibiting ${\alpha}aIIb/{\beta}_3$-mediated fibrinogen binding, and may prevent platelet aggregation-mediated thrombotic disease.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2016.02a
• /
• pp.127.2-127.2
• /
• 2016

연구된 Si위의 흡착원자들의 확산 메커니즘들에 비해 Ge 표면에서의 확산 메커니즘은 잘 알려져 있지 않다. 최근 연구에 따르면, 수소가 덮인 Ge(110) 표면에서 그래핀 결정 핵생성은 비등방적이며, 낟알 둘레없이 웨이퍼 크기로 성장시킬 수 있음을 보였다. 본 연구에서는 VASP(Vienna Ab-initio Simulation Package)의 NEB(Nudged Elastic Band) 방법을 이용하여 수소가 덮인 Ge(110) 표면과 청결한 표면에서 탄소원자의 확산 과정과 확산에 따른 에너지 장벽을 계산 하였다. 계산 결과 수소가 덮인 표면에서의 탄소원자 확산은 체인 방향으로 각각 3.29 eV, 2.67 eV의 에너지 장벽을 가지고 청결한 표면에서는 탄소원자가 게르마늄 연결을 치환하며 확산한다. 이때 에너지 장벽은 0.82 eV이고 치환된 게르마늄이 확산할 때는 각각 0.64 eV, 0.59 eV의 에너지 장벽을 넘어야 한다. 결과적으로 수소가 덮인 표면에서보다 청결한 표면에서 탄소 확산 에너지 장벽이 낮으며, 청결한 표면에서는 탄소가 게르마늄을 치환하고 치환된 게르마늄이 확산할 확률이 높음을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2016.02a
• /
• pp.127.1-127.1
• /
• 2016

Si은 값싸고 넓은 시설기반을 갖추고 있어, 발전산업에서 태양광소자의 주원료로 널리 사용된다. 하지만 Si은 간접 띠틈을 Si의 특성을 개선하기 위해 최근 Si에 특정한 결함을 넣어 직접 띠틈으로 바꿔 광효율을 높이려는 시도가 있다. 2015년 초 Si단결정[111]으로 Seiwatz-chain 형태의 결함이 있다면 결함이 있는 Si(111)에 직접 띠틈이 생길 것 이라고 이론적으로 예상했다. 이러한 구조의 제작방법으로 Ca/Si(111)과 Si(111)을 접합 후 가열하여 Ca을 빼내는 방법을 제시했다[1]. 본 연구에서는 이 제작방법 외에 Ca/Si(111)-$2{\times}1$ 표면에서[2] 에피성장으로 결함이 유지된 Si단결정 형성가능성을 제일원리 계산을 통해 연구했다. 제일원리 계산방법으로는 VASP(Vienna Ab-initio Simulation Package)를 이용하였다. Si원자 한개, 두 개, 세 개가 흡착될 경우 원자당 흡착에너지는 각각 3.73 eV, 3.73 eV, 3.91 eV 였다. 따라서 Si원자는 무리형태로 흡착될 것으로 예상되어 결함을 유지하며 단결정으로 성장하기는 어려울 것으로 보인다.

• Journal of Magnetics
• /
• v.20 no.3
• /
• pp.201-206
• /
• 2015

Using the Vienna ab initio simulation package (VASP) incorporating both semiempirical and nonlocal van der Waals interaction, the structural, adsorption, and magnetic properties of Ni/BN/Co systems were investigated. We proposed that the relative spin direction of Ni and Co magnets can be easily tuned, because the total energy difference between ferromagnetic (FM) and antiferromagnetic (AFM) states is small. Despite this feature, very interestingly, both Ni and Co layers manifest half-metallic state, whereas the spacer BN layer becomes weak metal for one monolayer (ML) thickness and an insulating barrier for two ML thicknesses. The half-metallic behavior of the magnetic layers seems very robust, because it is independent of the magnetic coupling between Ni and Co. This finding indicates that the Ni/BN/Co system can be used as a potential candidate for tunneling magnetoresistance system.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
• /
• 2000.10a
• /
• pp.407-410
• /
• 2000

본 연구에서는 UMTS[1]에서의 보안 서비스를 실험하고 검증하기 위한 ASPeCT[2]에서 제시한 AIP[3,4] 프로토콜을 위한 개선된 키 복구 프로토콜을 제안한다. AIP 프로토콜은 사용자와 VASP 간에 이루어지는 인증과 지불 초기화를 위한 프로토콜이며 이를 기반으로 하여 이동 통신 기반의 전자상거래가 실현될 수 있다. 제안된 키 복구 프로토콜은 검증 가능한 비밀 공유 프로토콜[5,6,7]을 기반으로 하여 다수의 키 복구 기관과의 연관을 통하여 개선된 안전성을 제공하고 악의적인 사용자가 잘못된 비밀 정보를 키 복구 기관(KRA)에게 위탁하는 것을 방지한다.

• Proceeding of EDISON Challenge
• /
• 2014.03a
• /
• pp.425-429
• /
• 2014

Half-metallic nanostructure is highly applicable in the field of Spintronics and electronic device technology. We examine the electronic properties of a ferrocene-based nanowire as a possible candidate for a half-metallic nanostructure using VASP and SIESTA. Ferrocene-based nanowire shows high stability in both binding energy simulation and molecular dynamics (MD) simulation. The density of states (DOS) and the projected DOS of the ferrocene-based nanowire indicate that one-dimensional clustering of ferrocene molecules can be explained because of p-d orbital hybridization between iron and carbon. Half-metallic property and energy dispersion at the Fermi level due to one-dimensional structure is also observed from the DOS results.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
• /
• 2013.12a
• /
• pp.32-32
• /
• 2013

Using the Vienna ab initio simulation package (VASP) incorporating van der Waals interaction, we have explored structural, adsorption, and magnetic properties of Ni(111)/BN/Co(111) systems. We have found that both Ni(111) and Co(111) layers shows half metallic state, while the spacer BN layer becomes weak metal for one monolayer (ML) thickness and an insulating barrier for two ML thickness. The half metallic states in both Ni(111) and Co(111) layers are robust because it is unchanged independently on the magnetic coupling of Ni(111) and Co(111). This finding suggests that the Ni(111)/BN/Co(111) systems can be utilized for perfect tunneling magnetoresistance system. Moreover, it can be applied for potential spin injecting into semiconductor in FM/semiconductor system due to the fact that the half metallic state in FM layers at the interface will be unchanged.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
• /
• 2002.11b
• /
• pp.1027-1030
• /
• 2002

본 논문에서는 제 3세대 이동 통신 시스템에서 안전한 전자상거래의 구현을 위한 인증 및 지불 메커니즘을 제안한다. 제 3세대 이동 통신 환경에서는 GSM이나 DECT와 같은 제 2세대 이동 통신 시스템에서 사용되지 못했던 공개키 기반 구조를 도입하여 각 이동 단말기 사이에 공개키 암호 시스템을 이용한 통신이 가능하게 되었다. 이동 사용자는 TTP(Trusted Third Party)로부터 획득한 공개키 인증서를 사용하여 외부 도메인에서도 종단간의 통신을 할 수 있으며 디지털 콘텐츠를 제공하는 사이트에 접속하여 안전한 서비스를 제공받을 수 있다. 본 논문은 이동 통신 환경에 적합한 소액지불 기법을 기반으로 하여 이동 사용자와 VASP간의 상호 인증 및 지불에 관한 기법을 제안한다.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
• /
• v.7 no.3
• /
• pp.35-39
• /
• 2008

We study the interaction of acetone molecule $[(CH_3)_2CO]$ on Si(001) surface using density functional theory. An acetone molecule is adsorbed on a Si atom of the Si dimer of the Si(001) surface. The adsorption of the acetone molecule on the Si atom at lower height between the two Si atoms of the dimer is more favorable than that on the Si atoms at upper height. Then we calculate an energy variation of dissociation and four-membered ring structures of the acetone molecule adsorbed on the Si surface. Total energy difference between the two structures is about 0.05 eV, indicating that the two structures are almost equally stable. Energy barrier exists when a hydrogen atom is dissociated and adsorbed on the other Si atom of the dimer, while energy barrier does not exist when the adsorbed acetone molecule changes to four-membered ring structure, except for the rotation of the acetone molecule along z-direction. Therefore, four-membered ring structure is kinetically more favorable than the dissociation structure when the acetone molecule is adsorbed on the Si(001) surface.