• 제목/요약/키워드: various substrate

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고전압 전력반도체 소자 개발을 위한 단위공정에서 식각공정과 이온주입공정의 영향 분석 (Analysis of the Effect of the Etching Process and Ion Injection Process in the Unit Process for the Development of High Voltage Power Semiconductor Devices)

  • 최규철;김경범;김봉환;김종민;장상목
    • 청정기술
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    • 제29권4호
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    • pp.255-261
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    • 2023
  • 파워반도체는 전력의 변환, 변압, 분배 및 전력제어 등을 감당하는데 사용되는 반도체이다. 최근 세계적으로 고전압 파워반도체의 수요는 다양한 산업분야에 걸쳐 증가하고 있는 추세이며 해당 산업에서는 고전압 IGBT 부품의 최적화 연구가 절실한 상황이다. 고전압 IGBT개발을 위해서 wafer의 저항값 설정과 주요 단위공정의 최적화가 완성칩의 전기적특성에 큰 변수가 되며 높은 항복전압(breakdown voltage) 지지를 위한 공정 및 최적화 기술 확보가 중요하다. 식각공정은 포토리소그래피공정에서 마스크회로의 패턴을 wafer에 옮기고, 감광막의 하부에 있는 불필요한부분을 제거하는 공정이고, 이온주입공정은 반도체의 제조공정 중 열확산기술과 더불어 웨이퍼 기판내부로 불순물을 주입하여 일정한 전도성을 갖게 하는 과정이다. 본 연구에서는 IGBT의 3.3 kV 항복전압을 지지하는 ring 구조형성의 중요한 공정인 field ring 식각실험에서 건식식각과 습식식각을 조절해 4가지 조건으로 나누어 분석하고 항복전압확보를 위한 안정적인 바디junction 깊이형성을 최적화하기 위하여 TEG 설계를 기초로 field ring 이온주입공정을 4가지 조건으로 나누어 분석한 결과 식각공정에서 습식 식각 1스텝 방식이 공정 및 작업 효율성 측면에서 유리하며 링패턴 이온주입조건은 도핑농도 9.0E13과 에너지 120 keV로, p-이온주입 조건은 도핑농도 6.5E13과 에너지 80 keV로, p+ 이온주입 조건은 도핑농도 3.0E15와 에너지 160 keV로 최적화할 수 있었다.

오염퇴적물의 주요 영향인자에 따른 메탄발생 생성률 평가 (Assessment of Methane Production Rate Based on Factors of Contaminated Sediments)

  • 김동현;박형준;방영준;이승오
    • 한국방재안전학회논문집
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    • 제16권4호
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    • pp.45-59
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    • 2023
  • 세계적으로 온실가스 감축을 위해 주로 이산화탄소 발생에 초점을 맞춰왔지만, 최근에는 메탄 발생에 대한 관심이 커지고 있다. 습지, 저수지, 호소 등 수중 환경을 포함한 자연은 온실 가스 중요한 발원지이다. 호수와 저수지 바닥에 쌓인 퇴적된 유기 오염물질은 산소가 부족한 상태에서 미생물 분해를 통해 메탄과 같은 온실 가스를 생성할 수 있다. 메탄 배출은 비점오염원의 증가와 하천에 설치되는 횡단 구조물에 의한 흐름변화에 의해 증가하고 있는 실정이다. 또한, 기후 변화로 인한 수온의 상승 등은 메탄 배출을 가속화하는 원인이다. 메탄은 다양한 경로를 통해 대기로 배출될 수 있다. 따라서, 본 연구에서는 메탄발생의 주요인자가 미치는 영향을 정량화하기 위하여 BMP test을 수행하였다. 실험조건에 따라 메탄발생량을 직접 계측하였으며, 실험조건은 온도, 기질의 종류, 전단응력 및 퇴적물 특성으로 구분하였다. 또한, 바닥의 전단 응력은 실험적으로 측정하기가 어려워 수치모의를 수행하였다. 실험결과, 생화학적 요소는 메탄 생성에 영향을 미치지만, 전단 속도는 메탄 분리에 영향을 미치는 것으로 나타났으며, 퇴적물 특성은 메탄 생성 및 분리에 영향을 미칠 수 있다. 메탄 생성과 주요인자들 간의 관계를 경험식으로 제시하였으며, 향후 전단응력 및 유기물에 대한 실험조건을 구체화하고 실험규모를 확대한다면 메탄발생과 생지화학 및 수환경인자간의 관계를 도출할 수 있을 것으로 기대된다.

FK506과 cyclosporin A가 기관지상피세포, 단핵구, 림프구 및 폐포대식세포에서 $I{\kappa}B{\alpha}$ 분해 및 $IKK{\alpha}$ 활성에 미치는 효과 (Effect of FK506 and Cyclosporin A on $I{\kappa}B{\alpha}$ Degradation and $IKK{\alpha}$ Pathway in Bronchial Epithelial Cells, Monocytes, Lymphocytes and Alveolar Macrophages)

  • 윤호일;이창훈;이희석;이춘택;김영환;한성구;심영수;유철규
    • Tuberculosis and Respiratory Diseases
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    • 제54권4호
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    • pp.449-458
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    • 2003
  • 연구배경 : Cyclosporin A(CsA)와 tacrolimus(FK506)은 현재 임상에서 널리 쓰이는 면역억제제이다. CsA와 FK506이 $I{\kappa}B/NF-{\kappa}B$ 경로에 미치는 영향에는 세포에 따라 다양한 효과가 알려져 있다. 그러나 CsA와 FK506이 기관지 상피세포에서 $I{\kappa}B/NF-{\kappa}B$ 경로에 미치는 효과에 관해서는 알려져 있지 않고, 각종 염증 세포에서의 차이에 관해서도 보고가 미미한 실정이다. 본 연구에서는 비염증세포인 기관지상피세포와, 폐의 염증에 중요한 역할을 하는 염증 세포(폐포대식세포, 단핵구, 림프구)에서 CsA와 FK506이 $I{\kappa}B{\alpha}$의 분해에 미치는 영향과 그 기전을 평가하였다. 방 법 : 비염증세포로는 BEAS-2B와 A549 세포주를 이용하였다. FK506 또는 CsA 전처치 후 TNF-${\alpha}$로 자극하고 anti-$I{\kappa}B{\alpha}$ 항체를 이용한 Western blot으로 $I{\kappa}B{\alpha}$의 분해 여부를 관찰하였다. 염증세포로는 폐포대식세포, 말초혈액 단핵구 및 림프구를 이용하였고, 역시 FK506 또는 CsA 전처치 후 TNF-${\alpha}$, IL-$1{\beta}$, LPS로 자극하고 anti-$I{\kappa}B{\alpha}$ 항체를 이용한 Western blot으로 $I{\kappa}B{\alpha}$의 분해 여부를 관찰하였다. IKK의 활성도는 GST-$I{\kappa}B{\alpha}$를 기질로 이용한 in vitro immune complex kinase assay로 평가하였다. 결 과 : 사용된 모든 세포에서 CsA와 FK506은 $I{\kappa}B{\alpha}$의 발현에 영향을 미치지 않았다. 기관지 상피세포에서 TNF-${\alpha}$ 자극에 의한 $I{\kappa}B{\alpha}$의 분해는 CsA의 전처치로 억제되었으나, FK506의 전처치로는 억제되지 않았다. 단핵구, 림프구 및 폐포대식세포에서 외부자극에 의한 $I{\kappa}B{\alpha}$의 분해는 CsA 또는 FK506의 전처치로 억제되었으나 IKK활성은 억제되지 않았다. 결 론 : CsA와 FK506은 각각 기관지 상피세포와 단핵구, 림프구, 폐포대식세포에서 외부 자극에 의한 $I{\kappa}B{\alpha}$의 분해를 억제하는데, 이는 IKK 활성화의 억제가 아닌 다른 경로를 통하는 것으로 생각된다.