• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제43권3호
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• pp.327-333
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• 2015

진공가압 수지함침 처리에 의한 목재의 치수안정화 정도를 측정하기 위하여 침엽수 3수종에 수용성 멜라민 수지를 수지농도와 처리시간별로 처리한 후, 수지함침 열압축목재(compreg)를 제조한 다음 치수안정성 개선효과를 검토하였다. 수지농도가 높고 처리시간이 길수록 용적 수축률과 항용적 팽윤율은 증가하였으나, 용적 팽윤율, 항용적 수축률 및 흡수성은 감소하였다. 또한 중량 증가율은 수지의 농도가 높을수록 현저히 증가하였으나 처리시간과는 일정한 관계가 없었다.

• 한국추진공학회:학술대회논문집
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• 한국추진공학회 2009년도 제33회 추계학술대회논문집
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• pp.89-92
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• 2009

고농도 과산화수소를 추진제로 이용하는 연구가 활발해짐에 따라서 고농도 과산화수소의 국내 생산을 위한 과산화수소 증류에 관한 연구가 필요하게 되었다. 과산화수소의 열분해를 막기 위하여 진공 증류법을 이용하였으며, 증류 압력은 Raoult's law를 이용하여 $40^{\circ}C$ 이하에서 증류가 이루어 질 수 있도록 30 torr로 선정하였다. 실험을 위한 변수로는 증류 온도를 선정하였으며, 증류에 걸린 시간과 증류 후에 계산한 수득율을 성능 평가 대상으로 선정하였다. 실험 결과, 대체로 증류에 소요된 시간이 짧을수록 수득율이 낮으며, 리시버 내의 물의 과산화수소 농도도 더 높은 것을 확인하였다. 또한 비슷한 시간 동안 증류를 수행하였을 경우, 증류 온도가 높을수록 더 높은 농도에 도달하며, 수득율이 낮은 경향을 보였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제57권3호
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• pp.378-386
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• 2019

이 논문에서는 염수 중 이온 농축을 위해 진공 증발법과 하이드레이트 활용법 적용시 소모 에너지를 계산 결과를 보고하고자 한다. 상온 상압의 염수(NaCl 농도 0.35 wt%) 1 mol/s 를 10배 농축할 경우를 가정하여 $69^{\circ}C$, 30 kPa 조건에서 진공 증발시와 객체가스로 $CH_4$, $CO_2$, $SF_6$ 를 사용한 하이드레이트 기반 기술의 에너지 소모량을 계산하였다. 진공 증발시 소모 에너지는 약 47 kJ/mol 이었으며, $CH_4$, $CO_2$, $SF_6$ 하이드레이트 공정을 적용할 경우에는 각각 43, 32, 28 kJ/mol의 에너지가 필요하였다. 에너지 소모량 관점에서 이온 농축시 하이드레이트 활용방법은 경쟁력있는 기술이 될 수 있으나, 객체가스에 따라 수화수(hydration number), 수화에너지, 압축에너지 등이 달라지므로 적절한 객체가스의 선정이 매우 중요한 요소라고 판단된다. 하이드레이트를 이용한 용존 이온 농축 기술의 상용화를 위한 핵심 요소로는 객체가스의 선정, 하이드레이트와 농축수의 효과적 분리, 하이드레이트 형성 속도 향상을 들 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.314-314
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• 2016

In this paper, the effects of carrier concentration on dielectric constant of ITO films were investigated by spectroscopic ellipsometry. From SE results, we find the pronounced shift of the ${\varepsilon}1$ peaks toward high energy with concentration; while contrarily, the ${\varepsilon}2$ values at low energy region increases with decreasing concentration. These shifts are attributed to the Burstein-Moss and free-carrier absorption effects within ITO films. With increases carrier concentration, the values of extinction coefficients show quite different behaviors in range of wavelength from 200 to 1200 nm. The reduction in k at ${\lambda}{\leq}500nm$, while increasing at ${\lambda}{\geq}500nm$ was observed. The QE of HJ solar cells behaviors can be roughly classified into two regions: short-wavelengths (${\leq}650nm$) and long-wavelengths region (${\geq}650nm$). With increasing carrier concentration as well as energy band gap, QE shows improvement at short-wavelength, while at long-wavelength QE shows opposite trend. Widening band gap energy due to Burstein-Moss shift is the key to improve QE in short-wavelength; simultaneously FCA effect due to optical scattering is attributed to the reduction in QE at long-wavelength. In spite of band gap extension, Jsc calculated from QE decreases from 34.7 mA/cm2 to 33.2 mA/cm2 with increasing carrier concentration. It demonstrated that FCA effect may more govern Jsc in the HJ solar cells.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제4권1호
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• pp.27-32
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• 2000

We have studied the carrier relaxation of InAs/GaAs modulation-doped quantum dots depending on the excitation wavelength and modulation-doping concentration by using the time-ressolved spectroscopy. At the excitation below GaAs barrier band gap, the relaxation processes become very slow, implying to observe the phonon bottleneck effects. On the other hand, at the excitation far above GaAs band gap, phonon bottleneck effects are broken down due to Auger processes. Increasing modulation-doping concentration, the relaxation times, by virtue of Coulomb scattering between electrons in GaAs doped layer and carriers in InAs quantum dots, are observed to become fast.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.628-628
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• 2013

Graphene, a single layer of graphite, has raised extensive interest in a wide scientific community for its extraordinary thermal, mechanical, electrical and other properties [1,2]. However, because of zero-band gap of graphene, it is difficult to apply for electronic applications. To overcome this problem, chemical doping is one of way to opening grahene bandgap. According to experimental results, by changing doping concentration and doping time, it is possible to control work function of graphene. We can obtain results through raman spectroscopy, UPS, Sheet resistance. Moreover, electronic properties of doped graphene were studied by making field effect transistors. We were able to control the doping concentration, dirac point of graphene and work function of graphene by formng n-type, p-type doping materials. In this research, the chemicals of diazonium salts, viologen, etc. were used for extrinsic doping.

• 한국진공학회지
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• 제8권4A호
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• pp.417-424
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• 1999

In order to investigate field emission mechanism of undoped polycrystalline diamond films, diamond films with different structural properties were deposited by varying positive substrate bias and/or $CH_4$ concentration. When increasing $CH_4$ concentration and positive substrate bias voltage, nondiamond carbon content in diamond films increased. Increase of nondiamond carbon content with increasing substrate voltage is ascribed to increase of substrate and excess generation of $CH_n$ radicals. Field emission properties of undoped polycrystalline diamond films ere significantly enhanced with increasing nondiamond carbon content. For diamond films with a small amount of nondiamond carbon, electrons are emitted through diamond surface while for the films with a large amount of nondiamond carbon, electron emission occurs through diamond bulk as well as surface. From this study, depending on nondiamond carbon content two field emission mechanisms were suggested.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.603-603
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• 2012

최근에 전면 emitter의 doping profile이 다른 selective emitter solar cell은 실제 제작시단파장 영역에서 많은 gain을 얻을 수 없어 LBC 구조의 태양전지에 관한 연구가 많이 진행되고 있다. 본 연구는 TCAD simulation을 이용하여 후면에 형성되는 locally doped BSF(p++) region의 doping profile의 변화에 따른 태양전지 특성에 관한 연구이다. Al으로 형성되는 local back contact의 doping depth 및 surface concentration에 따른 전기적, 광학적 분석을 통해 주도적인 인자를 분석하고 최적화하였다. 특히 doping depth에 따른 변화보다는 surface concentration의 변화에 따른 특성변화가 주도적으로 나타났다.

• 한국진공학회지
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• 제7권s1호
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• pp.118-122
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• 1998

$Al_2O_x$(0$Al_2O_3$ gradient coatings were formed by evaporating pure aluminium(99.9%) in $O_2$ environment with an IBAD facility, 12keV $Ar^+$ was used to irradiate the coatings simultaneously during the deposition. Sample's composition and depth profile were analysed by RBS and AES measurement, and their microhardness and porosity property were also measured in the experiment. Results show that, the oxygen concentration in the deposited coatings has a nearly linear relationship with the inputting gas flow before $O_2$ partial pressure in the target chamber reaches $1.2\times10^{-3}$ mbar under which stoichiometric $Al_2O_3$ could be formed; and sample's microhardness and porosity property is affected significantly by the oxygen concentration in the coatings.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.385-385
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• 2010

Copper oxide thin films were deposited on the p-type Si(100) by r.f. magnetron sputtering as a function of different oxygen concentration. The deposited copper oxide thin films were investigated by atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), spectroscopic ellipsometry (SE), X-ray diffraction (XRD), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The SEM and SE data show that the thickness of the copper oxide films was in the range of 100-400 nm. AFM images show that the surface morphology was depended on the oxygen ratio. The crystal structure of copper oxide films was changed from metallic copper to copper oxide with increasing oxygen concentration. The oxidation states of Cu 2p and O 1s resulted from XPS were consistent with XRD results.