• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.324-325
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• 2008

In this Study, We fabricated a plasma discharge cluster with external electrodes which can be applied to flexible backlight in a polymer substrate and investigated the discharge characteristics. The Sealing process was progressed in vacuum chamber, which enable to fabricate plasma discharge cluster. The results of discharge characteristics show that the static memory margin of plasma discharge cluster was increased, as Ne/Xe(5%) gas pressure was increased. also, When gas pressure was 100torr at 600um of electrode gap, we have obtained high luminance of a plasma discharge cluster.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.152-152
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• 2014

최근 반도체의 고집적화로 high dose implant 도입과 소자의 동작 특성 향상을 위한 low-k 물질 도입에 따라 다양한 주변 공정의 변화를 이끌고 있다. 이에 따라 반도체 제조의 핵심 공정 단계 중 하나인 ashing 단계에서 기존 성능 이상의 장비를 기대하고 있으며, 그것을 평가하기 위한 중요 요소로 uniformity와 fast stripping이 있다. 본 연구에서는 유체해석 시뮬레이션을 통해 450 mm ashing 챔버에서의 gas inlet baffle과 wafer stage 사이의 최적 거리를 예측했다. 우선적으로 시뮬레이션의 신뢰도를 높이기 위해 실험으로 측정한 300 mm ashing 결과와 유체해석 결과 molecular flux의 상관관계를 파악하여, 450 mm ashing 챔버의 최적 구조를 예측하였다. 선행 연구한 300 mm 시뮬레이션 결과를 바탕으로 이상적인 450 mm ashing 챔버를 설계하였다. 유체해석 결과는 동일한 형태의 수직형 구조 장비에서 baffle과 wafer stage 사이의 거리가 35 mm에서 60 mm일 때, 450 mm wafer surface 위에서 더욱 균일한 density 분포를 나타내었다. Reactant flux 분포는 거리가 60 mm에서 80 mm 사이일 경우 더 균일하게 나타났다. 그러므로, 450 mm 챔버에서 gas inlet baffle과 wafer stage 간격이 60 mm일 때 최적의 구조로 판단된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.154.1-154.1
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• 2014

Indium gallium zinc oxide (IGZO)는 차세대 디스플레이 평판 패널에 사용되는 반도체 화합물의 일종으로 최근 주목받고 있는 물질의 하나이다. 기존의 IGZO를 사용하여 박막을 증착한 뒤 표면 처리를 통해 박막의 특성 변화에 대한 연구들이 진행되어 왔으며, 기존의 연구들은 plasma 환경에 노출을 시켜 간접적인 plasma treatment를 통해 박막의 특성을 향상시켜 왔다. 본 연구에서는 기존의 plasma treatment에서 발견된 방식인 ion beam treatment를 통해 플라즈마를 직접적으로 표면에 조사하여 박막의 특성 변화를 알아보았다. 한국표준과학연구원에서 자체 제작한 chamber를 이용하여 RF sputter로 Si wafer 위에 IGZO 박막을 증착하고 수소 ion beam treatment를 한 뒤, SEM과 XPS를 사용하여 박막 표면의 물성 변화를 분석하였다. 실험에 사용된 chamber에는 sputter gun과 ion beam이 함께 장착되어 있으며, scroll pump와 TMP를 사용하여 pressure를 유지하였다. 실험 시 base pressure는 $1.4{\times}10^{-6}Torr$였다. RF power 150 W. ion beam power 2,000 V에서 실험을 진행하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.406-406
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• 2012

반도체 공정의 대부분은 plasma를 사용한 공정이 주를 이루고 있다. 이러한 공정에서 최근 선폭의 초 미세화가 진행되면서 pulse modulation plasma에 대한 관심을 가지게 되고 있다. Pulse modulation plasma는 RF 인가 시 일정 간격으로 on, off 시켜주게 된다. 이 때, chamber 내부에서 발생하는 plasma역시 on, off 되게 되는데 이러한 현상을 이용하면 plasma 내의 전자온도가 떨어져서 식각 공정 시 선택비의 개선을 기대할 수 있다. 실제 장비회사에서는 pulse를 이용하기 위한 장비개선 연구가 한창이다. 본 연구에서는 유도결합플라즈마 chamber에서 source와 bias에 RF pulse modulation plasma를 발생시켜 기존 CW (Continuous wave) 방전시킨 plasma의 밀도와 전자온도를 측정하여 차이를 비교, 분석 해보았다.

• Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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• 2007.04a
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• pp.303-306
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• 2007

A engineering analysis has been conducted to study operating characteristics of a supersonic exhaust diffuser simulating high altitude atmosphere from a flow-developing point of view. Emphasis is placed in the detail flow structure resulting from several design- and operating- parameters of the diffuser such as the area ratios of a exhaust nozzle to the diffuser, the vacuum chamber size, and jet pressure.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.8 no.2
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• pp.172-179
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• 1999

The axial distributions of plasma density in a helical resonator plasma with the external magnetic field have been measured using Langmuir probes. Net RF power is set to 200W and chamber pressure is varied from 0.4 mTorr to 100mTorr there are three kinds of eternal magnetic field structure applied on the helical resonator plasma. One is a uniform magnetic field, the second is a positive gradient magnetic field and the third is a negative gradient magnetic field. In the three magnetic field structures, the negative gradient magnetic field is found to show the highest increase in plasma density on the substrate compared with other magnetic structures. Plasma density profile in helical resonator is well consistent with electromagnetic field pattern obtained by computer simulation. It is also found that axial magnetic fields do not affect plasma density distribution in the plasma reactor region, but induce the increase of plasma density in the process chamber region. In order to avoid the nonuniformity of radial density profile, weak magnetic fields under 100G are applied.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.461-461
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• 2010

For a low dielectric constant inter-metal dielectric application, the low-k SiCOH film with a dielectric constant of 2.8-3.2 has been deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition with decamethylcyclopentasiloxane, cyclohexane, and helium which is carrier gas. In this work, we investigated chemical deposition rate, dielectric constant, characterization of plasma polymer films according to temperature(25C-200C) of substrate and change of component concentration. We measured impedance by using V-I prove during process. From experimental result, deposition rate decrease with increasing temperature. Through real time impedance analysis of chamber, we find corelation between film thickness and impedance by assuming equivalent circuit.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.146.1-146.1
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• 2013

반도체 디바이스의 집적화로 인하여 약간의 상태변화에 의하여 Chip의 불량이 발생하고 있다. 이로 인하여 일정한 플라즈마 상태를 유지 하는 것이 중요 한데 일정한 플라즈마 상태를 유지하기 위한 조건 중에 중요한 것이 채임버 Wall의 상태에 따른 변화 이다. 반도체 양산 장비에서 채임버 wall 상태를 직접 관찰하기는 어렵기 때문에 OES를 통한 많은 간접 분석방법의 개발이 이루어지고 있다. 본 연구에서는 간접 분석 방법 중 Actinometry 기법을 통하여 wall 상태를 분석하는 내용을 소개 하고 있으며 Argon gas를 통하여 전자온도, EEDF를 그려줄 수 있다는 내용을 담고 있다.

• The Magazine of the Society of Air-Conditioning and Refrigerating Engineers of Korea
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• v.7 no.2
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• pp.73-79
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• 1978

This paper presents the experimental study on the design conditions of pressure between booster ejector and air ejector in the steam-jet water-vapour refrigeration system. In this experiment, the motive steam of booster ejector and ai. ejector was dry saturated from 6 ata to 8 ata and flash chamber pressure were about $10\∼540mmHg$ higher than mixing section in booster ejector. The investigation of air on the pressure of booster ejector was performed by changing the condenser pressure. The experimental results show that flash chamber vacuum and condenser pressure of steam-jet refrigeration cycle increased in accordance with the increase of motive steam Pressure. Among the several nozzle sires tested, No.4 nozzle were best in term of evaporator vacuum under the constant operating conditions of air ejector in condenser.

• International Journal of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.7 no.2
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• pp.28-35
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• 2015

Thin film electronic devices which brought the current mobile environment could be fabricated only under the high quality vacuum conditions provided by high vacuum systems. Especially for the development of advanced thin film devices, constant high quality vacuum as the deposition pressure is definitely needed. For this purpose, the variable conductance throttle valves were employed to the high vacuum system. In this study, the effects of throttle valve applications on vacuum characteristics were simulated to obtain the optimum design modelling of variable conductance of high vacuum system. Commercial simulator of vacuum system, $VacSim^{(multi)}$, was used on this investigation. Reliability of employed simulator was verified by the simulation of the commercially available models of high vacuum system. Simulated vacuum characteristics of the proposed modelling were agreed with the observed experimental behaviour of real systems. Pressure limit valve and normally on-off control valve were schematized as the modelling of throttle valve for the constant process-pressure of below $10^{-3}torr$. Simulation results were plotted as pump down curve of chamber, variable valve conductance and conductance logic of throttle valve. Simulated behaviors showed the applications of throttle valve sustained the process-pressure constantly, stably, and reliably.