본 논문에서는 시간영역 유한차분법(FDTD)을 이용하여 전자기 결합 광대역 마이크로스트립 안테나의 특성 을 해석하고 파라메타를 최적화 하였다. 전자기 결합 마이크로스트립 안테나는 급전 선로에 짧은 동조 스터브 틀 연결하면 13%정도의 넓은 대역 특성을 가지며, 동조 스터브의 폭, 길이, 위치 둥의 변화에 따라 안테나의 특 성이 변한다. 시간영역에서의 유한차분볍에 의한 수치해석 결과들 푸리어 변환하여, 주파수 영역에서 공진 주 파수, 반사 손실, 전압정재파비 및 입력 임피이던스 동을 계산하였다. 설계 제작한 안테나의 측정 결과와 비교 하여 시간영역 유한차분법의 계산 결과가 잘 일치함을 보였다. 최적화 후 약 15% 정도의 최대 대역폭을 얻었다
본 논문에서는 방향성 결합기를 이용한 새로운 형태의 임피던스 튜너를 제안하였다. 이 튜너를 signal flow graph를 이용하여 해석하였고, 이 방식은 직렬 라인의 길이 변화가 어려운 single stub 방식에 비해 구현이 용이하고 double stub 방식에 비해 넓은 튜닝 범위를 가진다. 10개의 핀 다이오드를 이용하여 제작된 튜너는 10개의 스위치가 비트 형태로 동작하면서 Smith 차트 전 영역에서 $2^{10}$개의 균일한 임피던스 분포를 가지도록 설계되었다. 제작된 튜너는 $1.8{\sim}2.2GHz$의 대역폭에서 넓은 튜닝 영역을 가지며, 반사 계수 크기는 최대 0.9까지 측정되었다. 측정된 임피던스 값을 바탕으로 load-pull 시스템을 구성하였고, 전력 소자용 트랜지스터의 최적 출력단 임피던스를 찾아내었다.
본 논문에서는 코프래너 도파관(CPW)으로 급전된 소형 슬롯 안테나 설계방법에 대하여 연구하였다. 폭이 좁은 직사각형 슬롯에 삽입된 T형 튜닝 스트립의 위치, 폭, 길이를 조절하여 슬롯 안테나와 CPW 급전선이 임피던스 정합되도록 하였다. 슬롯의 길이 변화로 공진 주파수를 조절할 수 있고, 슬롯을 구부려서 소형화할 수 있다. 소형 슬롯 안테나의 공진 주파수와 임피던스 특성이 반 파장 슬롯 안테나와 비교하여 큰 변화가 없으므로 소형화 설계가 용이하다. 2.45 GHz ISM 대역용으로 소형 슬롯 안테나를 설계하고, FR4 기판(비유전율=4.4, 두께 0.8 mm) 상에 제작한 후 특성을 실험하였다. 측정된 결과들은 시뮬레이션과 잘 일치하여 본 연구의 타당성을 검증하였다. 제작된 소형 슬롯 안테나의 정재파비(SWR)가 2이하인 대역폭은 200 MHz(=2.32-2.52 GHz)로서 ISM 대역(2.4-2.48 GHz)용으로 적합하다. 측정된 복사패턴은 모노폴과 유사하게 E-면에서 8자형 지향성 패턴을 보이고, H-면내에서는 거의 무지향성 패턴을 보이며, 이득은 2.0 dBi 이므로 무선 랜, RFID, 휴대단말기용 안테나 등으로 응용이 적합할 것으로 기대된다.
본 논문에서는 구형공진기와 SIOS를 사용하여 삽입손실이 작고, 차단특성이 아주 좁고, 광대역 특성을 갖는 마이크로스트립 대역통과필터를 연구하였다. 계단 입피던스 스터브는 일반$0.25{\lambda}$ 스터브 보다 약 30%의 길이를 줄일 수 있고, 또한 스터브의 임피던스의 크기를 변경할 수 있는 장점이 있음으로 필터의 특성 개선에 적용할 수 있다. 본 논문의 객관성을 입증하기 위해서 이중모드 구형공진기를 사용한 최적화된 광대역 대역통과 필터를 구현하였다. 전송선로 모델을 사용하여 계산한 주파수 특성 결과는 실험 값과 아주 잘 일치하였다. 구현된 필터의 주파수 특성은 $L_4$ = 1.94mm인 경우에 필터의 3dB 대역폭은 52.5%(3.267GHz)이고, 삽입 손실은 0.33dB, 30dB 차단특성은 저주파수 대역에서 221MHz, 고주파수대역에서 0.181MHz이다. 최대 차단특성은 저주파 대역에서 -54dB, 고주파 대역에서 -60dB이다.
본 논문에서는 이중 대역 대역 통과 여파기 설계에 이용 가능한 가변 특성 임피던스 전송 선로의 응용을 제시하였다. 제안된 여파기는 고정된 첫 번째 통과 대역과 가변 가능한 두 번째 통과 대역을 갖는다. 스터브 부하공진기(Stub Loaded Resonator: SLR)는 직렬 공진기와 개방 단락 스터브로 구성되는데, 개방 단락 스터브를 결함 접지 구조(Defected Ground Structure: DGS) 전송 선로와 바랙터 다이오드로 구현함으로써 두 번째 통과 대역의 조정이 가능하다. 제안된 구조의 타당성을 보이기 위해 3개의 전송 영점을 갖는 2단 이중 대역 대역 통과 여파기를 설계하였고, 이론적인 예측값과 시뮬레이션 결과를 실험적으로 증명하였다.
본 논문에서는 마이크로파를 이용한 무선전력전송시스템을 구현하기 위해 2.45[GHz] 마이크로파를 수신하여 직류전력으로 변환하는 렉테나를 설계, 구현하고, RF-DC변환효율을 높이기 위한 임피던스 매칭 및 튜닝 방법을 제시하였다. 구현된 렉테나는 넓은 Open Stub를 사용하여, 쉽게 튜닝이 가능하며, 정류회로의 RF-DC변환효율은 5[dBm]입사전력에 대하여, 최대 59[%]를 얻을 수 있었다. 제작된 패치안테나와 정류회로를 이용하여 소전력무선전송시스템을 구현한 결과, 송수신거리가 1[m]떨어진 거리에서 2.2[V], 1.5[mW]의 직류전력송신이 이루어졌으므로, 소전력 디지털시스템의 운용에 적용가능한 값을 얻을 수 있었다.
본 논문에서는 구형 공진기와 SIOS(Step-Impedance-Open-Stub)를 사용하여 삽입 손실이 적고, 차단 특성이 아주 좁고, 광대역 특성을 갖는 대역 통과 필터를 연구하였다. SIOS는 일반 $0.25\;{\lambda}$ 개방 스터브보다 약 30 %의 길이를 줄일 수 있고, 또한, SIOS의 길이에 따라 임피던스 값을 조정함으로써 필터의 특성 개선에 적용할 수 있다. 본 논문의 객관성을 입증하기 위해서 이중 모드 구형 공진기를 사용한 최적화된 광대역 대역 통과 필터를 구현하였다. 전송 선로 모델을 사용하여 계산한 주파수 특성 결과는 실험값과 아주 잘 일치하였다. 본 논문에서 구현된 필터의 주파수 특성은 필터의 3 dB 대역폭은 51.75 %(3.206 GHz)이고, 삽입 손실은 0.44 dB, 30 dB 차단 특성은 저 주파수 대역에서 221 MHz($4.326{\sim}4.587\;GHz$), 고주파수 대역에서 181 MHz($7.739{\sim}7.954\;GHz$)이다. 최대 차단 특성은 저주파 대역에서 -61.8 dB, 고주파 대역에서 -76.3 dB이다.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제16권3호
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pp.159-163
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2016
In this paper, a frequency tunable double band-stop resonator (BSR) with voltage control by varactor diodes is suggested. It makes use of a half-wavelength shunt stub as its conventional basic structure, which is replaced by the distributed LC block. Taking advantage of the nonlinear relationship between the frequency and electrical length of the distributed LC block, a dual-band device can be designed easily. With two varactor diodes, the stop-band of the resonator can be easily tuned by controlling the electrical length of the resonator structure. The measurement results show the tuning ranges of the two operating frequencies to be 1.82 GHz to 2.03 GHz and 2.81 GHz to 3.03 GHz, respectively. The entire size of the resonator is $10mm{\times}11mm$, which is very compact.
초고주파/밀리미터파 대역에서 전력증폭기의 효율을 향상시키기 위해 MEMS 튜닝회로를 설계하였다. MEMS 튜닝회로의 효과를 확인하기 위해 2차 및 3차 고조파를 억제할 수 있도록 3-stub Class-E 증폭기를 설계하였으며 또한 설계된 증폭기에 대해 시뮬레이션을 실시하였다. 시뮬레이션의 결과로서 8GHz에서 14dBm입력에 대해 MEMS가 적용된 증폭기의 성능은 PAE=66 9%, drain efficiency=75.89%, 그리고 출력 P=23.37 dBm을 얻었다. 또한 FET의 기생리액턴스의 변화에 대해서 MEMS 튜닝회로의 효율증대효과를 확인하였다. 결론적으로 이 연구에서 제안된 새로운 방법을 통해 증폭기의 효율향상을 위한 효과적인 방법이 될 수 있음 보여 주었다.
본 논문에서는 원형 패치 내부에 비 동심으로 원형 슬롯을 내고, 동조 스터브를 두어 원형 패치 안테나의 크기와 협대역 특성이 개선되는 비 동심 링 안테나를 제안하였다. 비 동심 링 구조 마이크로스트립 안테나는 FDTD 방법을 이용하여 해석하였고, 해석치는 측정치와 잘 일치함을 알 수 있었다. 측정 결과 원형 패치 안테나와 비교하여 안테나의 크기는 12.2%, 대역폭은 4.8% 향상되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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