Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)(P(VDF-TrFE)) 고체 전해질 층의 어닐링 온도가 고분자 멤리스터의 전기적 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 형태적 분석에서 100℃ 어닐링 온도를 갖는 P(VDF-TrFE) (100P(VDF-TrFE)) 박막 대비 200℃ 어닐링 온도를 갖는 P(VDF-TrFE) (200P(VDF-TrFE)) 박막의 표면 거칠기가 약 5배 크고 두께는 약 20% 작은 것으로 나타났다. 100P(VDF-TrFE)를 갖는 멤리스터 (M100) 대비 200P(VDF-TrFE) 멤리스터 (M200)의 set voltage는 약 50% 감소하였고, reset voltage의 크기는 약 30% 증가하였다. 또한, M200이 M100보다 더 나은 메모리 유지 특성을 갖는 것으로 나타났다. 이러한 차이는 M100 대비 M200 내부의 강한 국소 전기장 때문인 것으로 판단된다. 본 연구는 고분자 멤리스터의 어닐링 온도의 중요성을 제시함에 의의가 있다.
Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene; P(VDF-TrFE))는 여러 분야에서 다양한 형태로 활용되고 있는 유망한 전기활성고분자이다. 이 재료는 전기-기계적 특성을 가지고 있기 때문에 다양한 형태의 센서와 구동기로 활용되고 있으며, 복합재료 구조의 거동을 관찰하는 센서로도 활용이 가능하다. 본 논문에서는 세 가지 방법; (1) 전기적 폴링, (2) 어닐링-냉각, (3) 압축을 사용하여 P(VDF-TrFE) 공중합체 필름의 ${\beta}$ 상 결정구조 향상시켜 센서로서의 특성을 강화하기 위한 연구를 수행하였다. P(VDF-TrFE) 필름에 대한 각 방법의 효과를 조사하기 위해 X-선 회절을 통한 미세구조분석을 수행하였다. 실험 결과, 전기적 폴링, 어닐링-냉각, 그리고 압축 방법 모두 P(VDF-TrFE) 필름의 ${\beta}$ 상 결정구조 향상에 효과적이었으며 대조군 (45.29%)대비 최대 62.80%까지 ${\beta}$ 상 결정도가 향상됐다.
The ferroelectric vinylidene fluoride-trifluoroethylene ($VF_2$-TrFE) and $Al_2O_3$ passivation layer for the Metal/Insulator/Ferroelectric/Semiconductor (MIFS) structure were deposited using spin coating and remote plasma atomic layer deposition (RPALD), respectively. A 2.5 ~ 3 wt % diluted solution of purified vinylidene fluoride-trifluoroethylene ($VF_2$: TrFE=70:30) in a DMF solution were prepared and deposited on silicon wafer at a optimized spin speed. After annealing in a vacuum ambient at 150 ~ $200^{\circ}C$ for 60 min, upper insulator layer were deposited at temperature ranging from 100 ~ $150^{\circ}C$ by RPALD. We described electrical and structural properties of MIFS fabricated by spin coating and RPALD methods.
이 논문에서는 vinylidene fluoride(VDF), trifluoroethylene(TrFE), chlorotrifluoroethylene(CTFE)을 사용하여 3성분계 고분자를 합성하였으며, 저온 개시제 di-tertiary-butylperoxide(DTBP)를 사용하여 현탁중합하였다. NMR, FT-IR을 통해 3성분계 고분자 사슬의 미세구조, 사슬형태의 변화에 대해 알 수 있었다. CTFE mol%가 증가할수록 $\beta$ 상태는 점차적으로 감소하고 $\gamma$ 상태는 증가하는 것을 알 수 있었다. DSC 분석결과, CTFE mol%가 증가할수록 상전이 온도($T_c$)는 상온으로 낮아지며 그 곡선은 점차 작아지고 넓게 퍼지는 현상을 확인하였다. 활성화 에너지는 Freeman-Carroll법에 의해 계산되었다.
본 연구에서는 열처리 후 Island 표면 구조를 가지는 고분자 Poly(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene) [P(VDF-TrFE)]를 사용하여 유기 발광 다이오드의 광추출 효율을 향상시키기 위한 방법을 제시하였다. Island 구조의 P(VDF-TrFE) 표면 위에 임프린트한 polydimethylsiloxane (PDMS)는 Spike 구조를 띄고 이를 통해 전류 및 외부양자 효율을 약 20%을 향상시켰다. 제작된 필름은 8.2의 낮은 Haze특성을 보이며, 93.4% 우수한 투과도 특성으로 인해 Pixel blur 없이 광효율을 향상시킬 수 있음을 확인하였다.
vinylidene fluoride(VDF)와 trifluoroethylene(TrFE)의 공중합체 인 P(VDF/TrFE)는 전기활성을 갖는 강유전성 결정이므로 압전성 및 초전성 재료로 PVDF와 더불어 널리 사용되고 있다. 그러나 P(VDF/TrFE)는 어떤 온도 이상에서는 all-trans conformation을 하는 강유전 결정상이 전기적으로 불활성으로 되면서 PVDP의 $\alpha$-결정의 사슬배좌(trans-gauche)와 유사한 상유전 결정상으로 전이하는 상승 Curie 전이 온도 (T$^{\uparrow}$$_{c}$ )가 존재하기 때문에 P(VDF/TrFF)의 압전재료로서의 적용온도 범위가 넓지 못하다는 단점이 있다. (중략)
복잡한 형상의 구조 건전성 모니터링을 위해서는 높은 취성 등 기존 센서의 단점을 보완 할 수 있는 매우 유연하고 내구성이 확보된 센서가 필요하다. 본 연구에서는 전기활성고분자의 한 종류인 Polyvinylidene fluoride trifluoroethylene (PVDF-TrFE)를 사용하여 직물센서를 제작하였다. 또한 제작된 직물센서를 복잡한 형상을 가지는 탄소섬유/에폭시 복합재료 구조물에 적용하여 구조 건전성 모니터링을 위한 도구로써 활용 가능성을 평가하였다. 복합재료 구조물의 손상 반응과 파손 메커니즘을 분석하기 위해 다중간헐적 압축시험을 수행하였다. 시험 과정에서 복합재료 구조물에 삽입된 직물센서는 전기적 신호를 발생 (0.05 V-0.25 V)하며 실시간으로 균열발생과 균열위치를 감지해냈다.
In this study, Ferroelectric vinylidene fluoride-trifluoroethylene (VF2-TrFE) copolymer films were directly deposited on degenerated Si (n+, $0.002\;{\Omega}{\cdot}cm$) using by spin coating method. A 1~5 wt% diluted solution of purified vinylidene fluoride-trifluoroethylene (VF2:TrFE = 70:30) in a dimethylformamide (DMF) solvent were prepared and deposited on silicon wafers at a spin rate of 2000 ~ 4000 rpm for 2 ~ 30 seconds. After annealing in a vacuum ambient at 100 ~ $200^{\circ}C$ for 60 min, upper aluminum electrodes were deposited by vacuum evaporation for electrical measurement. X-ray diffraction results showed that the VF2-TrFE films on Si substrates had $\beta$-phase of copolymer structures. The capacitance on highly doped Si wafer showed hysteresis behavior like a butterfly shape and this result indicates clearly that the copolymer films have ferroelectric properties. The typical measured remnant polarization ($P_r$) and coercive filed ($E_c$) values were about $5.7\;{\mu}C/cm^2$ and 710 kV/em, respectively, in an applied electric field of ${\pm}$ 1.5 MV/em. The gate leakage current densities measured at room temperature was less than $7{\times}10^{-7}\; A/cm^2$ under a field of 1 MV/cm.
We report the studies on the structrural properties of Langmuir Blodgett (LB) films fabricated from the copolymer of vinylidenefluoride (VDF) with trifluoroethylene(TrFE). The formation of nanomesas induced by thermal annealing at $135\;^{\circ}C$ for 1 hour was investigated with the atomic force microscope (AFM) and the X-ray diffractometer (XRD). From the result of surface morphology change in 30 monolayer LB film, we find that the annealing treatment on the P(VDF-TrFE) LB film result in the plastic deformation of crystalline polymer. The ${\beta}$ phase crytalline structure in annealed LB film was clearly confirmed from the XRD peak at $19.7^{\circ}$.
2차 비선형광학 물질이 높은 응용성을 갖기 위해서는 큰 2차 비선형광학 계수뿐만 아니라 넓은 파장 영역에 걸친 투명성을 가지고 있어야 한다. vinylidene fluoride(VDF)와 trifluoroethylene(TrFE)가 공중합된 f(VDf-TrFE) 공중합체는 이러한 조건을 갖추고 있는 강유전성 물질이다. 우리는 몰비율이 72:28인 P(VDF-TrFE)을 ITO기판위에 casting하고 corona 극화한 뒤, 두 개의 입력 파장(1064nm, 532nm)에 대한 2차 조화파 발생 실험을 실시하고 Herman과 Hayden의 마커무의 식을 이용하여 2차 비선형 광학 계수를 측정하였다. (중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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