• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.522-523
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• 2005

Top emission OLED 소자에 사용되는 ITO(Indium-Tin-Oxide)의 저항을 개선하여 보다 낮은 저항을 가지는 전극을 제작하기 위해 AZO(ZnO-Ag-ZnO)를 제작하였다. AZO박막은 기존의 ITO박막이 수십 $\Omega$을 나타내던 것과 비교하여 $8\Omega$으로 매우 낮은 저항을 나타내었다. 투과율은 84%로 기존의 ITO박막과 유사한 성능을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.485-486
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• 2006

Top emission OLED 소자에 사용되는 ITO(Indium-Tin-Oxide)의 저항을 개선하여 보다 낮은 저항을 가지는 전극을 제작하기 위해 AZO(ZnO-Ag-ZnO)를 제작하였다. AZO박막은 기존의 ITO박막이 수십 $\Omega$을 나타내던 것과 비교하여 $8{\Omega}$으로 매우 낮은 저항을 나타내었다 투과율은 84%로 기존의 ITO박막과 유사한 성능을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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• pp.160-163
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• 2005

Top emission OLED 소자의 안정성 위하여 Parylene을 보호층으로 적용하였다. 고분자화 방법을 이용하여 증착된 Parylene은 진공공정상온에서 증착가능하기 때문에 열에 의한 OLED 소자의 열화를 방지하며 높은 광투과율과 우수한 투습습성에 의하여 고효율 장수명을 OLED 소자에 적합하다. Parylene 5 ${\mu}m$ 의 광투과율은 90 %이상 측정 되었으며 투습율은 0.4849 $g/m^2day$로 측정되었다. Parylene의 보호층로서의 영향을 살펴보기 위하여, 보호층이 형성된 소자와 보호층이 형성되지 않은 소자를 제작하여 대기중에서 그 특성을 측정 비교하였다. 두 제작된 top emission OLED 소자는 최대 휘도가 1000 $cd/m^2$ 이상 측정되었으며, parylene 보호층 공정에 의한 소자의 구동 특성 변화는 나타나지 않았다. 대기중에서 초기휘도 200 $cd/m^2$로 측정된 parylene 보호층이 형성된 소자는 수명이 5 이었고, 보호층이 형성되지 않는 소자의 수명에 비하여 2배 이상 증가하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.269-270
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• 2005

A hybrid passivation method using parylene and silicon dioxide combination layer for a flexible organic light emitting diode (FOLED) was applied on a polycarbonate substrate. A parylene coating by vapor polymerization method is a highly effective passivation process for the FOLED, and it applies all top surface and the edges of the FOLED device. In order to minimize the permeation of moisture and oxygen from the top surface of the device, an additional layer of silicon dioxide was deposited over the parylene coated layer. It was found that the water vapor transmittance rate (WVTR) of parylene (15 m-in-thickness) / SiO2 (0.3$\mu$m-in-thickness) combination layers deposited on polycarbonate film was decreased under the value of 10-3 g/m2day. The FOLED with the hybrid passivation showed remarkably longer lifetime characteristics in the ambient conditions than the non-passivated FOLED. The lifetime of the passivated FOLED was 400 hours and it was more than ten times over the lifetime of the convectional non-passivated FOLED.

• 산업과 과학
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• 1권1호
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• pp.16-22
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• 2022

디스플레이는 브라운관을 시작으로 PDP(Plasma Display Panel), LCD(Liquid Crystal Display) 이후 AMOLED(Active Marix Organic Light Emitting Diode) 순으로 시장을 형성하고 있다. 유기발광다이오드 OLED는 4차 산업혁명을 준비하는 각 국가들의 발전을 위한 핵심 분야로 인정받고 있는 기술이며, 특히 국내 최고업계 삼성 디스플레이, LG디스플레이는 OLED의 90%이상의 점유율로 시장을 주도하고 있다. 현재 AMOLED는 접거나 휠 수 있는 영역으로 옮겨왔으며, 이와 같은 기술이 가능한 이유는 플렉서블 기판상에 TFT(Thin Film Transistor)와 OLED가 형성가능하기 때문이다. 향후 스트레처블 디스플레이로 그 기술은 이동할 것이며, 이를 위해서는 늘어나는 기판 소재 개발이 우선 진행되고, 다음으로 TFT, OLED 소자 역시 늘어날 수 있는 재료로 구현되어야 할 것이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권12호
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• pp.1002-1009
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• 2011

The light extraction efficiency of top-emitting organic light-emitting diode (OLED) was improved by insertion of corrugation patterns between indium tin oxide and organic layers. The corrugation patterns was fabricated by nanosphere lithography, which could form a self-assembled particle monolayer over a large area. The electrical and optical properties for the OLED devices fabricated by vacuum evaporation, were investigated. We have demonstrated the enhancement of the power efficiency of corrugated OLED. As a result, the power efficiency of the corrugated OLED was found to be more than 42%.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.148-148
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• 2015

Over the past several years, Colloidal core/shell type quantum dots lighting-emitting diodes (QDLEDs) have been developed for the future of optoelectronic applications. An inverted-type quantum-dot light-emitting-diode (QDLED), employing low work function organic material polyethylenimine ethoxylated(PEIE) (<10 nm)[1] modified ZnO nanoparticles (NPs) as electron injection and transport layer, was fabricated by all solution processing method, instead of electrode in the device. The PEIE surface modifier incorporated on the top of the ZnO NPs film, facilitates the enhancement of both electorn injection into the CdSe-ZnS QD emissive layer by lowering the workfunction of ZnO from 3.58eV to 2.87eV and charge balance on the QD emitter. In this inverted QDLEDs, blend of poly (9,9-di-n-octyl-fluorene-alt-benzothiadiazolo) and poly(N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine] are used as hole transporting layer (HTL) to improve hole transporting property. At the operating voltage of 7.5 V, the QDLED device emitted spectrally orange color lights with high luminance up to 11110 cd/m2, and showed current efficiency of 2.27 cd/A.[2]

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.84-84
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• 2008

A multidimensional ZnO light-emitting diode LEDstructure comprising film/nanorods/substrate was fabricated on a p-type Si substrate using metal organic chemical vapor deposition at relatively low growth temperature. The filmlike top layer used for the metal contact was continuously formed on the ZnO nanorods by varying the growth conditions and the resulting structure allowed us to utilize the nanorods with intense emission as an active layer. We investigated the performance of the resulting multidimensional LED. An extremely high breakdown voltage and low reverse leakage current as well as typical rectification behavior were observed in the I-V characteristics.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 학술대회 및 기술세미나 논문집 디스플레이 광소자
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• pp.58-59
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• 2006

Top emission OLED 소자에 사용되는 ITO(Indium-Tin-Oxide)의 저항을 개선하여 보다 낮은 저항을 가지는 전극을 제작하기 위해 AZO(ZnO-Ag-ZnO)를 제작하였다. AZO박막은 기존의 ITO 박막이 수십 $\Omega$을 나타내던 것과 비교하여 $8{\Omega}$으로 매우 낮은 저항을 나타내었다. 투과율은 84%로 기존의 ITO 박막과 유사한 성능을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
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• pp.107-110
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• 2003

본 연구에서는 캐소드 방향으로 발광하는 Top emission 소자를 설계 제작하였다. 이를 위하여 반투명한 금속 박막을 제작하여 전기적 특성과 광학적 특성을 비교 평가하였다. 이를 바탕으로 제작한 Top emission 소자를 bottom emission 소자와 비교하였을 때 구동 전압은 다소 높았으며 색좌표 및 스펙트럼이 이동하였는데 이동 정도와 경향성은 파장에 따라 다르게 나타났다