• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제10권6호
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• pp.200-202
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• 2009

Tin oxide thin films were prepared by atomic layer deposition using a tetrakis(ethylmethylamino) tin precursor without any seed layer. The average growth rate of tin oxide film is about 1.2 A/cycle from $50{^{\circ}C}$ to $150{^{\circ}C}$. The rate decreases rapidly at a substrate temperature of $200{^{\circ}C}$. ALD-grown tin oxide thin film was characterized with the use of XRD, AFM and XPS. Due to a thermal annealing effect, the surface roughness and the tin amount in the film composition are slightly increased.

• 한국세라믹학회지
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• 제49권6호
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• pp.505-510
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• 2012

A study of the recovery of tin and nickel from steel ball scraps for barrel plating was carried out through a physical treatment, a leaching treatment, hydrogen reduction and an electrolysis experiment. The recovery of the iron component was over 95% by the physical treatment. We obtained tin oxide in the form of metastannic acid ($SnO_2{\cdot}xH_2O$) with impurities of less than 5% from the leaching treatment. We also recovered the high-purity metallurgical tin at a rate that exceeded 99.9% by the electrolysis of crude tin obtained from the hydrogen reduction of metastannic acid.

• 자원리싸이클링
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• 제25권4호
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• pp.49-53
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• 2016

주석 폐자원으로부터 회수된 주석 조금속을 메탄술폰산 전해액에서 전해정련을 수행하여 고순도 주석을 회수하고자 하였다. 전해정련층 표면형상을 관찰한 결과 주석 전해정련 시 glycol계 유기첨가제를 통해 균일하게 주석이 전착되었고, 수지상 형상 및 박리현상은 발생하지 않았다. 주석 조금속 및 전해정련층의 순도를 ICP-OES로 분석한 결과 주석 조금속은 은, 구리, 납, 니켈 등의 불순물이 함유되어 97.280 wt.%의 주석순도를 나타내었고, 전해정련을 수행 후 순도 분석결과 주석의 순도는 99.956 wt.%으로 증가하였다. 순환 전압전류 시험결과 유기첨가제는 주석 전해정련 시 불순물의 환원반응을 억제 또는 가속시키는 역할을 하는 것으로 판단된다.

• 자원리싸이클링
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• 제24권3호
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• pp.51-58
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• 2015

주석도금폐액으로부터 이온교환수지를 사용하여 주석 회수에 대한 연구를 실시하였다. 3종류의 이온교환수지를 사용하여 기초 실험한 결과 tertiary 기능기를 가진 이온교환수지(Lewatit TP 272)는 주석을 흡착하지 못하였고, iminodiacetic기능기를 가진 이온교환수지(Lewatit TP 207)는 주석의 흡착율은 높으나, 회수된 주석용액 내 불순물 함량이 높았다. Ethylhexyl-phosphate의 기능기를 가진 이온교환수지(Lewatit VP OC1026)를 사용한 경우, 주석의 흡착율이 iminodiacetic기능기를 가진 이온교환수지 보다 낮았으나 pH 조절에 따라 회수된 주석용액 내 불순물의 제거가 가능하였다. 또한 이온교환수지에 흡착된 유기물의 경우는 수세를 통해 제거를 함으로써 고순도 주석용액으로 회수가 가능하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.128-128
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• 2009

The effect of seed layer on the preparation of tin oxide thin film by ALD using tetrakis(ethylmethylamino) tin precursor was examined. The average growth rate of tin oxide film is about 1.4 A/cycle from $50^{\circ}C$ to $150^{\circ}C$. The rate rapidly decreases at the substrate temperature at $200^{\circ}C$. The seed effect was not observed in crystal growth of thin oxide. However, the crystalline growth of seed material in tin oxide was detected by thermal annealing. ALD-grown seeded tin oxide thin film after thermal annealed was characterized by ellipsometry, XRD, AFM and XPS.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제11권5호
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• pp.222-225
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• 2010

The preparation of tin oxide thin films by atomic layer deposition (ALD), using a tetrakis (ethylmethylamino) tin precursor, and the effects of a seed layer on film growth were examined. The average growth rate of tin oxide films was approximately 1.2 to 1.4 A/cycle from $50^{\circ}C$ to $150^{\circ}C$. The rate rapidly decreased at the substrate temperature at $200^{\circ}C$. A seed effect was not observed in the crystal growth of tin oxide. However, crystallinity and the growth of seed material were detected by XPS after thermal annealing. ALD-grown seeded tin oxide thin films, as-deposited and after thermal annealing, were characterized by X-ray diffraction, atomic force microscopy and XPS.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.173.2-173.2
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• 2014

Thin nitride thin films were synthesized by reactive radio-frequency magnetron sputtering in the ultra high vacuum (UHV) chamber. To control the characteristics of thin films, tin nitride thin films were obtained various argon and nitrogen gas mixtures, especially low nitrogen gas ratios. Tin nitride thin films were analyzed with alpha step, scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and 4 point probe measurement. The result of alpha step and SEM showed that the thickness of thin nitride thin films were decreased with increasing nitrogen gas ratios. The metallic tin structure was decreased and the amorphous tin nitride structure were observed by XRD with higher nitrogen gas ratios. The oxidation state of tin and nitride were studied with high resolution Sn 3d and N 1s XP spectra.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2015년도 추계학술발표대회
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• pp.1655-1658
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• 2015

Tin-Can은 SCORM의 한계를 극복하고자 미국 표준제정기관인 ADL(Advanced Distributed Learning)에서 개발하였다. SCORM의 차세대 버전으로 탄생한 Tin-Can은 Experience API (XAPI) 라고도 불리며 학습자가 학습경험을 얻는 과정을 저장하는 도구로써 각광을 받고 있다. 온라인 학습환경에서 중점 중의 하나는 Learning Analytics를 통하여 학습자에게 맞춤형 학습을 제공하는 것이다. 이를 위해서는 학습자의 활동 정보(Activity Data)를 데이터베이스화하는 것이 중요한데 위와 같은 기능들을 모두 제공해 줄 수 있는 것이 Tin-Can이다. 본 논문에서는 Tin-Can에 대해 설명하고, 온라인 학습환경에서 Tin-Can을 접목하여 학습 활동 정보를 수집하는 방법에 대해서 설명한다.

• 한국해안해양공학회:학술대회논문집
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• 한국해안해양공학회 1995년도 정기학술강연회 발표논문 초록집
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• pp.31-31
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• 1995

TIN은 Triangulated Irregular Network의 약자로 불규칙한 대소삼각형의 집합으로 삼각망을 구성, 지표면을 Digital Terrain Model로 만드는 기법이다. 지표면(해저지형포함)은 수치화된 등고선의 벡터 데이터와 점의 표고데이터 또는 표고 평행배열의 Raster데이터로부터 모형화되며 또는 제 3의 방법인 TIN에 의해 모형화된다. 이 TIN에 의한 도형은 컴퓨터가 위성측량, 항공측량, 광파측량 또는 음차수심측량등 측량결과를 받아 어떤 특정 프로그램을 구동 삼각형의 정점에 해당하는 점의 X, Y, Z의 좌표로부터 닫한 삼각형을 작성한다. (중략)

• 한국GIS학회:학술대회논문집
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• 한국GIS학회 2003년도 공동 춘계학술대회 논문집
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• pp.608-615
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• 2003

수치지도에 존재하는 등고선의 절점(Vertex)과 표고점을 이용해서 수치표고모형을 생성하기 위하여 일반적으로 TIN을 이용한 방법이 사용된다. 불규칙적으로 분포되어져 있는 데이터를 이용해서 TIN을 구성하는 알고리즘은 여러가지가 존재하는데 본 연구에서는 Incremental Insertion Method(IIM)를 이용하였다. 하천이나 인위적인 작업으로 지형이 급격하게 변화되는 지형을 TIN 에 표현하기 위해서 사용되는 Break Line 이 본 연구에 적용되었으며, 절점(Vertex)이나 표고점이 잘못된 높이 값을 가짐으로써 수치표고모형에 발생하는 왜곡을 보정하기 위해서 이들 데이터를 TIN에서 제거하는 방법에 대한 연구가 수행되어졌다.