Odor emission from domestic sewer systems has become a serious environmental problem. An investigation on a sewer manhole revealed that anaerobic decay of sediment organic matters (SOMs) and related declines of oxidation reduction potential (ORP) in the sediment layer were the main reason of the production of volatile sulfur compounds. In addition, as the anaerobic decaying period continued, the odor intensity rapidly increased with increasing concentrations of $H_2S$ and dimethyl sulfide. As a feasible method to control SOMs and to minimize odor emission potentials, an electrolytic oxidation process has been employed to the sediment sludge phase. In this study, voltages applied to the electrolytic oxidation process were varied as a main system parameter, and its effects on odor removal efficiencies and reaction characteristics were investigated. At the applied voltages greater than 20 V, the system efficiently oxidized the organic matter, and the ORP in the sludge phase increased rapidly. As a consequence, the removal efficiency of hydrogen sulfide was found to be >99% within 60 minutes of the electrolytic oxidation. Overall, the electrolytic oxidation process can be an alternative to control odor emission from sewer systems, and a threshold input energy needs to be determined to achieve effective operation of the process.
An electrolytic oxidation process was applied to remove odorous compounds from non-point odor sources including wastewater pipelines and manholes. In this study, a distance between the anode and the cathode of the electrolytic process was varied as a system operating parameters, and its effects on odor removal efficiencies and reaction characteristics were investigated. Odor precursors such as sediment organic matters and reduced sulfur/nitrogen compounds were effectively oxidized in the electrolytic process, and a change in oxidation-reduction potential (ORP) indicated that an stringent anaerobic condition shifted to a mild anoxic condition rapidly. At an electrode distance of 1 cm and an applied voltage of 30 V, a system current was maintained at 1 A, and the current density was 23.1 $mA/cm^{2}$. Under the condition, the removal efficiency of hydrogen sulfide in gas phase was found to be 100%, and 93% of ammonium ion was removed from the liquid phase during the 120 minute operating period. Moreover, the sulfate ion (${SO_4}^{2-}$) concentration increased about three times from its initial value due to the active oxidation. As the specific power consumption (i.e., the energy input normalized by the effective volume) increased, the oxidation progressed rapidly, however, the oxidation rate was varied depending on target compounds. Consequently, a threshold power consumption for each odorous compound needs to be experimentally determined for an effective application of the electrolytic oxidation.
The purpose of this study was to identify the effects of oriental herbal drink to improve aerobic capacity in elite endurance runners. 14 male elite college runners were participated and divided into two group; i ) oriental herbal drink group (OG), ii ) placebo group (PG). All subjects were completed treadmill exercise protocol using GXT at before (B) and after (A) experimental treatment of one week. The V02max, anaerobic threshold (AT) were measured by gas analysis and heart rate (HR) were measure by polar system at pre, max, post, post 30 min and post 60 min. Blood samples were collected to analyze blood components. The V02max were significantly increased in OGA compared to OGB whereas the V02max and AT in OGA were significantly higher than PGA. The blood lactate concentration were shown higher decrease rate in OGA compared to Doth OGB and PGA during recovery whereas LDH and Na were significantly increased in OGA compared to both OGB and PGA. The blood concentrations of CI and K were significantly increased in OGA compared to PGA. There were no significant differences were founded in WBC, RBC, Hct, Hb and other components associated with energy sources(glucose, TG, TC, HDL, LDL, creatinine, CPK). These results suggested that this oriental herbal drink can be administrated to improve aerobic capacity in long distance runners.
ZnO는 육방정계결정구조의 물질로서 3.37 eV의 넓은 띠 간격과 60 meV의 큰 exciton 결합에너지에 따른 높은 효율의 자외선발광으로 짧은 파장의 빛 (녹, 청, 자외선)을 내는 LED (Light Emitting Diode) 분야에서 관심을 기울이고 있는 물질이다. LED제작을 위해서는 n형의 ZnO와 p형의 ZnO가 필요하지만 기본적으로 ZnO은 n형이므로 신뢰성 있는 p형 ZnO박막을 제작하기 위한 노력이 기울여지고 있다. 본 연구에서는 ALD (Atomic Layer Deposition)로 제작된 ZnO박막에 20 keV의 에너지를 갖는 질소이온을 $10^{13}{\sim}10^{15}ions/cm^2$로 조사한 후 Hall 효과 측정장치를 이용하여 질소이온 조사에 따른 전기적 특성변화를 조사하였다.
Recently, zinc oxide (ZnO) thin films have attracted great attention as a promising candidate for various electronic applications such as transparent electrodes, thin film transistors, and optoelectronic devices. ZnO thin films have a wide band gap energy of 3.37 eV and transparency in visible region. Moreover, ZnO thin films can be deposited in a poly-crystalline form even at room temperature, extending the choice of substrates including even plastics. Therefore, it is possible to realize thin film transistors by using ZnO thin films as the active channel layer. In this work, we investigated influence of oxygen partial pressure on ZnO thin films and fabricated ZnO-based thin film transistors. ZnO thin films were deposited on glass substrates by using a pulsed laser deposition technique in various oxygen partial pressures from 20 to 100 mTorr at room temperature. X-ray diffraction (XRD), transmission line method (TLM), and UV-Vis spectroscopy were employed to study the structural, electrical, and optical properties of the ZnO thin films. As a result, 80 mTorr was optimal condition for active layer of thin film transistors, since the active layer of thin film transistors needs high resistivity to achieve low off-current and high on-off ratio. The fabricated ZnO-based thin film transistors operated in the enhancement mode with high field effect mobility and low threshold voltage.
본 논문에서는 이산 웨이블릿 패킷 변환을 이용하여 디지털 홀로그램의 중요 성분을 추적하고 암호화하는 새로운 방법을 제안한다. 공간과 주파수 영역에서 디지털 홀로그램의 특성을 분석하여 디지털 홀로그램을 다루는데 필요한 정보를 얻는다. 얻어진 정보들을 종합하여 웨이블릿 변환과 부대역의 패킷화를 이용한 암호화 방법을 제안한다. 웨이블릿 변환의 레벨과 에너지 값을 선택함으로써 다양한 강도로 암호화가 가능하다. 암호화 효과를 수치 및 시각적으로 분석하여 최적의 파라미터를 제시한다. 따라서 별도의 분석과정 없이 본 논문에서 제시된 파라미터를 이용하여 효율적으로 암호화를 수행할 수 있다. 실험결과를 살펴보면 전체 데이터 중에서 단지 0.032%의 데이터만을 암호화하더라도 객체를 분간할 수 없다. 부대역의 패킷화 정보와 암호화 시 이용한 키를 전체 암호키로 이용할 수 있다.
스카른 Zn-Pb-Cu 복합광석을 구성하는 주요 구성 광물의 정량분석을 목적으로, 마이크로 포커스 X-ray 단층촬영 장비를 이용한 스카른 복합광석의 3차원 비파괴검사를 수행하였다. X-ray 단층화상의 화상결함을 감소시키고자 제안된 화상보정법을 이용하여 화상들을 보정한 후에 3차원으로 재구성하였다. 주사전자현미경(SEM)에 의한 표면분석과 보정된 X-ray 단층화상을 비교하여 주요광물에 대한 CT 값의 범위를 결정하였다. 재구성화상 내 전체 광물의 체적비율을 분석한 결과, 황화광물 20.5%, 맥석광물 79.5%로 평가되었다. X-ray 3차원 단층화상 정량분석법은 광석 내 유용광물의 부존형상과 회수율 분석에 유용하게 적용될 것으로 기대된다.
본 논문에서는 영상의 에너지 분포에 따른 통계적 특성과 대역확산방법 (direct sequence spread spectrum)을 이용한 웨이블릿 기반의 비디오 워터마킹(watermarking) 방법을 제안하였다. 제안한 방법에서는 원 비디오를 공간 영역에서 움직임의 다소에 따라 분류된 움직임이 큰 영역과 움직임이 적은 영역을 공간계차측정 (spatial difference metric)방법에 의해 나누어진 장면 (scene) 단위로 각각 3차원 DWT와 2차원 DWT를 수행하여 3 레벨 및 2 레벨로 각각 분해한다. 비가시성과 견고성을 만족시키기 위해 기저대역을 제외한 레벨 3 및 레벨 2에서 부대역 계수값의 표준편차를 이용하여 문턱값을 정하고 워터마크가 삽입될 계수를 각각 선택한다. 그리고 워터마크(watermark)는 시각적인 정보를 가진 이진 영상으로 임의 교환 (random permutation) 후 대역확산방법을 이용하여 비디오 워터마크로 대체되어 선택된 계수에 삽입된다. 제안한 방법의 성능 평가를 위한 모의실험 결과에서 기존의 방법보다 비가시성 및 견고성이 우수함을 확인하였다.
무선 센서 네트워크는 싱크 노드로 데이터가 집중되는 수렴적인 구조로 인해 네트워크 내 불균형적인 에너지 소모가 발생한다. 이러한 문제를 해결하기 위해 기존 연구에서는 소스 노드 및 싱크 노드 사이에 중계 노드를 배치하여 싱크 노드로 집중되기 전 데이터를 병합 및 처리하였다. 하지만 링크 품질을 고려하지 않은 중계 노드의 배치는 재구성된 라우팅 경로의 링크 품질에 따른 패킷 손실을 야기한다. 따라서 본 논문에서는 중계 노드 선정을 위한 라우팅 경로 재구성 시 데이터 신뢰성을 고려한 링크 비용 산출 방법을 제안한다. 라우팅 메트릭 값으로 홉 수 및 RSSI를 고려한 링크 비용 산출 수식을 제안하며 센서 모듈 간 패킷 전송 실험을 통해 RSSI 임계값을 선정한다.
본 논문에서는 플래너 게이트 및 트렌치 게이트의 구조를 동시에 가지고 있는 1200V급 이중 게이트 IGBT 소자를 제안함과 동시에 전기적인 특성을 분석하였으며, 분석된 결과를 가지고 플래너 게이트 및 트렌치 게이트 IGBT 소자의 전기적인 특성과 비교 분석하였다. 이중 게이트 IGBT 소자를 설계하는데 있어 문턱전압 및 온 상태 전압 강하에 영향을 주는 P-베이스 영역에 있어 P-베이스에 깊이는 트렌치 게이트 소자 영역에 영향을 주며, P-베이스에 너비는 플래너 게이트 소자 영역에 영향을 주는 것을 확인할 수 있었다. 본 연구에서 제시한 이중 게이트 IGBT 소자의 전기적인 특성인 항복전압은 1467.04V, 온 전압 강하는 3.08V, 문턱전압은 4.14V의 특성을 나타내고 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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