• 한국화재소방학회논문지
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• 제21권4호
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• pp.25-31
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• 2007

본 연구에서는 샌드위치 패널 심재에 대한 연소열과 일정한 외부 복사열에 의한 연소특성을 분석하였다. 일정한 외부 복사열원에 노출된 샌드위치 패널 심재의 착화시간, 임계열유속, 착화온도, 시료 표면 온도의 변화를 측정하기 위해 3가지 Type의 시료를 사용하였으며, 연소열을 측정하기 위해 Oxygen bomb calorimeter를, 연소특성을 측정하기 위해 Mass loss calorimeter를 사용하였다. 연소특성을 측정하기 위해 $100\;mm{\times}100\;mm{\times}50\;mm$ 크기의 시료를 사용하였다. 연구결과, 연소열과 착화온도에 있어서 가장 좋은 특성을 갖는 것은 Type B인 반면 임계열유속과 시료 표면온도 변화에 있어서는 Type C에서 가장 좋은 특성을 나타내었다. 모든 연구 데이터를 종합한 결과 Type C가 가장 좋은 화재안정성을 나타낸다는 것을 알 수 있었다. 향후, 샌드위치 패널 심재에 대한 열방출률 특성과 질량감소속도에 대한 실험연구가 필요할 것으로 판단된다.

• 멤브레인
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• 제15권4호
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• pp.349-354
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• 2005

이트리아 안정화 지르코니아(yttria stabilized zirconia, YSZ)를 전해질로 선정하여 소결조건에 따른 열적 안정성과 전기적인 특성을 분석하였다. SEM사진으로 소결온도가 증가할수록 입자가 커지므로 상대적으로 기공은 줄어드는 것을 보였고 입자크기에 따른 영향을 확인하였다. 전기적 특성을 알아보고자 2단자법(2-probe method)으로 $800\~1000^{\circ}C$의 오도에서 교류 임피던스 측정을 통하여 전해질 내의 저항과 전기전도도 측정으로 입자 내부 저항 및 전기적 성능을 평가하였다. 소결온도가 $1400^{\circ}C$일 때 건식법과 습식법에서 밀도는 각각 6.13, 6.25 $g/cm^3$이며, 상대밀도는 각각 98, 99$\%$였다. 소결온도가 올라갈수록 저항은 낮아지고, 전도도는 커지는 것을 확인할 수 있으며, 건식 및 습식법으로 제작한 전해질의 전기전도도는 $10000^{\circ}C$에서 각각 $8.8\times10^{-2},\;11\times10^{-2}$ S/cm이었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2016년도 추계학술대회
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• pp.527-530
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• 2016

본 논문에서는 $0.35-{\mu}m$ standard CMOS 공정에서 낮은 전력을 소모하면서 낮은 전원전압에서 동작하는 곡률보상 기능을 갖는 기준전류/전압 발생 회로를 제안한다. 제안된 회로는 weak-inversion 영역에서 동작하는 MOS 트랜지스터들을 사용함으로써 1V 이하 전원전압에서 동작할 수 있다. 시뮬레이션 결과는 제안되는 곡률보상 기술을 사용하여 기존의 곡률보상 기능이 없는 BGR 회로들처럼 종 모양이 아닌 사인 곡선과 같은 모양을 나타내 작은 TC 값을 보여준다. 제안된 회로들은 모두 0.9V의 전원전압에서 동작한다. 먼저, 기준전압 발생 회로는 176nW 전력을 소모하며, 온도 계수는 $26.4ppm/^{\circ}C$이다. 기준전류 발생 회로는 194.3nW 전력을 소모하며, 온도 계수는 $13.3ppm/^{\circ}C$이다.

• 한국항공우주학회지
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• 제49권5호
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• pp.437-446
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• 2021

비행체의 속도가 빨라질수록, 비행 시 발생하는 공력 가열이 커진다. 고속 비행체의 속도가 빨라지면서 비행체의 외피는 수백 ℃까지 가열되기도 하며, 동시에 동체 내부의 전자장비들도 함께 가열되어 상대적으로 사용온도가 낮은 전자장비들의 열적 안전성이 위협받기 시작하였다. 이에 따라 개발 단계에서 전자장비의 온도 예측 및 외부시스템을 이용한 온도 조절 등 장비의 열적 안전성을 예측하고, 이를 확보하기 위한 다양한 시도가 있었다. 본 논문에서는 일회성 고속 비행체 내 장비의 열적 안전성을 예측할 수 있는 열 해석 모델을 구축하는 기술을 개발하였다. 장비 내부의 열전달 특성을 파악하기 위한 간단한 지상 모사실험을 수행하였고, 그 결과를 바탕으로 열전달 특성을 모사한 열 해석모델을 구축하였다. 이 기술을 활용하여 장비 열 해석 모델을 구축한다면, 비행 시장비 내부 구성품별 온도 변화를 예측할 수 있고, 더 나아가 열에 가장 취약한 특정 소자의 온도를 예측할 수 있기 때문에 더 정밀한 열적 안전성 예측이 가능하다.

• 한국진공학회지
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• 제7권s1호
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• pp.57-77
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• 1998

Heteroepitaxial $Y_2O_3$ films were grown on a Si(111) substrate by ionized cluster beam deposition(ICBD) in ultra high vacuum, and its qualities such as crystllitnity, film stress, and morphological characteristics were investigated using the various measurement methods. The crystallinity was investigated by x-ray diffraction (XRD) and reflection high energy electron diffraction (RHEED). Interface crystallinity was also examined by Rutherford backscattering spectroscopy(RBS) channeling, transmission electron microscopy(TEM). The stress of the films was measured by RBS channeling and XRD. Surface and interface morphological characteristics were investigated by atomic force microscopy (AFM) and x-ray scattering method. Comparing the interface with the surface characteristics, we can conclude that many defects at the interface region were generated by interface reaction between the yttrium metal and SiO2 layer and by ion beam characteristic such as shallow implantation, so that they influenced the film qualities. The film quality was dominantly depended on the characteristic temperature range. In the temperature range from $500^{\circ}C$ to $600^{\circ}C$, the crystallinity was mainly improved and the surface roughness was drastically decreased. On the other hand, in the temperature range from $600^{\circ}C$ to $700^{\circ}C$, the compressive stress and film density were dominantly increased, and the island size was more decreased. Also the surface morphological shape was transformed from elliptical shape to triangular. The film stress existed dominantly at the interface region due to the defects generation.

• 한국화재소방학회:학술대회논문집
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• 한국화재소방학회 2005년도 춘계학술논문발표회 논문집
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• pp.255-260
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• 2005

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2009년도 동계학술발표회 논문집
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• pp.517-518
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• 2009

• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 2006년 추계학술발표대회 개요집
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• pp.262-264
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• 2006

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2008년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.791-792
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• 2008

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1985년도 하계학술회의논문집
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• pp.189-190
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• 1985