The interfacial Properties of ferrosoferric oxide suspended in aqueous KNO3 solution are investigated by studying the zeta potentials and surface charge densities at $25^{\circ}C$. The zeta potentials are obtained by measuring the electrophoretic mobility and the surface charge densities by potentiometric titrations in the aqueous KNO3 solutions of different concentrations from 10-3 to 10-1M. The data are interpreted by the surface dissociation and complexation model of Davis, et als. and the modified model.
In this paper, we developed 3 dimensional Surface Charge Method which could calculate electric fields inside GIS with a small void in solid insulator or with a metal impurity. We find a metal impurity makes much more non-uniform electric field distribution inside GIS than a small void. We also find electric field is much more increased when a metal impurity is close to solid insulator surface at high voltage conductor.
Effects of magnesium and pH on corrosion of aluminum galvanically coupled to iron have studied by using potentio- dynamic and static tests for polarization curves, Mott-Schottky test for analysis of semiconductor property, and GD-AES and XPS for film analysis. Pitting potential was sensitive to magnesium as an alloying element but not to pH, while passive current was sensitive to pH but not to magnesium. It was explained with, instead of point defect model (PDM), surface charge model describing that the ingression of chloride depends on the state of surface charge and passive film at film/solution interface is affected by pH. In addition, galvanic current of aluminum electrically coupled to iron was not affected by magnesium in pH 8.4, 0.2M citrate solution but was increased by magnesium at the solution of pH 9.1. The galvanic current at pH 9.1 increased with time at the initial stage and after the exposure of about 200 minute, decreased and stabilized. The behavior of the galvanic current was related with the concentration of magnesium at the surface. It agreed with the depletion of magnesium at the oxide surface by using glow discharge atomic emission spectroscopy (GD-AES). In addition, pitting potential of pure aluminum was reduced in neutral pH solution where chloride ion maybe are competitively adsorbed on pure aluminum. It was confirmed by the exponential decrease of pitting potential with log of [$Cl^-$] around 0.025 M of [$Cl^-$] and linear decrease of the pitting potential. From the above results, unlike magnesium, alloying elements with higher electron negativity, lowering isoelectric point (ISE), are recommended to be added to improve pitting corrosion resistance of aluminum and its alloys in neutral solutions as well as their galvanic corrosion resistance in weakly basic solutions.
We have studied surface roughness, contamination of impurity, bonding with some gas element, reflectance and zeta potential on masks to be generated or changed during photolithography/dry or wet etching process. Mask surface roughness was not changed after photolithography/dry etching process. But surface roughness was changed on some area under MoSi film of Cr/MoSi/Qz. There was not detected any impurity on mask surface after plasma dry etching process. Reflectance of mask was increased after variable plasma etching treatment, especially when mask was treated with plasma including $O_2$ gas. Blank mask was positively charged when the mask was treated with Cr plasma etching gas($Cl_2:250$ sccm/He:20 $sccm/O_2:29$ seem, source power:100 W/bias power:20 W, 300 sec). But this positive charge was changed to negative charge when the mask was treated with $CF_4$ gas for MoSi plasma etching, resulting better wet cleaning. There was appeared with negative charge on MoSi/Qz mask treated with Cr plasma etching process condition, and this mask was measured with more negative after SC-1 wet cleaning process, resulting better wet cleaning. This mask was charged with positive after treatment with $O_2$ plasma again, resulting bad wet cleaning condition.
표면 플라즈몬 공명 (SPR) 센서에서 금속 전극에 전압을 걸었을 경우, 표면에 여기 되는 전기장에 의해 전하가 쌓이게 된다. 이는 금속 표면의 광학적 성질과 표면 플라즈몬 공명 각도의 변화를 야기시킨다. 본 논문에서는 그에 대한 검증을 위해 다양한 산도 조건의 수용액 하에서 금속에 전압을 걸었을 때의SPR 각도 변화를 측정하였고, 누적 전하량과 공명 각도에 대한 의존성을 그렸을 때 수용액의 산도에 관계없이 일치함을 확인 하였다. 이 관계를 설명하는 기존의 공간전하층(SCL) 모델과 비교해보고 실험결과와 어긋나는 부분과도 잘 맞는 수정된 SCL 모델을 제시하였다. 이 결과는 표면 플라즈몬 공명 센서의 응용과 금속박막의 광학적 성질에 대한 연구에 기여할 거라 기대된다.
본 연구는 낮은 활성으로 활용성이 제한된 ${\gamma$-알루미나의 이용을 높이기 위하여 표면을 처리한 알루미나의 계면전기적 특성과 표면활성간의 상관성을 규명하기 위하여 수행되었다. 질산알루미늄을 출발 물질로 하고 암모니아수를 침전제로 사용하여 제조한 알루미나와 황산, 질산, 염산으로 표면 처리한 알루미나를 질량이동법과 site-binding theory를 이용하여 영점전하점을 측정하였다. Amine Titration법과 Hammett 지시약법으로 표면활성점을 구하였다. 전해질에 분산된 알루미나의 계면특성은 전위차적정방법에 의하여 측정된 표면 전하밀도값을 이용하여 분석하였다. 표면전하밀도와 산량의 결과를 이용하여 얻은 ${\gamma$-알루미나의 표면특성과 계면전기적 특성의 상관성은 다음과 같다. 표면을 처리하지 않은 알루미나는 $H_o{\leq}+9.3$인 조건에서 소성온도가 증가함에 따라 산도는 감소한다. 표면처리한 알루미나는 표면을 처리하는 데 사용한 음이온의 농도가 증가하면 표면 이온화상수와 영점전하점은 감소한다. 표면을 처리한 알루미나의 표면전하밀도와 산량은 $H_o{\leq}+4.8$인 조건에서 다음과 같은 상관관계를 갖는다. $SO_4^2-/Al_2O_3:Q_A=-0.172ln(0.0418{\sigma}+1.448)$$NO_3^-/Al_2O_3:Q_A=-0.024{\sigma}-0.0189$$Cl^-/Al_2O_3:Q_A=-0.01{\sigma}-0.2006$.
플라즈마 중합법과 dip-coating법에 의해 이층형 유기 감광체를 제조하였다. 알루미늄 기판위에 장벽 층으로 Al₂O₃막을 만들었고, 전하 생성층으로 H₂ phthalocyanine(H₂Pc)를, 전하 수송층으로는 Poly 9-Vinylcarbazole을 채택하여 CGL/CTL의 이층 구조가 되도록 하였다. 플라즈마 중합법과 진공 증착법에 의해 각각 H₂ phthalocyanine 박막을 제조하여 흡광 특성을 검토한 결과 진공 증착막의 경우 613.6[nm]와 694.8[㎚]에서 흡수 피크가 관찰되었으나 플라즈마 중합막에서는 600-700[㎚]사이에서 완만한 피크가 관찰되었다. PVCz막의 표면전위는 인가한 코로나 방전 전압과 PVCz의 두께가 증가함에 따라 증가하였고, 암 감 쇠 특성과 광 감쇠 시간 그리고 잔류 시간도 PVCz의 두께의 증가와 함께 증가하였다. 15[㎛] 두께의 PVCz의 표면 전하량을 계산한 결과, 인가 전위 -600[V]에서 134[nc/㎠]이었으며 H₂Pc의 전하 생성 효율은 0.034이었다.
P형 Si기판에 N에피층을 성장시키고 Si-AR막 계면에서 고정양전하밀도(Qss)를 높임으로써 전지의 에미터 표면영역을 N'전하축적층으로 나타낸 새로운 형태의 N'N/P HLE 태':1전지 를 제 작하였다. 제작된 전지의 종류로는 AR막으로 SiOr층을 이용한 OCI전지와 Si,N,/sioxynitride층을 이응한 NCI전지로 구분하였다. 전지의 AR막내 Qss분포는 커패시턴스-전압 측정을 통해 조사하였으며 이로부터 NCI전 al (Qss=1.79~ 1.84$\times$1011cm-2) 가 OCI전 지 (Qss=3.03~ 4.40$\times$1011cm-1) 에 비 해 로면 전 하축 적 층 이 효과적 으로 나타남을 알 수 있었다. JCR할로겐 램프로 100mW/cm2의 인공조명을 만들어 효율특성을 분석한 결과 유효수광면적에 대한 평균(최대)변환효율이 OCI전지에서 15.18(15.46)%, NCI전지에서 16.31(17.07%)로 나타났다.
${\alpha}-Fe_2O_3$의 HCl 또는 $H_2SO_4$에 의한 용해반응에 있어서 금속염의 첨가효과를 분광광도법과 중량법으로 검토하였다. 환원성 금속염은 현저한 반응촉진 효과를 보이나 비환원성 금속염은 부의 효과를 나타내었다. $FeCl_2$와 같은 환원성 금속염을 첨가한 경우에 ${\alpha}-Fe_2O_3$의 용해속도가 크게 촉진되는 것은 $Fe^{3+}$ 와 $Fe^{2+}$ 사이에 chloro-brige가 형성되어 전하이동이 일어나면서 ${\alpha}-Fe_2O_3$ 표면의 격자에너지를 감소시키기 때문인 것으로 추측된다. 이 전하이동으로 인한 ${\alpha}-Fe_2O_3$ 표면의 격자 에너지 변화가 반응의 활성화에너지 변화와 대응된다고 보면 약 0.36e의 부분전하가 $Fe^{3+}$ 쪽으로 옮겨간 것으로 계산되었다.
Si-C materials were synthesized by the heating the mixture of silicon and polyvinylidene fluoride (PVDF). The electrochemical properties of the Si-C materials as the high capacitive anode materials of lithium secondary batteries were evaluated by the galvanostatic charge-discharge test through 2032 type $Si-C{\mid}Li$ coin cells. Charge-discharge tests were performed at C/10 hour rate(C = 372 mAh/g). Initial discharge and charge capacities of $Si-C{\mid}Li$ cell using a Si-C material derived from PVDF(20wt.%) were found to be 1,830 and 526 mAh/g respectively. The initial discharge-charge characteristics of the developed Si-C electrode were analyzed by the electrochemical galvanostatic test adopting the capacity limited charge cut-off condition(GISOC). The range of reversible specific capacity IIE(intercalation efficiency at initial discharge-charge) and IICs(surface irreversible specific capacity) were 216 mAh/g, 68 % and 31 mAh/g, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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