본 논문에서는 스트립라인 형태의 주파수 선택적 표면 덮개층을 이용하여 PCS대역의 기지국 안테나로 사용될 수 있는 EBG 공진기 안테나를 제안하였다. PCS대역의 기지국 안테나에서 요구되는 안테나 이득과 대역폭을 가지는 EBG 공진기 안테나를 설계하기 위하여 덮개층 주기 구조의 단위 셀 시뮬레이션을 이용한 다양한 설계 파라미터의 변화에 따른 공진주파수 및 대역폭의 특성을 분석하였다. 이를 위하여 여러 구조들 중에서 많이 사용되는 스트립다이폴과 스트립라인 구조의 특성을 비교하였으며, 스트립라인 구조가 스트립다이폴 구조에 비해서 EBG 공진기의 공진 길이가 더 짧고 대역폭 조정이 더 쉬움을 알 수 있었다. 단위 셀 시뮬레이션 결과를 이용하여 PCS대역을 만족하는 평면구조의 EBG 공진기 안테나와 원통형 EBG 공진기 안테나를 설계하였다.
본 논문에서는 유전율 측정을 위한 구부러진 슬롯이 추가된 고감도 마이크로스트립 패치 센서 안테나의 설계 방법에 대하여 연구하였다. 유전율에 대한 감도를 향상시키기 위해 단일 링 CSRR 구조와 유사한 구부러진 슬롯이 패치의 한쪽 방사면에 추가되었다. 제안된 마이크로스트립 패치 센서 안테나의 감도를 기존의 직사각형 마이크로스트립 패치 센서 안테나와 얇은 직사각형 슬롯이 추가된 마이크로스트립 패치 센서 안테나와 비교하였다. 세 마이크로스트립 패치 센서 안테나는 피 시험 상판이 없는 상태에서 전송 계수가 2.5 GHz에서 공진하도록 0.76 mm 두께의 RF-35 기판 상에 설계하고 제작하였다. 피 시험 상판으로 비유전율이 2.17에서 10.2 범위에 있는 타코닉 기판 5종을 사용하여 실험한 결과, 입력 반사계수의 공진 주파수의 이동으로 측정된 제안된 마이크로스트립 센서 안테나의 감도는 기존의 직사각형 마이크로스트립 패치 센서 안테나와 비교할 때 4.1배에서 6.1배 증가하는 것을 확인하였다.
차량과 같은 지상 이동체 통신에서는 안테나에 도래하는 입사전파가 안테나의 수직평변면에 대해서 약 $60^{\circ}$ 정도 의 낮은 입사각을 가지므로 이를 효과적으로 수신할 수 있는 평면형 안테나를 제작하고 그 특성을 고찰하였다. 유전체 덮개층 효과를 이용한 설계를 하여 안테나의 기판층을 포함한 평면에서의 방사계가 영이 되지 않도록 함으로써 이러한 안테나의 설계가 가능하다. 주파수 1.2 GHz에서 70 MHz 정도의 대역폭을 갖고 저각도 입사전파를 수신할 수 있는 소형 마이크로스트립 안테나를 구현하였다.
공기갭과 유전체 덮개층을 갖는 이방성 매질 위의 마이크로스트립 안테나의 공진 주파수에 대해 해석하였다. 이방성 매질의 구성관계식으로부터 파수영역에서의 다이애덕 그린 함수를 유도하였고 이 결과를 퓨리에 변환을 사용하여 공간에서의 전계 적분 방정식을 수식화차였다. 갈러킨 모멘트법을 사용하여 적분 방정식을 이산화하였으며 실제 전류 밀도와 가장 유사한 정현적 함수를 기저함수로 선택하였다. 수치해석 결과의 타당성을 검증하기 위해 기존의 결과와 비교, 일치된 결과를 얻었으며 공기 갭의 두게, 패치 길이, 이방성 비의 변화에 따른 공진 주파수가 제시되고 분석되었다.
박막형 태양전지에서 광흡수층으로 널리 쓰이는 metal chalcogenide 화합물 중, CuInS2(CIS)은 전기적, 광학적 특성이 우수하여 널리 연구되고 있다. CIS계 태양전지 최근 동시 증발법을 이용하여 20.3%의 고효율을 기록한 바 있으나 기존 진공, 고온 기반 공정 기술은 초기 투자 비용이 높고, 고가의 희귀원소인 In 등의 원료 활용도가 떨어져 원가 절감에 있어 한계가 있다. 이에 따라 제조 비용 절감과 원료 사용 효율을 향상시키기 위해 비진공 방식을 이용한 광흡수 층 증착 공정에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 상온, 상압, 저온에서 합성이 가능한 CIS계 광흡수층을 전자 전달 및 빛 포집에 유리한 ZnO 나노구조와 응용함으로써 superstrate 구조의 박막형 태양전지를 구현하고 그 특성을 평가하였다. CIS 박막 태양전지에서 투명창층으로 쓰이는 ZnO 박막을 수열합성법으로 합성된 ZnO 나노로드 어레이로 대체하여 빛 산란 효과를 줄이고, 전하 수집 및 이동 효과를 극대화하였다. 또한 CIS 광흡수층은amine계 용매와 금속염 및 thiourea를 조합하여 저온에서 코팅 후 건조시켜 박막을 제조하였다. 각 요소 박막들의 물성을SEM, XRD, UV-transmittance 분석을 통해 살펴보았으며, 소면적 태양전지 제작을 통해 박막 구조 대비 30배 이상의 광변환효율(최고효율 3.30%)을 기록하였다.
For preparing a device-quality $CuInSe_2$ (CISe) light-absorbing layer by single-bath electrodeposition for a superstrate-type CISe cell, morphological properties of the CISe layers were investigated by varying concentrations of sulfamic acid and potassium biphthalate, complexing/buffering agents. CISe films were grown on an $In_2Se_3$ film by applying a constant voltage of -0.5V versus Ag/AgCl for 90 min in a solution with precursors of $CuCl_2$, $InCl_3$, and $SeO_2$, and a KCl electrolyte. A dense and smooth layer of CISe could be obtained with a solution containing both sulfamic acid and potassium biphthalate in a narrow concentration range of combination. A CISe layer prepared on the $In_2Se_3$ film with proper concentrations of complexing/buffering agents exhibited thickness of $1.6{\sim}1.8{\mu}m$ with few undesirable secondary phases. On the other hand, when the bath solution did not contain either sulfamic acid or potassium biphthalate, a CISe film appeared to contain undesirable flake-shape $Cu_{2-x}Se$ phases or sparse pores in the upper part of film.
Hydrogenated a-SiGe middle cell for triple junction solar cell was investigated with various process parameters. a-SiGe I-layer was deposited at substrate temperature $245^{\circ}C$ and hydrogen content(R) was up to 26.7. Low optical bandgap(1.45eV) of a-SiGe cell was applied for middle cell although a-SiGe single cell efficiency with low Ge content was higher. And this cell was applied to the middle cell of a glass superstrate type a-Si/a-SiGe/uc-Si triple junction solar cell. The triple junction solar cell was resulted in the initial efficiency of about 9%, area $0.25cm^2$, under global AM 1.5 illumination.
For use of superstrate thin-film solar cells, surface texture of the transparent conductive oxide (TCO) has been used to enhance short-circuit currents by increasing light trapping into the cell. ZnO:Al films were deposited by using DC magnetron sputtering on glass substrates with ceramic (ZnO:$Al_2O_3$) target. The as-deposited TCO before texturing exhibited high transparencies (T > 85% for visible light including all reflection losses) and excellent electrical properties ($r=3-6{\times}10^{-4}{\Omega}.cm$). The optical and electrical properties of the TCO are influenced by the texturing conditions such as not only etchant dilutions but also etching time. We obtained the haze value of 14-16 resulting in increase in light trapping and short-circuit currents also.
얇은 금속 중간층이 있는 광섬유-평면도파로 결합기의 편광 및 파장 선택적 결합특성에 관한 실험 결과를 보고한다. 금속 박막층의 두께와 최상부층의 굴절률이 소자의 특성에 미치는 영향을 측정하고 그 결과를 설명하였다. 제안된 소자는 편광기, 광변조기 및 광센서 등의 다양한 응용 가능성을 보였다.
금속-클래드 평면 도파로와 접합된 측면 연마된 광섬유의 파장 및 편광 선택성에 관한 실험 결과를 보고한다. 금속의 두께와 최상부층의 굴절률을 포함한 평면 도파로의 구조가 소자의 광전송 특성에 미치는 영향을 측정하였고 그 결과를 설명하였다. 높은 파장 선택성과 편광 선택성을 가지는 조건을 예측하였고 실험으로 검증하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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