• 한국안전학회지
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• 제26권4호
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• pp.102-110
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• 2011

For decreasing of the casualties and designing of the smoke control systems in the ultra high-rise building, the programs for analysis of smoke control were developed for prediction of smoke spread and distributions of pressure and temperature in building fire situation. In this study, coupling algorithm between mass and enthalpy conservations was modified for improving the applicability of the CAU_ESCAP which program can consider the energy transfer. The fire situation in ultra high-rise building was applied by using the modified CAU_ESCAP. Results of pressure difference predicted by modified CAU_ESCAP are higher than results of ASCOS as stack effect is generated due to the increasing of stairway temperature. Moreover, theoretically, the result of the neutral plane is more accurate than the result of ASCOS, in fire situation of ultra high-rise building.

• 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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• 한국소음진동공학회 2005년도 추계학술대회논문집
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• pp.744-749
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• 2005

In this paper, a lens actuator for mobile devices is proposed using stack type piezoelectric materials. In general, the deformation of PZT actuators is not enough for lens motion when the allowed voltage is applied. The small stroke problem can be solved by accumulating a lot of small displacements in high frequency. In this paper, a new inch-worm type model for focusing actuator is suggested based on the interaction of inertial and frictional forces. Theoretical analysis and simulation using ANSYS are performed to verify the feasibility of the inch-worm PZT actuator model. Various types of clamps are considered to determine the effect of frictional force on the motion, and appropriate clamp-actuator models are proposed. The proposed models are experimentally verified and the experimental results show high correspondence with theoretical and simulated values. The inch-worm type focusing actuator enable a large stroke with 7.79 mm/sec with 10kHz and 10V.

• 한국산업융합학회 논문집
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• 제20권2호
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• pp.115-124
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• 2017

This paper aims to develop an SMPS topology for handling a high range of input voltages based on a DC-DC flyback converter circuit. For this purpose, 2 capacitors of the same specifications were serially connected on the input terminal side, with a flyback converter of the same circuit configuration serially connected to each of them, so as to achieve high input voltage and an effect of dividing input voltage. The serially connected flyback converters have the transformer turn ratio of 1:1, so that each coil is used for the winding of a single transformer, which is a characteristic of doubly-fed configuration and enables the correction of input capacitor voltage imbalance. In addition, a pulse transformer was designed and fabricated in a way that can achieve the isolation and noise robustness of the PWM output signal of the PWM controller that applies gate voltage to individual flyback converter switches. PSIM simulation was carried out to verify such a structure and confirm its feasibility, and a 100W class stack was fabricated and used to verify the feasibility of the proposed high voltage SMPS topology.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.187-187
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• 2010

In this study, we investigated the effect of electrodes on resistance switching of TaOx film. Pt, Ni, TiN, Ti and Al metal electrodes having the different oxidation degree were deposited on TaOx/Pt stack. Unipolar resistance switching behavior in Pt or Ni/TaOx/Pt MIM stacks was investigated, but bipolar resistance switching behavior in TiN, Ti or Al /TaOx/Pt MIM stacks was shown. We investigated that the voltage dependence of capacitance was decreased with higher oxidation degree of metal electrodes. Through the C-V results, we expected that linearity ($\alpha$) and quadratic ($\beta$) coefficient was reduced with an increase of interface layer between top electrode and Tantalum oxide. Transmission Electron Microscope (TEM) images depicted the thickness of interface layer formed with different oxidation degree of top electrode. Unipolar resistance switching behavior shown in lower oxidation degree of top electrode was expected to be generated by the formation of the conducting path in TaOx film. But redox reaction in interface between top electrode and Tantalum oxide may play an important role on bipolar resistance switching behavior exhibited in higher oxidation degree of top electrode. We expected that the resistance switching characteristics were determined by oxidation degree of metal electrodes.

• 대한지구과학교육학회지
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• 제13권1호
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• pp.110-120
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• 2020

과학교과의 지질단원 학습은 야외학습과 지역의 자료를 활용한 수업이 학습 동기를 유발하고 학습에 긍정적인 영향을 미치는 것으로 알려졌다. 이 연구에서는 전라남도 자은도를 중심으로 과학교과 지질단원 학습을 위한 지역화 자료를 개발하고 그 사례를 제시하였다. 연구결과는 다음과 같다. 연구지역의 3개 장소(남진 선착장 부근, 양산 해변 지역, 둔장 해변 지역)를 중심으로 지질관련 지역화 자료를 개발하였다. 남진선착장 부근지역에는 해식애, 모래해안, 갯벌이 분포하고 있다. 해식애 노두에서는 퇴적암인 역암, 사암, 이암이 분포하며, 암석의 풍화 현상 그리고 끊어진 지층 및 휘어진 지층을 관찰할 수 있다. 양산 해변 지역에서는 약 1.5km 길이의 모래해안과 해식애가 발달하며 역암, 사암, 이암의 퇴적암과 화성암인 유문암 그리고 풍화에 의한 풍화혈이 발달한다. 둔장 해변 지역에선 약 2km 길이의 모래해안과 해식애 그리고 퇴적암과 다양한 지층이 분포하고 있다. 또한 해식동굴이 긴 시간의 침식으로 인해 변화해 가는 과정을 이해할 수 있는 시스택이 분포하고 있다. 3개의 장소에 분포하는 지형 및 지질현상은 자은도에 분포하는 독특한 현상으로 과학 교과서의 지질단원에 제시된 지질현상을 이해할 수 있는 지역화 자료로 활용할 수 있다. 이러한 지역화 자료는 사진으로 제작하여 교과서 사진과 비교하여 학습에 이용할 수 있으며 더 나아가 야외지질학습장으로서 활용할 만하다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제46권3호
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• pp.619-625
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• 2008

패시베이션 및 절연 목적으로 이용하는 플라즈마 화학기상증착(PECVD)법에 의해 증착된 무기막과 웨이퍼 간 본딩 접착제로 이용하는 유기 박막 적층면의, 열 순환에 의한 잔류 응력 및 본딩 결합력의 효과를 4점 굽힙 시험법과 웨이퍼 곡률 측정법에 의해 평가하였다. 무기막으로는 산화 규소막($SiO_2$)과 산화 질화막($SiN_x$)이, 유기 박막으로는 BCB(Benzocyclobutene)가 이용되었다. 이를 통해, 열 순환 동안 무기막과 유기막 사이에서의 잔류 응력과 본딩 결합력의 상관관계에 대한 모델식을 개발하였다. 최대 온도 350 및 $400^{\circ}C$에서 수행한 열 순환 공정에서, PECVD 산화 질화막과 BCB로 구성된 다층막에서, 본딩 결합력은 첫 번째 순환 공정 동안 감소한다. 이는 산화질화막 내 잔류인장응력의 증가가 다층막의 잔류응력에 의해 변형되는 에너지 및 본딩 결합력의 감소를 유도한다는 모델식의 예측과 일치하며, PECVD 산화 규소막내 잔류 압축 응력의 감소가 다층막의 잔류응력에 의해 변형되는 에너지 및 본딩 결합력 상승을 이끄는 산화 규소막과 BCB 구조의 본딩 결합력 결과와 비교된다. 이러한 산화 규소막과 산화 질화막을 포함한 다층막의 상반된 본딩 결합력은 증착 공정 후 막 내에 형성된 수소 결합이 고온 순환 공정 동안 축합 반응을 통해 더 밀집되어 인장응력을 형성하기 때문임을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.176-176
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• 2010

One of the critical issues for applications of flexible organic thin film transistors (OTFTs) for flexible electronic systems is the electrical stabilities of the OTFT devices, including variation of the current on/off ratio (Ion/Ioff), leakage current, threshold voltage, and hysteresis under repetitive mechanical deformation. In particular, repetitive mechanical deformation accelerates the degradation of device performance at the ambient environment. In this work, electrical stability of the pentacene organic thin film transistors (OTFTs) employing multi-stack hybrid encapsulation layers was investigated under mechanical cyclic bending. Flexible bottom-gated pentacene-based OTFTs fabricated on flexible polyimide substrate with poly-4-vinyl phenol (PVP) dielectric as a gate dielectric were encapsulated by the plasma-deposited organic layer and atomic-layer-deposited inorganic layer. For cyclic bending experiment of flexible OTFTs, the devices were cyclically bent up to 105 times with 5mm bending radius. In the most of the devices after 105 times of bending cycles, the off-current of the OTFT with no encapsulation layers was quickly increased due to increases in the conductivity of the pentacene caused by doping effects from $O_2$ and $H_2O$ in the atmosphere, which leads to decrease in the Ion/Ioff and increase in the hysteresis. With encapsulation layers, however, the electrical stabilities of the OTFTs were improved significantly. In particular, the OTFTs with multi-stack hybrid encapsulation layer showed the best electrical stabilities up to the bending cycles of $10^5$ times compared to the devices with single organic encapsulation layer. Changes in electrical properties of cyclically bent OTFTs with encapsulation layers will be discussed in detail.

• 한국건설순환자원학회논문집
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• 제8권3호
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• pp.286-293
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• 2020

본 연구에서는 시멘트 소성공정에 연료로 사용된 가연성 산업부산물 및 생활폐기물의 사용량와 대기배출가스중 유해성분인 NOx, CO 발생량을 비교함으로써 상관관계를 확인하고자 하였다. 분석은 천연연료로서 유연탄, 대체연료로서 연질 플라스틱류(비닐류 등 풍력에 의해 비산되기 쉬운 성질의 플라스틱류), 경질 플라스틱류(폐고무, PET 등 풍력에 비산되지 않는 성질의 플라스틱류), 재생유를 사용하는 국내 A시멘트 제조사 소성설비의 연료투입량 및 연소온도 등 2019년 공정 데이터를 독립변수로 하고, stack으로 배출되는 NOx, CO량을 종속변수로 하여 반응표면분석(RSM) 기법을 활용해 상관관계를 분석하였다. 분석결과 폐기물마다 배출물질에 미치는 영향이 상이함을 확인하였고, 특히 경질 플라스틱류는 CO 배출은 증가시키지만 NOx를 저감하는 효과가 뛰어난 것으로 분석되었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권6호
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• pp.1726-1732
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• 2008

사출성형은 다양한 형태의 제품을 대량 생산할 수 있는 플라스틱 성형 공법중의 하나이다. 플라스틱 제품을 만들기 위해서는 고상의 재료를 액상으로 녹인 후 다시 고상으로 굳히는 과정을 거치는 데, 이 과정 중에 많은 문제점들이 발생을 하게 된다. 과거에는 이러한 문제를 해결하기 위해서 성형 후 금형 설계 변경 등의 시행착오적 방법을 사용하였으나, 성형과정에 대한 사출성형 CAE(Computer Aided Engineering)를 적용함으로써, 사전에 문제점을 파악하는 기술이 도입되었다. 플라스틱 제품의 큰 문제점 중 하나가 치수안정성이다. 특히 박막사출성형품은 게이트의 위치, 냉각채널과 온도에 따라서 변형량이 크게 달라진다. 본 연구에서는 현재 Stackmold방식으로 4개의 Cavity에 4개의 Hot-Runner가 설치된 금형을 통해 생산중인 DVD Tray 박막사출제품의 생산 원가 절감을 위해서 Cavity하나에 한 개의 Hot-Runner를 설계하기 위해서 CAE 해석을 통해 게이트의 위치, 냉각채널과 온도에 따라 비교하여 해석해 최적의 제품 설계를 하였다. CAE 해석에는 상업화된 CAE 프로그램인 Moldflow를 사용하였고, 수지는 PC+ABS를 사용하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.406-406
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• 2010

일반적으로, 나노스케일의 MOS 소자에서는 게이트 절연체 두께가 감소함에 따라 tunneling effect의 증가로 인해 PID (plasma induced damage)로 인한 소자 특성 저하 현상을 감소하는 추세로 알려져 있다. 하지만 요즘 많이 사용되고 있는 high-k 게이트 절연체의 경우에는 오히려 더 많은 charge들이 trapping 되면서 PID가 오히려 더 심각해지는 현상이 나타나고 있다. 이러한 high-k 게이트 식각 시 현재는 주로 Hf-based wet etch나 dry etch가 사용되고 있지만 gate edge 영역에서 high-k 게이트 절연체의 undercut 현상이나 PID에 의한 소자특성 저하가 보고되고 있다. 본 연구에서는 이에 차세대 MOS 소자의 gate stack 구조중 issue화 되고 있는 metal gate 층과 gate dielectric 층의 식각공정에 각각 중성빔 식각과 중성빔 원자층 식각을 적용하여 전기적 손상 없이 원자레벨의 정확한 식각 조절을 해줄 수 있는 새로운 two step 식각 공정에 대한 연구를 진행하였다. 먼저 TiN metal gate 층의 식각을 위해 HBr과 $Cl_2$ 혼합가스를 사용한 중성빔 식각기술을 적용하여 100 eV 이하의 에너지 조건에서 하부층인 $HfO_2$와 거의 무한대의 식각 선택비를 얻었다. 하지만 100 eV 조건에서는 낮은 에너지에 의한 빔 스케터링으로 실제 패턴 식각시 etch foot이 발생되는 현상이 관찰되었으며, 이를 해결하기 위하여 먼저 높은 에너지로 식각을 진행하고 $HfO_2$와의 계면 근처에서 100 eV로 식각을 해주는 two step 방법을 사용하였다. 그 결과 anistropic 하고 하부층에 etch stop된 식각 형상을 관찰할 수 있었다. 다음으로 3.5nm의 매우 얇은 $HfO_2$ gate dielectric 층의 정확한 식각 깊이 조절을 위해 $BCl_3$와 Ar 가스를 이용한 중성빔 원자층 식각기술을 적용하여 $1.2\;{\AA}$/cycle의 단일막 식각 조건을 확립하고 약 30 cycle 공정시 3.5nm 두께의 $HfO_2$ 층이 완벽히 제거됨을 관찰할 수 있었다. 뿐만 아니라, vertical 한 식각 형상 및 향상된 표면 roughness를 transmission electron microscope(TEM)과 atomic force microscope (AFM)으로 관찰할 수 있었다. 이러한 중성빔 식각과 중성빔 원자층 식각기술이 결합된 새로운 gate recess 공정을 실제 MOSFET 소자에 적용하여 기존 식각 방법으로 제작된 소자 결과를 비교해 본 결과 gate leakage current가 약 one order 정도 개선되었음을 확인할 수 있었다.