In this study, we investigated various coating methods of graphene oxide on the surface of a petri dish made of polystyrene and analyzed the physical and chemical properties of the coated surface. For coating, spinning, spraying and pressing methods were attempted. The coated surface was characterized by SEM, Raman Spectroscopy, AFM, FT-IR, UV-Vis Spectroscopy and Contact Angle measurement. By spin coating and spray coating, well distributed graphene oxide in the form of multiple islands on the plastic surface with an average size of 5 to 20㎛ are observed by SEM, and high binding energy between graphene oxide and plastic surface is measured by AFM. In case of hand press coating, graphene oxide of 10㎛ or more was observed, and low surface energy was measured. By FT-IR and Raman Spectroscopy analysis, surface coating of graphene oxide was confirmed.
Mustaqima, Millaty;Lee, Min Young;Kim, Deok Hyeon;Lee, Bo Wha;Liu, Chunli
Journal of Magnetics
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제19권3호
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pp.227-231
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2014
We fabricated textured polycrystalline $CoFe_2O_4$ thin films on $Pt(111)/TiO_2/SiO_2/Si$ substrate through a sol-gel method. We varied the thickness of the films, by using precursor solutions with different concentrations of 0.1, 0.2, and 0.3 M, and by depositing 5, 8, or 10 layers on the substrate by spin-coating. X-ray diffraction spectra indicated that when the precursor concentration of the solution was higher than 0.1 M, the spin-coated films were preferentially oriented in the <111> direction. Inspection of the surface morphology by scanning electron microscopy revealed that $CoFe_2O_4$ thin films prepared with 0.2 M solution and 5-time spin-coatings had smoother surface, as compared to the other conditions. Each coating had an average thickness of about 50 nm. The magnetic properties measured by vibrating sample magnetometer showed magnetic anisotropy, as evidenced from the difference in the in-plane and out-of-plane hysteresis loops, which we attributed to the textured orientation of the $CoFe_2O_4$ thin films.
Ferroelectric PZT(40/67)/PZT(60/40)heterolayered thin films were Prepared by the alkoxide-based Sol-Gel method. PZT(40/60) and PZT(60/40) stock solutions were made and spin-coated on the P7Ti/Si02/Si substrate alternately. These PZT(40/60) and PZT(60/40) films were dried at 300$^{\circ}C$ for 30min to remove organic materials and were sintered at 650$^{\circ}C$ for 1 hour to crystalize into a perovskite structure. The coating and heating procedure were repeated 6 times to form heterolayered films. Increasing the number of coating, coercive field was decreased. The relative dielectric constant, loss, remanent polarization and coercive field of the 4-coated PZT heterolayered were 1200, 4.1[%], 30.794[${\mu}$C/㎡] and 147.22[kV/cm], respectively.
In this work, we report the effect on the volatole organic compounds(VOCs) sensing properties of Copper phthalocyanine(CoPc) and Dilithium phthalocyanine(DiLiPc) thin films onto alumina substrates. Use evaporation method and the spin-coated method for sensing device. The materials of metallophthalocyanine macrocyclic compound solutions blended with N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-1,1'-biphenyl-4,4"-diamine and/or Poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene] solutions. The influence of the blended in with metallophthalocyanine macrocyclic compounds on the resistance have been measured and analyzed in five different volatole organic compounds. The following results were obtained: The AFM 3D image of thin films deposited on metallophthalocyanine macrocyclic compound shows that the surfaces roughness were about CuPc 4.1~14.3 nm(7.5~8.1%), DiLiPc 10.3~22.2 nm(7.9~11.5%). The resistances decreases upon increasing the concentration of vapor organic compounds to CuPc and DiLiPc thin films. That thin films blended Copper phthalocyanine(CoPc) and Dilithium phthalocyanine(DiLiPc) with N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-1,1'-biphenyl-4,4"-diamine and/or Poly[2-methoxy--5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]. The resistances of blended thin films with N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-1,1'-biphenyl-4,4"-diamine and/or Poly[2-methoxy--5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene] decreases upon increasing the concentration of volatole organic compounds(VOCs) on DiLiPc than CuPc compound thin films.
본 연구에서는 Metallophthalocyanine Macrocyclic Compounds인 Zinc phthalocyanine(ZnPc)를 이용하여 박막 films를 만들어 solvent sensor의 특성에 대한 연구을 수행하였다. 측정에 사용한 유기용제의 종류는 Acetic acid, Ethyl alcohol, Methyl alcohol, Ammonia 및 1,1,1-trichloroethane이였으며, solvent sensing 특성으로는 전기저항 변화를 측정 분석하였다. 또한 Zinc phthalocyanines과 $N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-1,\;1-biphenyl-4,4'-diamine\;and/or\; Poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene-vinylene]$를 blend하여 spin-coating, evaporation박막을 만들어 유기용제 농도에 따라서 전기 저항 변화를 측정 분석하였다.
The influence of the concentration of precursor solution and the number of solution coatings on the densification of the Pb($Zr_xTi_{1-x}$)$O_3$(PZT) thick films was studied. PZT powder and PZT precursor solution were prepared by sol-gel method and PZT thick films were fabricated by the screen-printing method on the alumina substrates. The powder and solution of composition were PZT(70/30) and PZT(30/70), respectively. The coating and drying procedure was repeated 4 times. And then the PZT precursor solution was spin-coated on the PZT thick films. A concentration of a coating solution was 0.5 to 2.0 mol/L[M] and the number of coating was repeated from 0 to 6. The relative dielectric constant of the PZT thick film was increased with increasing the number of solution coatings and the thick films with 15M, 6-time coated showed the 698. The remanent polarization of the 1.5M, 6-time coated PZT thick films was 38.3 ${\mu}C/cm^2$.
In this study, $(Pb_{0.88}La_{0.12})(Zr_{0.40}Ti_{0.60})O_{2.97}$ (La/Zr/Ti=12/40/60) ceramic thin films were fabricated from an alkoxide-based by Sol-Gel method. PLZT stock solutions were made and spin-coated on the ITO-glass rubstrate at 4000[rpm] for 30[sec]. Coated specimens were baked to remove the organic materials at $400[^{\circ}C]$ for 10[min]. This procedure was repeated 5 times. The coated films were finally annealed at $450{\sim}700[^{\circ}C]$ for 1[hr]. The ferroelectric perovskite phases precipitated under the sintering of $550{\sim}700[^{\circ}C]$ for 1[hr]. Relative dielectric constant of the PLZT thin were increased with increasing the sintering temperature, the thin file sintered at $650[^{\circ}C]$ showed the highest value of 196. But in the PLZT thin film sintered at $700[^{\circ}C]$, relative dielectric constant was greatly decreased due to reacts between ITO electrode and glass substrate. In all thin films, the transmittance was more than 70[%] (at 632.8[nm]).
The present study relates to a method of manufacturing 100$\mu\textrm{m}$ thick cover layer for the high density digital versatile disc system (HD-DVD), which uses a high numerical aperture of 0.85 at 405 nm wavelength. Spin coating technique was investigated as means for manufacturing the cover layer within sufficient margins of thickness variation and with good mechanical properties including small radial and tangential tilts. The influence of processing variables such as spinning speed, spinning time, and dispensing position was investigated. The effect of viscosity of UV-curable resin was also investigated.
PZT(80/0) powder was prepared by a sol-gel method and PZT thick films were fabricated by the screen-printing method on the alumina substrates. The coating and drying procedure was repeated 4 times. And then the PZT(20/80) precusor solution was spin-coated on the PZT thick films. A concentration of a coating solution was 0.5mol/L and the number of coating was varied from 0 to 6. The porosity decreased and the grain size increased with increasing the number of coatings. The thickness of the PZT-6(6: number of coatings) films was about $60{\mu}m$. The relative dielectric constant increased and the dielectric loss decreased with increasing the number of PZT(20/80) sol coatings. The relative dielectric constant and dielectric loss of the PZT-6 thick film were 275 and 3.5%, respectively. The remanent polarization, coercive field and breakdown strength of the PZT-6 film were $19.8{\mu}C/cm^2$, 13.7kV/cm and 130kV/cm, respectively.
Poly(methyl methacrylate) (PMMA) is one of the promising representive of polymer gate dielectric for its high resistivity and sutible dielectric constant. PMMA (Mw=96700) films were prepared on p-Si by spin coating method. PMMA were coated compactively and flatly as observes by AFM. MIS(Al/PMMA/p-Si) structure was made and capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) measurements were done with PMMA films for repeated annealing cycles at $100^{\circ}C$. 1-V measured at various delay times $(0{\sim}20sec)$ showed little change and the absence of hysteresis in the I-V characteristics with delay times, which eliminate the possibility of deep traps in the PMMA films. The observed thermal stability, smooth surfaces, dielectric constant, I-V behavior implies PMMA formed by spin coating can be used as an efficient gate dielectric layer in OTFTs.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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