Solid source Si MBE를 이용하여 Si(100) 기판위에 저온에서 성장된 SiGe 박막의 결정 구조 변화에 관한 연구 (Study of the crystal structure of SiGe epilayers grown at low temperature on Si(100) substrate by solid source silicon molecular beam epitaxy)
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- 한국재료학회:학술대회논문집
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- 한국재료학회 1994년도 춘계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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- pp.127-127
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- 1994