• 제목/요약/키워드: soft chelating agent

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근관세정제와 상호작용시 Hydroxyethylidene bisphosphonate (HEBP)의 조직용해능력, 항균효과에 대한 연구 (Interaction of Hydroxyethylidene bisphosphonate (HEBP) with other endodontic irrigants on tissue dissolving capacity and antimicrobial effect)

  • 김난아;김윤건;김미연;송병철;김선호;김정희
    • 구강회복응용과학지
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    • 제33권2호
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    • pp.106-113
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    • 2017
  • 목적: 근관 세정제로서 Hydroxyethylidene bisphosphonate (HEBP)가 다른 근관 세정제인 Sodium hypochlorite (NaOCl), Etylenediaminetetraacetic acid (EDTA) 상호 작용 시 조직용해 능력, 항균효과와 온도에 따른 조직 용해 능력의 변화에 대해 알아보았다. 연구 재료 및 방법: 소의 근육으로 제작된 동일한 단면적($2{\times}2{\times}2mm$)을 가진 80개의 시편을 8개의 그룹(n = 10)으로 임의로 나누었다. 초기 무게 측정 후 각각의 제조된 근관 세정제에 넣어 5분, 10분, 15분 후 무게를 측정하여 무게변화율을 구하였다. 항균 효과 조사를 위해 Enterococcus faecalis를 접종한 agar diffusion test를 시행하였다. 결과: 조직 용해 능력은 NaOCl group (G4, 5)이 가장 뛰어났으며, NaOCl과 HEBP의 혼합물(G7, 8)이 다음으로 나타났다. 또한 가열된($40^{\circ}C$) NaOCl과 NaOCl/HEBP의 혼합물의 경우 실온($25^{\circ}C$)보다 우수한 조직용해 능력이 나타났다. 항균 효과의 경우 EDTA > EDTA + 1% NaOCl > $1%\;NaOCl{\geq}1%\;NaOCl$ + HEBP 순으로 나타났다. 결론: HEBP는 NaOCl 의 항균 효과를 방해하지 않으며, 조직 용해 능력에도 기존의 킬레이팅 제재에 비해 적은 영향을 미친다. 가열된 NaOCl, NaOCl과 HEBP의 혼합재제는 실온과 비교 시에 효율적으로 조직을 용해할 수 있다.

착화제와 유기산이 Wistar rat체내의 Sr 분포에 미치는 영향 (Effect of chelating agent and organic acid on strontium distribution in Wistar rats)

  • 이기호;이제호;박상윤;이승훈;유용운;윤택구
    • Journal of Radiation Protection and Research
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    • 제15권2호
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    • pp.41-49
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    • 1990
  • Wistar rat에 $^{88}SrCl_2$를 꼬리 정맥에 주사하여 체내 기관과 혈액 내 분포, 잔존율을 조사하였고 착화제와 유기산을 투석하여 혈장 단백질에 결합하는 Sr 양의 변화를 측정하였다. 혈액내에서 Sr은 혈장에 60%, 세포에 40% 부착되어 이동하였다. 혈장에 존재하는 Sr 중 약 50%정도는 혈장 단백질과 결합한 상태였고, 세포에는 세포 표면에 가볍게 부착되어 있었다. Erythrocyte나 granulocyte보다 lymphocyte에 많은 양의 Sr이 부착되어 있었다. 투여후 초기 1시간 이내에 혈액 내에서 급격히 감소하여 뼈에 침착되었다. 이때 각 기관에서도 Sr의 잔존율은 24시간 이내에 크게 감소하였고, 뼈로 침착된 Sr은 24시간 이후에 서서히 감소하였다. 착화제 EDTA, EGTA 및 DTPA를 투여한 경우, 혈장 단백질에 결합하는 Sr의 양은 대조군의 57%에서 27-33%로 감소하였으며 citrate 및 oxalate의 투여시는 이 값이 19%와 40%로 각각 감소하였다.

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구리 ECMP에서 전류밀도가 재료제거에 미치는 영향 (Effect of Current Density on Material Removal in Cu ECMP)

  • 박은정;이현섭;정호빈;정해도
    • Tribology and Lubricants
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    • 제31권3호
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    • pp.79-85
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    • 2015
  • RC delay is a critical issue for achieving high performance of ULSI devices. In order to minimize the RC delay time, we uses the CMP process to introduce high-conductivity Cu and low-k materials on the damascene. The low-k materials are generally soft and fragile, resulting in structure collapse during the conventional high-pressure CMP process. One troubleshooting method is electrochemical mechanical polishing (ECMP) which has the advantages of high removal rate, and low polishing pressure, resulting in a well-polished surface because of high removal rate, low polishing pressure, and well-polished surface, due to the electrochemical acceleration of the copper dissolution. This study analyzes an electrochemical state (active, passive, transpassive state) on a potentiodynamic curve using a three-electrode cell consisting of a working electrode (WE), counter electrode (CE), and reference electrode (RE) in a potentiostat to verify an electrochemical removal mechanism. This study also tries to find optimum conditions for ECMP through experimentation. Furthermore, during the low-pressure ECMP process, we investigate the effect of current density on surface roughness and removal rate through anodic oxidation, dissolution, and reaction with a chelating agent. In addition, according to the Faraday’s law, as the current density increases, the amount of oxidized and dissolved copper increases. Finally, we confirm that the surface roughness improves with polishing time, and the current decreases in this process.