Hot wall Epitaxy(HWE)법에 의한 $AgInS_2$ 단결정 박막 성장과 열처리 효과
(The effect of thermal annealing and growth of $AgInS_2$ /GaAs single crystal thin film by hot wal epitaxy)
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- 한국결정성장학회지
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- 제11권6호
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- pp.274-284
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- 2001