We investigated current-voltage (I-V) and capacitance (C)-V characteristics of solution-processed thin film solar cells, consisting of $Cu(In,Ga)S_2$ and $CuInS_2$ stacked absorber layers. The ideality factors, extracted from the temperature-dependent I-V curves, showed that the tunneling-mediated interface recombination was dominant in the cells. Rapid increase of both series- and shunt-resistance at low temperatures would limit the performance of the cells, requiring further optimization. The C-V data revealed that the carrier concentration of the $CuInS_2$ layer was about 10 times larger than that of the $Cu(In,Ga)S_2$ layer. All these results could help us to find strategies to improve the efficiency of the solution-processed thin film solar cells.
We fabricated a resistive superconducting fault current limiter of two stripe meander type based on a YBCO film, and performed current limitation experiments. In order to disperse the heat generated at hot spots in the YBCO film the film was coated with a gold shunt layer. At $0^{\circ}$ fault angle the minimum quench current was $9.6 A_{peak}$(meander line cross section: $5{\times}10^{-6}cm^2$) and the fast quench time was 0.63 msec. The resistance of the limiter continued to increase for three cycles due to heat generation in the gold layer and was stabilized afterwards. At $45^{\circ}$ and $90^{\circ}$ the fast quench time were 0.56 msec and 0.26 msec, respectively. The quench time is believed to be reduced because faults occurred when the current was increasing or was at the peak value. With the limiter we could effectively limit the fault current about 1/5 times right after the fault and about 1/8.5 times three cycles after.
We have performed the current and voltage loading tests of resistive superconducting fault current limiters (SFCLS) based on $YBa_2$$Cu_3$$O_{7}$(YBCO) films with the diameter of 2 inch. The SFCL consists of meander-type YBCO stripes covered with 200 nm Au layer grown in situ for current shunt and heat dispersion at hot spots. The minimum quench current of an SFCL unit was about 25 Apeak. Seven SFCL units were connected in parallel fur the current load ing tests at power source of 100 $V_{rms}$$/2,000A_{rms}$. This SFCL units had maximum limiting current of 170 Apeak during the fault instant and then successfully controlled the fault current below 100 Apeak within 1~2 msec after short circuit. Increased short current also reduced the quench completion time with little change of current limiting characterization. We connected six SFCL units in series fur the voltage loading tests at power source of $1,200 V_{rms}$/170 $A_{rms}$ at this time. The shunt resistors were inserted into each SFCL unit to eliminate power imbalance originated from serial connection of SFCL units. Each SFCL unit was quenched simultaneously during the fault condition. The current increased up to 40 $A_{peak}$ and decreased to 14 $A_{peak}$ after 3 cycles. Quench was completed within 1 msec after the fault. We confirmed operating characteristics of 140 kVA($120 A_{rms}$$\times$ 1,200 $V_{rms}$) SFCL and presented the manufacturing possibility of 3.3 kV SFCL using 4 inch YBCO films.BCO films.lms.
We propose a neuron model that has the interactions between excitation and inhibition. By adopting the knowledge of the physiology, the neuron model by imitating structure of a neuron, has the system resemble a neuron. We considered a neuron system based on the arguments, and wished to examine whether the system had reasonable function Koch, Poggio and Torre believed that inhibition signal would shunt excitation signal on the dendrites. They believed that excitation signal operated input signals and inhibition did as delayed ones. Thus, they were sure that function for directional selectivity was arisen by the shunting. We construct the neuron system with Koch's concept. Our neuron model has 3-layer structure and ...
We fabricated a resistive superconducting fault current limiter (SFCL) of meander type based on a YBCO film. In order to disperse the heat generated at hot spots in the YBCO film the film was coated with a gold shunt layer. When diodes were inserted in the parallel circuit to restrict the temperature increase in the SFCL element by reducing power supply cycles, the voltage could be increased to $\sqrt{2}$ times with the same quench resistance at a half and full cycles.
We fabricated a resistive superconducting fault current limiter of meander type based on a YBCO film. In order to disperse the heat generated at hot spots in the YBCO film the film was coated with a gold shunt layer. When diodes were inserted in the parallel circuit to restrict the temperature increase in the SFCL element by reducing power supply cycles, the voltage could be increased to $\sqrt{2}$ times with the same quench resistance at a half and full cycles.
We present the basic properties of a superconductive fuse (SF) based on YBCO/Au films. The SF consists of YBCO stripes covered with Au layers for current shunt. The fault current was limited to a designed value in less than 0.4 msec by resistance development in YBCO/Au upon quenching. This enabled the SF to transfer small fault power and the suppressed current was sustained for more than 0.5 msec while Au layer melting and arcing. The arcing time was less than 2.5 msec, that is short enough to do self-interruption. Under the source voltage of 100 $V_{rms}$, the longer the duration time of fault current was, the shorter its discharge time was. The duration time of fault current and its discharge time were reduced by increased voltages in the range of 200 - 300 $V_{rms}$. We thought that this was because the quench propagation was limited by local melting generated with higher voltage.age.
본 논문에서는 LTCC 다층회로 기술을 이용하여 GSM과 CDMA 대역을 분리 하는 diplexer를 설계 및 제작하여 그 특성을 측정하였다. Diplexer의 집적도를 높이가 위해 3차원 적층형 인덕터와 커패시터를 이용하여 유전율 7이고, 총 6층의 LTCC 기판에 설계되었다. 저역통과 필터에 인덕터와 고역통과 필터에 커패시터를 각각 병렬로 결합하여 두 대역의 주파수 대역의 선택성을 높였다. LTCC표준 공정으로 제작되어진 다이플렉서의 크기는CPW pad를 포함하여 3,450 ${\times}$4,000 ${\times}$694 ${\mu}$m3이다. GSM 대역에서 -1.35 dB 이하의 삽입 손실과 -5.66 dB 이상의 반사 손실, 그리고 CDMA 대역에서는 -1.54 dB 이하의 삽입 손실과 -9.30 dB 이상의 반사 손실의 특성을 나타내었다.
Organic photovoltaic (OPV)cells have attracted considerable attention due to their potential for flexible, lightweight, and low-cost application of solar energy conversion. Since a 1% power conversion efficiency (PCE) OPV based on a single donor-acceptor heterojunction was reported by Tang, the PCE has steadily improved around 5%. It is well known that a high parallel (shunt)resistance and a low series resistance are required simultaneously to achieve ideal photovoltaic devices. The device should be free of leakage current through the device to maximize the parallel resistance. The series resistance is attributed to the ohmic loss in the whole device, which includes the bulk resistance and the contact resistance. The bulk resistance originated from the bulk resistance of the organic layer and the electrodes; the contact resistance comes from the interface between the electrodes and the active layer. Furthermore, it has been reported that the bulk resistance of the indium tin oxide (ITO) of the devices dominates the series resistance of OPVs for a large area more than $0.01\;cm^2$. Therefore, in practical application, the large area of ITO may significantly reduce the device performance. In this work, we investigated the effect of sheet resistance ($R_{sh}$) of deposited ITO on the performance of OPVs. It was found that the device performance of polythiophene-fullerene (P3HT:PCBM) bulk heterojunction OPVs was critically dependent on Rsh of the ITO electrode. With decreasing $R_{sh}$ of the ITO from 39 to $8.5\;{\Omega}/{\square}$, the fill factor (FF) of OPVs was dramatically improved from 0.407 to 0.580, resulting in improvement of PCE from $1.63{\pm}0.2$ to $2.5{\pm}0.1%$ underan AM1.5 simulated solar intensity of $100\;mW/cm^2$.
본 연구에서는 LTCC(Low Temperature Co-firing Ceramic) 기술을 기반으로 한 적층 공정을 이용하여 최근 시장 수요가 증가하고 있는 2.4 GHz ISM(Industrial Science and Medical) 대역의 대역통과 필터를 제작하였다. 또한 제안된 설계방식은 사이즈의 초소형 필터의 구현이 가능케 하였다. $lambda/4$ 공진기의 한쪽에 부하 캐패시터를 적절히 형성시켜 공진기의 길이를 짧게 하는 효과와 더불어 공진기의 Q값과 저지대역 감쇄특성을 향상시킬 수 있었다. 제안된 필터는 결합 스트립 공진기의 커플링 계수와 외부단자 Q(Qe)값을 요구 사양에 맞게 최적화하여 이를 3차원 구조로 설계하였다. 제작된 대역통과 필터는 시뮬레이션을 통한 설계 값과 잘 일치하는 경향성을 보여주었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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