• 제목/요약/키워드: semiconductor laser

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고출력 Nd:YAG UV레이저를 이용한 polyimide층과 Cu-metal층의 가공상태에 대한 실험적 고찰 (Experimental Investigation for Ablation Characteristics of Polyimide Layer and Cu-metal Layer using High Power Nd:YAG UV Laser)

  • 최경진;이용현
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제8권4호
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    • pp.31-36
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    • 2009
  • In this paper, the laser cutting characteristics of the flexible PCB using high power Nd:YAG UV laser were investigated. A specific FPCB model was selected for the experiment. Test sheets were made, which had equal materials and layer structure to those of the outline (OL) region and the contact pad (CP) region in the FPCB. The experiment is made up of two stages. In the first stage of the experiment, the laser cutting fluence was found, which is the threshold fluence to cut the test sheets completely. The laser cutting fluence of the OL sheet is $1781.26{\sim}1970.16\;J/cm^2$ and that of the CP sheet is $2109.34{\sim}2134.34\;J/cm^2$. In the second stage, cutting performance and its qualities were analyzed by the experiment. The laser cutting performance remained almost unchanged for all laser and process parameter sets. The average cutting width (top side/bottom side) of the OL sheet was $40.45\;{\mu}m/11.52\;{\mu}m$ and that of the CP sheet was $22.14\;{\mu}m/10.93\;{\mu}m$. However, the laser cutting qualities were different according to the parameters. The adjacent region of the cutting line on the OL sheet was carbonized as the beam speed was low and the overlap coefficient was high. The surface quality around the cutting line of the CP sheet was about the same. Carbonization and debris occurred on the surface of the cutting line. As a result of the experiment, the cutting qualities were better as the overlap coefficient was made low and beam speed high. Therefore, the overlap coefficient 2 or 3 is proper for the FPCB laser cutting.

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반도체 포화 흡수체 반사경에 의해 모드 잠금된 Yb:YAG 레이저 출력의 공진기 모드 크기에 대한 의존성 연구 (Dependence of CW Mode Locking on Resonator Mode Size in a Yb:YAG Laser Mode-Locked by a Semiconductor Saturable Absorber Mirror)

  • 김현철;임한범;채동원;김현수
    • 한국광학회지
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    • 제26권6호
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    • pp.312-317
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    • 2015
  • 레이저 공진기 모드 크기가 반도체 포화 흡수체 거울(SESAM)을 이용하여 모드 잠금된 Yb:YAG 레이저의 출력에 주는 영향을 조사하였다. SESAM과 Yb:YAG 매질 위치에서 공진 모드들 크기를 곱한 값이 작을수록 모드 잠금이 안정적으로 발생함을 실험적으로 보였다. 수치적으로 레이저 매질의 열 렌즈 효과와 무관하게 모드 잠금이 이루어지는 공진기 길이 조건이 있음을 확인하였다.

편광기와 1/4 파장판으로 구성된 출력경과 반도체 포화 흡수체에 의해 Q-스위칭된 Yb:YAG 레이저 출력 특성 연구 (Output Characteristics of a Yb:YAG Laser Q-Switched by a Semiconductor Saturable Absorber and an Output Coupler Composed of a Polarizer and a Quarter-Wave Plate)

  • 안철용;김현철;임한범;김현수
    • 한국광학회지
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    • 제25권2호
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    • pp.90-94
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    • 2014
  • 편광기와 1/4 파장판을 이용한 레이저 출력경을 적용한 반도체 포화 흡수체에 의해 Q-스위칭된 Yb:YAG 레이저를 제안하고 그 출력 특성을 조사하였다. 설치된 1/4 파장판의 회전각을 변화시킴으로써 레이저 출력을 가변시킬 수 있음을 보였다.

p형 GaP 반도체 계면의 광효과 (Photoeffects at p-GaP Semiconductor Interfaces)

  • Chun, Jang-Ho
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제26권10호
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    • pp.1528-1534
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    • 1989
  • Photoeffects at the p-GaP semiconductor/CsNO3 electrolyte interface were investigated in terms of their current-voltage characteristics. The photoeffects at the semiconductor-electrolyte interfaces and their photocurrent variations are verified using Ar ion laser and continuous cyclic voltammetric methods. The mechanism of charge transfer at the photogeneration in the depletion layer rather than the photodecomposition of the p-GaP semiconductor electrode surface and/or the water photoelectrolysis. The adsorption of Cs+ ions at the interface is physical adsorption.

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광 주입-잠금된 반도체 레이저의 모드 분석 (Spectral Mode Analysis of an Injection-Locked Semiconductor Laser)

  • 배인호;문한섭;김지나
    • 한국광학회지
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    • 제18권5호
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    • pp.317-322
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    • 2007
  • 외부 공진기형 반도체 레이저를 주레이저로 하여 종레이저로 사용한 상용 반도체 레이저에 광 주입-잠금을 수행하고, 주입-잠금된 종레이저의 모드 특성을 조사하였다. 루비듐 원자의 D1 전이선에서 포화흡수분광 스펙트럼과 주입-잠금된 종레이저의 모드를 측정하였다. 주입-잠금 대역폭 내에 있는 종레이저가 주레이저의 주파수와 선폭이 동기되는 것을 확인하였고, 주입되는 광의 세기에 따른 주입-잠금 대역폭을 측정하였다. 특히, 주입되는 광의 세기, 그리고 주레이저와 종레이저의 주파수 차이에 따른 주입-잠금 과정에 종레이저의 모드 변화를 공초점 패브리-페로 간섭계를 이용하여 측정했다. 불완전 주입-잠금 상태에서는 종레이저의 모드가 두 개 이상의 다중 모드로 발진하는 것을 확인할 수 있었다.

초음파를 이용한 물체 부상 이송시스템의 진동 특성 해석 (An Analysis of Vibration Characteristics in Ultrasonic Object Levitation Transport System)

  • 정상화;김현욱;최석봉;김광호;박준호
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2005년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.415-418
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    • 2005
  • In the semiconductor and optical industry, a new transport system which can replace the conventional transport systems is required. The transport systems are driven by the magnetic field and conveyer belts. The magnetic field may damage semiconductor and the contact force may scratch the optical lens. The ultrasonic wave driven system can solve these problems. In this semiconductor and optical industry, the non-contact system is required fur reducing the damages. The ultrasonic transportation is the solution of the problem. In this paper, the ultrasonic levitation system fur levitating object are proposed. The 3D vibration profiles of the beam are measured by Laser scanning Vibrometer fur verifying the vibration characteristics of the system and the amplitudes of the beam and the levitation heights of object are measured for evaluating the performance.

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초음파 물체부상 이송시스템의 Flexural Beam 설계 (Flexural Beam Design of Ultrasonic Object Levitation Slide System)

  • 정상화;김현욱;최석봉;김광호;박준호
    • 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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    • 한국소음진동공학회 2005년도 추계학술대회논문집
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    • pp.959-962
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    • 2005
  • In the semiconductor and optical industry. a new transport system which can replace the conventional transport system is required. The Transport systems are driven by the magnetic field and conveyer belts. The magnetic field may damage semiconductor and the contact force may scratch the optical lens. The ultrasonic wave driven system can solve these problems. In this semiconductor and optical industry, the non-contact system is required for reducing the damages. The ultrasonic transportation is the solution of the problem. In this paper, the ultrasonic levitation system for levitation object are proposed. The 3D vibration profiles of the beam are measured by Laser Scanning Vibrometer for verifying the vibration characteristics of the system and the amplitudes of the beam and the levitation heights of object are measured fore evaluating the performance.

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TiO2와 SiO2 박막 쌍을 이용한 광모드 변환기가 집적된 반도체 레이저 단면의 무반사 코팅 (Anti-reflection coating on the facet of a spot size converter integrated laser diode using a pair of TiO2 and SiO2 thin films)

  • 송현우;김성복;심재식;김제하;오대곤;남은수
    • 한국광학회지
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    • 제13권5호
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    • pp.396-399
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    • 2002
  • 전자선 증착기를 이용하여 1.3$\mu\textrm{m}$ 광모드 변환기가 집적된 반도체 레이저 출력 단면에 $SiO_2$$TiO_2$ 두 개의 박막 층으로 무반사 증착 하였다. 증착 단면의 최소 단면 반사율 $~ 10^{-5}$을 얻었고, $~ 10^{-4}$이하 단면 반사율 밴드 폭은 약 27nm임을 측정하였다. 이러한 코팅은 외부 공진기 레이저 광원 및 반도체 광 증폭기 등에 응용 가능하다.