The goal of this study was to estimate the possible scattering distance of deicer from the highway and the impact range of deicer on soil quality in terms of plant growth. Among the major elements (Ca2+, Cl- and Na+) of deicer, Ca2+and Cl- are usually applied as fertilizer to soil. Therefore both elements (Ca2+and Cl-) were not appropriate for a tracer of deicer at the agricultural area. In this study, SAR (sodium adsorption ratio) of soil was proposed as an alternative tracer to confirm the distribution of the deicer around the highway areas. Because deicer is the main anthropogenic source of Na+ around the highway areas and does harm to the physical properties of soil and plant growth through the destruction of soil aggregate, SAR would be an recommendable tracer to access the distribution of deicer as well as adverse effect on soil quality at highway areas. The influence range of deicer based on SAR of soil was estimated to be less than 20 m distance from the highway even though the possible flying distance of deicer was found to be more than 100 m from the highway. However the deicer seriously deposited within 10 m from the highway.
Background: The hemi-body electron beam irradiation (HBIe-) technique has been proposed for the treatment of mycosis fungoides. It spares healthy skin using an electron shield. However, shielding electrons is complicated owing to electron scattering effects. In this study, we developed a thimble-like head bolus shield that surrounds the patient's entire head to prevent irradiation of the head during HBIe-. Materials and Methods: The feasibility of a thimble-like head bolus shield was evaluated using a simplified Geant4 Monte Carlo (MC) simulation. Subsequently, the head bolus was manufactured using a three-dimensional (3D) printed mold and Ecoflex 00-30 silicone. The fabricated head bolus was experimentally validated by measuring the dose to the Rando phantom using a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) detector with clinical configuration of HBIe-. Results and Discussion: The thimble-like head bolus reduced the electron fluence by 2% compared with that without a shield in the MC simulations. In addition, an improvement in fluence degradation outside the head shield was observed. In the experimental validation using the inhouse-developed bolus shield, this head bolus reduced the electron dose to approximately 2.5% of the prescribed dose. Conclusion: A thimble-like head bolus shield for the HBIe- technique was developed and validated in this study. This bolus effectively spares healthy skin without underdosage in the region of the target skin in HBIe-.
High-temperature and high-pressure post-processing applied to sintered thermoelectric materials can create nanoscale defects, thereby enhancing their thermoelectric performance. Here, we investigate the effect of hot isostatic pressing (HIP) as a post-processing treatment on the thermoelectric properties of p-type Bi0.5Sb1.5Te3.0 compounds sintered via spark plasma sintering. The sample post-processed via HIP maintains its electronic transport properties despite the reduced microstructural texturing. Moreover, lattice thermal conductivity is significantly reduced owing to activated phonon scattering, which can be attributed to the nanoscale defects created during HIP, resulting in an ~18% increase in peak zT value, which reaches ~1.43 at 100℃. This study validates that HIP enhances the thermoelectric performance by controlling the thermal transport without having any detrimental effects on the electronic transport properties of thermoelectric materials.
In this study, silver nanoparticles were synthesized by reducing silver nitrate with PVA, and the solution prepared by adding carboxymethyl cellulose (CMC) to the silver nanoparticles was coated on a PET substrate to prepare a coating film with antibacterial and antifogging function. When the coating films were in contact with water vapor at 80 ℃, the uncoated PET substrate was blurred due to the scattering of light due to the occurrence of fog, while the coating film coated with silver nanosol with CMC remained transparent despite contact with water vapor, showing excellent antifogging function. In addition, the antibacterial properties of the coating films were measured by film adhesion method for Staphylococcus aureus, gram-positive bacteria, and Escherichia coli, gram-negative bacteria. The uncoated PET substrate showed a large number of colonies of Staphylococcus aureus and Escherichia coli, while the coating film coated with the silver nanosol greatly inhibited the growth of Staphylococcus aureus and Escherichia coli, resulting in excellent antibacterial effect.
Purpose: Proton therapy has different relative biological effectiveness (RBE) compared with X-ray treatment, which is the standard in radiation therapy, and the fixed RBE value of 1.1 is widely used. However, RBE depends on a charged particle's linear energy transfer (LET); therefore, measuring LET is important. We have developed a LET measurement method using the inefficiency characteristic of an EBT3 film on a proton beam's Bragg peak (BP) region. Methods: A Gafchromic EBT3 film was used to measure the proton beam LET. It measured the dose at a 10-cm pristine BP proton beam in water to determine the quenching factor of the EBT3 film as a reference beam condition. Monte Carlo (MC) calculations of dose-averaged LET (LETd) were used to determine the quenching factor and validation. The dose-averaged LETs at the 12-, 16-, and 20-cm pristine BP proton beam in water were calculated with the quenching factor. Results: Using the passive scattering proton beam nozzle of the National Cancer Center in Korea, the LETd was measured for each beam range. The quenching factor was determined to be 26.15 with 0.3% uncertainty under the reference beam condition. The dose-averaged LETs were measured for each test beam condition. Conclusions: We developed a method for measuring the proton beam LET using an EBT3 film. This study showed that the magnitude of the quenching effect can be estimated using only one beam range, and the quenching factor determined under the reference condition can be applied to any therapeutic proton beam range.
P. Sharief;B. Madavali;Y. Sohn;J.H. Han;G. Song;S.H. Song;S.J. Hong
Archives of Metallurgy and Materials
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v.66
no.3
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pp.803-808
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2021
The influence of nano dispersion on the thermoelectric properties of Bi2Te3 was actively investigating to wide-spread thermoelectric applications. Herein this report, we have systematically controlled the microstructure of Bi0.5Sb1.5Te3 (BST) alloys through the incorporation of carbon nanofiber (CNF), and studied their effect on thermoelectric properties, and mechanical properties. The BST/x-CNF (x-0, 0.05, 0.1, 0.2 wt.%) composites powder was fabricated using high energy ball milling, and subsequently consolidated the powder using spark plasma sintering. The identification of CNF in bulk composites was analyzed in Raman spectroscopy and corresponding CNF peaks were recognized. The BST matrix grain size was greatly reduced with CNF dispersion and consistently decreased along CNF percentage. The electrical conductivity was reduced and Seebeck coefficient varied in small-scale by embedding CNF. The thermal conductivity was progressively diminished, obtained lattice thermal conductivity was lowest compared to bare sample due to induced phonon scattering at interfaces of secondary phases as well as highly dense fine grain boundaries. The peak ZT of 0.95 achieved for 0.1 wt.% dispersed BST/CNF composites. The Vickers hardness value of 101.8 Hv was obtained for the BST/CNF composites.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.11a
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pp.55-55
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2009
Silicon Carbide (SiC) is a material with a wide bandgap (3.26eV), a high critical electric field (~2.3MV/cm), a and a high bulk electron mobility (${\sim}900cm^2/Vs$). These electronic properties allow high breakdown voltage, high frequency, and high temperature operation compared to Silicon devices. Although various SiC DMOSFET structures have been reported so far for optimizing performances. the effect of channel dimension on the switching performance of SiC DMOSFETs has not been extensively examined. In this paper, we report the effect of the interface states ($Q_s$) on the transient characteristics of SiC DMOSFETs. The key design parameters for SiC DMOSFETs have been optimized and a physics-based two-dimensional (2-D) mixed device and circuit simulator by Silvaco Inc. has been used to understand the relationship with the switching characteristics. To investigate transient characteristic of the device, mixed-mode simulation has been performed, where the solution of the basic transport equations for the 2-D device structures is directly embedded into the solution procedure for the circuit equations. The result is a low-loss transient characteristic at low $Q_s$. Based on the simulation results, the DMOSFETs exhibit the turn-on time of 10ns at short channel and 9ns at without the interface charges. By reducing $SiO_2/SiC$ interface charge, power losses and switching time also decreases, primarily due to the lowered channel mobilities. As high density interface states can result in increased carrier trapping, or recombination centers or scattering sites. Therefore, the quality of $SiO_2/SiC$ interfaces is important for both static and transient properties of SiC MOSFET devices.
Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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v.24
no.5
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pp.499-507
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2004
We have studied tile detection techniques, which can determine the location and the weight of an intruder into infrastructure, by using fiber-optic ROTDR (Rayleigh optical time domain reflectometry) sensor and fiber-optic BOTDA (Brillouin Optical time domain analysis) sensor, which can use an optical fiber longer than that of ROTDR sensor Fiber-optic sensing plates of ROTDR sensor, which arc buried in sand, were prepared to respond the intruder effects. The signal of ROTDR was analyzed to confirm the detection performance. The constructed ROTDR could be used up to 10km at the pulse width of 30ns. The location error was less than 2 m and the weight could be detected as 4 grades, such as 20kgf, 40kgf, 60kgf and 80kgf. Also, fiber optic BOTDA sensor was developed to be able to detect intrusion effect through an optical fiber of tells of kilometers longer than ROTDR sensor. fiber-optic BOTDA sensor was constructed with 1 laser diode and 2 electro-optic modulators. The intrusion detection experiment was peformed by the strain inducing set-up installed on an optical table to simulate all intrusion effect. In the result of this experiment, the intrusion effort was well detected as the distance resolution of 3m through the fiber length of about 4.81km during 1.5 seconds.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.642-642
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2013
Graphene, two dimensional single layer of carbon atoms, has tremendous attention due to its superior property such as high electron mobility, high thermal conductivity and optical transparency. Especially, chemical vapor deposition (CVD) grown graphene has been used as a promising material for high quality and large-scale graphene film. Unfortunately, although CVD-grown graphene has strong advantages, application of the CVD-grown graphene is limited due to ineffective transfer process that delivers the graphene onto a desired substrate by using polymer support layer such as PMMA(polymethyl methacrylate). The transferred CVD-grown graphene has serious drawback due to remaining polymeric residues generated during transfer process, which induces the poor physical and electrical characteristics by a p-doping effect and impurity scattering. To solve such issue incurred during polymer transfer process of CVD-grown graphene, various approaches including thermal annealing, chemical cleaning, mechanical cleaning have been tried but were not successful in getting rid of polymeric residues. On the other hand, lithographical patterning of graphene is an essential step in any form of microelectronic processing and most of conventional lithographic techniques employ photoresist for the definition of graphene patterns on substrates. But, application of photoresist is undesirable because of the presence of residual polymers that contaminate the graphene surface consistent with the effects generated during transfer process. Therefore, in order to fully utilize the excellent properties of CVD-grown graphene, new approach of transfer and patterning techniques which can avoid polymeric residue problem needs to be developed. In this work, we carried out transfer and patterning process simultaneously with no polymeric residue by using a metal etch mask. The patterned thin gold layer was deposited on CVD-grown graphene instead of photoresists in order to make much cleaner and smoother surface and then transferred onto a desired substrate with PMMA, which does not directly contact with graphene surface. We compare the surface properties and patterning morphology of graphene by scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy(AFM) and Raman spectroscopy. Comparison with the effect of residual polymer and metal on performance of graphene FET will be discussed.
Kim, Won Jong;Kang, Kuk Hyoun;Lee, Gi Yong;Kim, Tae Won;Choi, Jong Wan;Lee, Dong Kyu
Journal of the Society of Cosmetic Scientists of Korea
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v.40
no.2
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pp.121-131
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2014
Due to the high UV light scattering effect of Zinc oxide (ZnO), it is frequently used in sunscreen skincare products. Recently ZnO coated with silica has been used in cosmetics to improve UV protection, texture, decreased photocatalytic activity, dispersibility and stability of the skin care product. In this study, we developed a ZnO composite powder coated with silica for the future application to skincare products to block UV rays that could cause photoaging. To improve consumer's satisfaction rating, we used ZnO microparticles which are widely used in the cosmetics industry. The silica was coated using hydrothermal method with sodium silicate and acid hydrolysis. UV protection of the composite powder was analyzed by UV-Vis and in-vitro test and the advantages for practical use of this powder as a skincare product were determined.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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