• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.42-42
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• 2011

본 연구에서는 광학소자에 폭넓게 이용되는 AlGaP III-V족 화합물 반도체 중에서 한쪽 끝 이 종화합물인 AlP의 유전함수를 0.75~5.05 eV의 에너지 영역에서 타원편광분석법을 이용하여 분석하였다. AlP는 산소와 급격히 반응하기 때문에, 대기 중에서 물질 고유의 광특성이 유지되기 어려울 뿐만 아니라, 박막 위에 생성되는 산화막 때문에 순수한 AlP의 유전함수 측정이 불가능 하다. 본 연구에서는 물질의 유전함수에 미치는 산화 효과를 최소화하기 위하여 Molecular Beam Epitaxy로 성장한 $1.0{\mu}m$ 두께의 AlP 박막을 초고진공 상태의 chamber 안에서 타원편광분석기를 이용하여 실시간으로 측정하였다. 박막의 투명도에 의해 나타나는 간섭 pattern과 표면거칠기 효과로 인한 유전함수의 왜곡을 보정하기 위하여 변수화 모델이 이용되었으며 다층 변수화모델 계산을 통하여 순수한 AlP의 유전함수를 얻어낼 수 있었다. 본 연구에서 측정된 순수한 AlP의 유전함수는 타원편광분석기를 이용한 최초의 실험결과로서 이차미분을 이용한 전이점 (Critical Point) 분석결과 이론적인 electronic band structure에서 $E_1$, $E_1+_{{\Delta}_1}$, $E_2$에 해당하는 전이점들을 확인할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.68-72
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• 2008

AlGaInP high-brightness LEDs(HB-LEDs) have gained importance a variety of application operating in the red, orange, yellow and yellow-green wavelength. The light generated from inside LED chips should be emitted to the air through the surfaces of the chips. However, because of the differences between the semiconductor and air or epoxy's refractive index, some of the light was blocked so that caused lowering external quantum efficiency. In this study, nano-scale roughness on the top-GaP layer of AlGaInP epitaxial wafer was fabricated to improve' the brightness of AlGaInP LEDs. Nano-scale roughness was made by ICP dry etcher. Our AlGaInP LEDs with nano-scale roughness has higher brightness (about 28.5 %) than standard AlGaInP LEDs.

• 한국광물학회지
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• 제17권2호
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• pp.157-168
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• 2004

수용액 내 캐올리나이트와 할로이사이트의 표면화학 특성을 전위차 적정 실험과 FITEQL3.2 프로그램을 이용하여 연구하였다. 표면복합반응 모델 중 일정용량 모델을 적용하였으며, 표면을 사면체 자리와 팔면체 자리로 나누어 설정한 2 sites - 3 $pK_{a/s}$ 모델은 캐올리나이트와 할로이사이트의 표면화학 특성을 설명하는데 적합하였다. 두 점토광물 표면은 pH 4 이상에서 음전하를 띄며 pH가 높아질수록 양성자 표면 전하 밀도는 낮아진다. 산성 및 중성 영역에선 Si 사리(≡$SiO^{-}$ )가, 염기성 영역에선 Al 자리(≡$AlO^{-}$)가 양이온을 흡착하는데 중요한 역할을 할 것으로 예상된다. 모델링 결과 캐올리나이트의 경우 $pK_{a2(si)}$ /$^{int}$, p $K_{al(Al) }$ /$^{int}$ /, $pK_{a2}$ $(Al)^{int}$ /는 각각 4.436. 4.564, 및 8.461이며, 할로이사이트의 경우는 각각 7.852, 3.885, 7.084이다. 캐올리나이트의 총 Si 표면자리 농도와 총 Al 표면자리 농도는 0.215와 0.148 mM이며, 할로이사이트의 경우는 0.357과 0.246 mM이다 두 광물 모두 Si 표면자리 밀도 : Al 표면자리 밀도가 1 : 0.69로 비슷하다. 캐올리나이트의 총 표면자리 밀도는 3.774 sites/$nm^2$로 할로이사이트의 2.292 sites/n $m^2$ 값보다 약 1.6배정도 높다.다.

• 대한화학회지
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• 제6권1호
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• pp.29-31
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• 1962

電壓條件 永動時間 및 支持電解質溶液의 pH가 Al ion의 paper electrophoresis에 미치는 影響을 closed horizontal type의 泳動裝置를 써서 Michaelis buffer soln.으로 飽和시킨 paper strip에서 實驗的으로 檢討하였다. 그 結果 Al ion에 가장 適合한 pH, 電壓 및 泳動時間을 決定하였으며 pH=2.38에서 Al ion의 mobility는 $(1.004{\pm}0.0020){\times}10^{-4}\;cm^2\;sec^{-1}\;volt^{-1},\;Al(NO_3)_3\;soln.$의 isoelectric point는 pH=3.23 임을 알았다.

• 한국진공학회지
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• 제15권3호
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• pp.294-300
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• 2006

금속유기화학증착기 (metal-organic chemical vapor deposition)를 이용하여 분포귀환형 (distributed feed back) InP/InGaAs/InP 회절격자 구조를 제작하고 원자력간현미경 (atomic force microscopy)과 주사전자현미경 (scanning electron microscopy) 실험을 통해 표면 및 단면을 분석하였다. 그 위에 분자선증착기(molecular beam epitaxy)법을 이용하여 자발형성 (self-assembled) InAs/InAlGaAs 양자점 (quantum dot)을 성장하고, 광학적 특성을 온도변화 광여기 발광 (photoluminescence)으로 회절격자 구조 없이 성장한 양자점 시료와 비교 분석하였다. 회절격자의 간격 대비 폭의 비가 약 30%인 InP/InGaAs/InP 회절격자가 제작되었으며, 그 위에 성장된 양자점의 경우 상온 파장이 1605 nm에서 PL이 관찰되었다. 이는 회절격자 없이 같은 조건에서 성장된 시료의 상온 파장인 1587 nm 보다 장파장에서 발광하였으며, 회절격자의 영향으로 양자점 크기가 변하였음을 조사하였다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제13권2호
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• pp.193-204
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• 1984

Zymolyase 조효소로부터 분리, 정제되었고, 효모세포벽 용해 촉진물질로 밝혀진 바 있는 Arthrobacter luteus로부터 유래한 염기성 protease(AL-protease)의 효소학적 성질 및 활성 아미노산 잔기를 검색한 결과는 다음과 같다. 1. AL-pretense는 저해제 DFP 및 PMSF에 의해서 그 Protease 활성 및 용해 촉진활성이 동시에 완전히 소멸 되었으며, 그 저해 반응속도는 chymotrypsin에 대한 것에 비하여 대단히 완만하였다. 1.반응에서 AL-protease와 DFP의 결합 mole비는 1:1로 추정 되었다. 2. 정제된 AL-protease의 동결건조품 중에는 종래효모세포벽 용해반응에 관여하는 것으로 알려진 yeast phosphomannase를 비롯한 다당류 가수분해효소들의 활성은 그 어느 것도 인정되지 않았다. 3. AL-protease의 casein에 대한 최적 pH 및 최적 온도는 pH 10.5와 $65^{\circ}C$이었고, 그 활성은 pH 5${\sim}$11 사이와 $65^{\circ}C$이하에서 안정하였다. 또한, AL-Protease의 활성에 미치는 여러가지 금속이온의 영향은 인정되지 않았다. 4. [$^{32}P$]-DFP에 의하여 화학수식된 [$^{32}P$]-DIP-AL-protease에 대한 활성부위의 아미노산 잔기를 검색, 동정하기 위하여 조제용 PAG-전기영동, SDS-PAG-전기영동, Dowex 이온교환 크로마토그래피 및 고압 여지 전기영동을 실시하였고, 그 결과, AL-protease는 활성 부위에 1분자당 1 mole의 serine 잔기를 가지는 염기성 protease로 밝혀졌다.

• 한국환경농학회지
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• 제30권3호
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• pp.229-233
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• 2011

BACKGROUND: Soil acidification, which is known to be one of the reasons of forest decline, is associated with decreases in exchangeable Ca and increases in Al concentration, leading to low Ca/Al ratio in soil solution. As tree rings are datable archives of environmental changes, Ca/Al ratios of annual growth ring may show decreasing pattern in accordance with the progress of soil acidification. This study was conducted to investigate Ca/Al pattern of Pinus densiflora tree ring in an attempt to test its usefulness as an indicator of historical soil acidification. METHODS AND RESULTS: Three P. densiflora tree disks were collected from P. densiflora forests in Jeonnam province, and soil samples (0-10, 10-20, and 20-30 cm in depth) were also collected from the tree locations. Soils were analyzed for pH and exchangeable Ca and Al concentrations, and Ca/Al was calculated. Annual growth rings formed between 1969 and 2007 were separated and analyzed for Ca/Al. Soil Ca/Al was positively (P<0.01) correlated with soil pH, suggesting that soil acidification decreased Ca while increasing Al availability, lowering Ca/Al in soil solution. The Ca/Al of tree rings also showed a decreasing pattern from 18.2 to 5.5 during the period, and this seemed to reflect historical acidification of the soils. CONCLUSION(s): The relationship between soil pH and Ca/Al and the decreasing pattern of Ca/Al of tree ring suggest that Ca/Al of tree ring needs to be considered as a proxy of the progress of soil acidification in P. densiflora forest in southern Korea.

• 생약학회지
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• 제25권4호통권99호
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• pp.368-381
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• 1994

This study was attempted to investigate the effect of Gardeniae Fructus on GOT, GPT, Al.p, LDH activities and level of total cholesterol in serum of $CCl_{4}$ and $_{D}-galactosamine$ intoxicated rats, and bile excretion. The geniposide and extract caused a remarkabel decrease of GPT activities, level of total cholesterol in serum of $CCl_{4}$ intoxicated rats at EtOH Ex. 300, 500 mg/kg p.o., MeOH Ex. and geniposide 100 mg/kg p.o., and GOT, Al.p, LDH activities were significantly decreased compared with control group. It caused a remarkable decrese of GPT, Al.p, LDH activities in serum of $_{D}-galactosamine$ intoxicated rats, and GOT activities was significantly decreased compared with control group. The geniposide and extract caused a remarkable increase of bile excretion, when administration of EtOH extract 500 mg/kg p.o., MeOH extract 100 mg/kg i.d., MeOH extract 50 mg and geniposide 50 mg/kg i. v. compared with normal-control group.

• 열처리공학회지
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• 제5권4호
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• pp.233-239
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• 1992

A study of the precipitation process of Al-Li binary alloy at low ageing temperature has been carried by electrical resistivity measurement. Two types of G.P.zones were formed during ageing at low temperature. G.P. (1) zone and G.P. (2) zone have been formed primarily at ageing temperature below $60^{\circ}C$ and at ageing temperature range of $80^{\circ}C$ to $100^{\circ}C$, respectively. Therefore the precipitation process of Al-Li binary alloy was as follows; G.P.(1) zone ${\rightarrow}$ G.P.(2) zone ${\rightarrow}{\delta}^{\prime}{\rightarrow}{\delta}$ G.P. (1) zone might be affected by excess vacancies, but G.P. (2) zone might be affected by secondary defects. clusters and Li-vacancy pairs. The activation energy for formation of G.P. (2) zone is 0.87eV. It is lower than that of Al-Cu alloy.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권6호
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• pp.575-579
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• 2008

Al-doped p-type ZnO films were fabricated on n-Si (100) and homo-buffer layers in pure oxygen at $450^{\circ}C$ of by RF magnetron sputtering. Target was ZnO ceramic mixed with 2 wt% $Al_2O_3$. XRD spectra show that the Al-doped ZnO thin films have ZnO crystal structure and homo-buffer layers are beneficial to Al-doped ZnO films to grow along c-axis. Hall Effect experiments with Van der Pauw configuration show that p-type carrier concentrations are ranged from $1.66{\times}10^{16}$ to $4.04{\times}10^{18}\;cm^{-3}$, mobilities from 0.194 to $2.3\;cm^2V^{-1}s^{-1}$ and resistivities from 7.97 to $18.4\;{\Omega}cm$. p-type sample has density of $5.40\;cm^{-3}$ which is smaller than theoretically calculated value of $5.67\;cm^{-3}$. XPS spectra show that Ols has O-O and Zn-O structures and Al2p has only Al-O structure. P-ZnO:Al/n-ZnO:Al junctions were fabricated by magnetron sputtering. V-I curves show that the p-n junctions have rectifying characteristics.