본 연구에서는 기체 크로마토그래피-불꽃이온화검출기(GC-FID)를 이용한 고순도 질소의 새로운 순도분석법을 개발하였다. 고순도 질소에 존재할 수 있는 불순물인 일산화탄소(CO), 이산화탄소(CO2), 및 메탄(CH4)에 대한 3 µmol/mol 수준의 인증표준물질(Certified reference material, CRM)을 중량법을 이용하여 제조하였고, 이를 순도분석에 활용하였다. 개발된 순도분석법에서는 운반가스로 초고순도 질소와 순도분석 대상 질소를 사용하여, 제조된 인증표준물질의 기체 크로마토그래피에서 얻어지는 크로마토그램의 면적 값 차이를 비교함으로써 순도분석 대상 질소의 불순물을 정량 분석하였다. 순도분석 대상 질소로는 액체질소 및 제조사가 각기 다른 3곳의 고순도 질소를 사용하였다. 또한, 개발된 순도분석법의 유효성을 평가하기 위하여 순도분석 대상 질소 내 불순물의 물질량 분율을 기존 순도분석법과 비교하였다. 두 가지 순도분석법을 이용하였을 때 대상 질소 내 불순물의 물질량 분율이 불확도 (k = 2) 내에서 서로 일치함을 확인함으로써, 개발된 순도분석법이 유효함을 확인하였다.
The cultivated radish (Raphanus sativus L.) is a major vegetable crop in the world wide and fast-growing species that grows inhabitats of six continents. It is very important to determine hybrid seed purity in the production of hybrid Brassica vegetable seeds to avoid unacceptable contamination with self-inbred (sib) seeds. The use of random amplified polymorphic DNA (RAPD) markers for evaluating seed purity in $F_2$-hybrid radish cultivars demonstrated. One hundred eighty seeds from the F1 male and female harvest were subsequently screened for seed purity using 13 primers. The 13 primers result in 17 cultivar-specific bands and 23 variable RAPD bands scored for cultivar. RAPD analysis of hybrid seeds from the harvest revealed 128 seeds tested except underdevelopment and decayed seeds were sibs. Especially, $F_2$ hybrids of radish, OPC13, OPD20 were presented clear hybrid bands. It maintains higher than average level of genetic diversity compared with their correspondent parents. RAPD amplification of DNA extracted from germinated individuals from the female harvest reveal that 10 of 208 seeds tested were self-inbred (4.8%). RAPD analysis of hybrid seeds from the male harvest revealed 7 of the 208 seeds tested were sibs (3.4%). The RAPD may lead to a better insight in to the hybrid seed purity.
High-purity ${\beta}-SiC$ powders for SiC single-crystal growth were synthesized by direct carbonization. The use of high-purity raw materials to improve the quality of a SiC single crystal is important. To grow SiC single crystals by the PVT method, both the particle size and the packing density of the SiC powder are crucial factors that determine the sublimation rate. In this study, we tried to produce high-purity ${\beta}-SiC$ powder with large particle sizes and containing low silicon by introducing a milling step during the direct carbonization process. Controlled heating improved the purity of the ${\beta}-SiC$ powders to more than 99 % and increased the particle size to as much as ${\sim}100{\mu}m$. The ${\beta}-SiC$ powders were characterized by SEM, XRD, PSA, and chemical analysis to assess their purity. Then, we conducted single-crystal growth experiments, and the grown 4H-SiC crystals showed high structural perfection with a FWHM of about 25-48 arcsec.
High purity silicon can be obtained from Al-Si alloys by a combination of solvent refining and centrifugation. Silicon purification by crystallization of silicon from an Al-Si alloy melt was carried out using 2N and 4N purity aluminum and 2N purity silicon as raw materials. The effect of the purity of raw materials on the final silicon ingot purity by centrifugation was investigated for an Al-50 wt% Si alloy. Alloys were melted using an electrical resistance furnace, and then poured into a centrifuging apparatus. A silicon lump like foam was obtained after centrifugation and was leached by an acid in order to get pure silicon flakes. Then silicon flakes were melted to make a silicon ingot using an induction furnace. The purities of the silicon flakes and silicon ingot were enhanced significantly compared to those of the raw materials of silicon and aluminum. The silicon ingot made of 4N aluminum and 2N silicon showed the lowest impurities.
Chang, Jinwoo;Lee, Jin Bok;Kim, Jin Seog;Lee, Jin-Hong;Hong, Kiryong
분석과학
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제35권5호
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pp.205-211
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2022
Deuterium (D) is an isotope with one more neutron number than hydrogen (H). Heavy elements rarely change their chemical properties with little effect even if the number of neutrons increases, but low-mass elements change their vibration energy, diffusion rate, and reaction rate because the effect cannot be ignored, which is called an isotope effect. Recently, in the semiconductor and display industries, there is a trend to replace hydrogen gas (H2) with deuterium gas (D2) in order to improve process stability and product quality by using the isotope effect. In addition, as the demand for D2 in industries increases, domestic gas producers are making efforts to produce and supply D2 on their own. In the case of high purity D2, most of them are produced by electrolysis of heavy water (D2O), and among D2, hydrogen deuteride (HD) molecules are present as isotope impurities. Therefore, in order to maximize the isotope effect of hydrogen in the electronic industry, HD, which is an isotope impurity of D2 used in the process, should be small amount. To this end, purity analysis of D2 for industrial processing is essential. In this study, HD quantitative analysis of D2 for high purity D2 purity analysis was established and hydrogen isotope RM (Reference material) was developed. Since hydrogen isotopes are difficult to analyze with general gas analysis instrument, they were analyzed using a high-precision mass spectrometer (Gas/MS, Finnigan MAT271). High purity HD gas was injected into Gas/MS, sensitivity was determined by a signal according to pressure, and HD concentrations in two bottles of D2 were quantified using the corresponding sensitivity. The amount fraction of HD in each D2 was (4518 ± 275) μmol/mol, (2282 ± 144) μmol/mol. D2, which quantifies HD amount using the developed quantitative analysis method, will be manufactured with hydrogen isotope RM and distributed for quality management and maintenance of electronic industries and gas producers in the future.
BHT (2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol), TBC (4-tert-butylcatechol), 스테아린산구리 등 여러 가지 중합방지제를 사용하여 MPPO (3-methyl-1-phenyl-2-phospholene-1-oxide)를 제조하였다. 제조한 시료에 대해 FTIR, $^1H$-NMR, GC/MS 등을 이용하여 분석한 결과 중합방지제의 종류에 관계없이 MPPO 합성이 확인되었다. 반응 시간이 증가하면 MPPO의 수율은 증가하지만, 순도는 약간 저하하는 경향을 보였다. 합성 온도가 높아지면 MPPO의 수율과 순도가 증가하였지만, 스테아린산구리를 사용한 경우 MPPO의 순도 변화는 나타나지 않았다. 중합방지제 양이 증가하면 MPPO의 수율은 변화가 나타나지 않았다. 순도는 중합방지제 양이 증가하면 증가하였지만, BHT를 사용한 경우에는 중합방지제 양에 따른 MPPO의 순도 변화가 없었다. Diphenylcarbodiimide 합성에 대한 MPPO의 촉매 활성은 스테아린산구리를 사용하여 제조한 MPPO가 가장 높았다.
(R)-N-3,5-dinitrobenzoyl (DNB) phenylglycinol로 부터 만들어진 키랄 선택제가 라세미 Nacylnaphthylalkylamines의 분리에 HPLC 키랄 정지상으로 이용된 바 있다. 본 연구에서는 (R)-phenylglycinol 유도체 키랄 선택제를 이용하여 키랄 크로마토그래피와 NMR 분광법에 의한 광학순도를 측정하였다. NMR과 HPLC 실험결과를 참값과 비교하여 각 광학순도 측정값의 정확도와 정밀도를 계산하였다. NMR 방법의 오차는 +2.2%, 평균 RSD는 4.54% 이었고, HPLC 방법의 오차는 -3.5%, 평균 상대표준편차는 3.23% 이었다.
Alumina is one of the most important ceramic materials because of its useful physical and chemical properties. Recently, high-purity alumina has been used in various industrial fields. This leads to increasing demand for reliable elemental analysis of impurities in alumina samples. However, the chemical inertness of alumina makes the sample preparation for conventional elemental analysis a tremendously difficult task. Herein, we demonstrated the feasibility of laser ablation for effective sampling of alumina powder. Laser ablation performs sampling rapidly without any chemical reagents and also allows simultaneous optical emission spectroscopy and mass spectrometry analyses. For six alumina samples including certified reference materials and commercial products, laser-induced breakdown spectroscopy (LIBS) and laser-ablation inductively-coupled plasma mass spectrometry (LA-ICP-MS) analyses were performed simultaneously based on a common laser ablation sampling. LIBS was found to be useful to quantify alkali and alkaline earth metals with limits-of-detection (LODs) around 1 ppm. LA-ICP-MS could quantify transition metals such as Ti, Cu, Zn, and Zr with LODs in the range from a few tens to hundreds ppb.
친환경 대체연료물질로서 ammonium dinitramide (ADN, $NH_4N(NO_2)_2$)는 상온에서 안전하고, 안정하지만 실제 적용을 위해서는 고순도가 요구된다. 소량의 불순물은 단일계 액상연료용 추력기 내 촉매의 분해반응을 억제하며, 비추력을 저하시키고, 노즐 막힘과 같은 부작용을 초래한다. 따라서 본 연구는 반복추출, 활성탄에 의한 흡착, 그리고 저온추출방법을 적용하여 합성한 ADN을 정제하였고, FT-IR, UV-Vis 및 IC 분석을 통하여 화학적인 순도를 평가하였으며, 최종 순도로서 IC 분석기준으로 99.82%를 획득하였다. 또한, ADN을 주 산화제로 활용하는 액상연료를 제조하였으며, 최소 $148^{\circ}C$에서 분해되는 단일계 추진제를 합성하였다. 그러나 상안정화를 위하여 우레아를 연료물질로 추가하였을 경우, 분해온도는 $188^{\circ}C$까지 상승하였다.
Purpose: This pilot study was conducted to evaluate half-value layer (HVL) measurements obtained using a semiconductor dosimeter for intraoral radiography. Materials and Methods: This study included 8 aluminum plates, 4 of which were low-purity (less than 99.9%) and 4 high-purity (greater than 99.9%). Intraoral radiography was performed using an intraoral X-ray unit in accordance with the dental protocol at the authors' affiliated hospital: tube voltage, 60 kVp and 70 kVp; tube current, 7 mA; and exposure time, 0.10 s. The accuracy of HVL measurements for intraoral radiography was assessed using a semiconductor dosimeter. A simple regression analysis was performed to compare the aluminum plate thickness and HVL in relation to the tube voltage (60 kVp and 70 kVp) and aluminum purity (low and high). Results: For the low-purity aluminum plates, the HVL at 60 kVp (Y) and 70 kVp (Y) was significantly correlated with the thickness of the aluminum plate (X), with Y=1.708+0.415X (r=0.999, P<0.05) and Y=1.980+0.484X (r=0.999, P<0.05), respectively. Similarly, for the high-purity aluminum plates, the HVL at 60 kVp (Y) and 70 kVp (Y) was significantly correlated with the plate thickness(X), with Y=1.696+0.454X (r=0.999, P<0.05) and Y=1.968+0.515X (r=0.998, P<0.05), respectively. Conclusion: This pilot study examined the relationship between aluminum plate thickness and HVL measurements using a semiconductor dosimeter for intraoral radiography. Semiconductor dosimeters may prove useful in HVL measurement for purposes such as quality assurance in dental X-ray imaging.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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