• 한국표면공학회지
• /
• 제44권5호
• /
• pp.213-219
• /
• 2011

Recently aspheric lenses are widely used for superpricision optical instruments, such as cellular phone camera modules, digital cameras and optical communication modules. The aspherical lenses are processed using mold core under high temperature compressive forming pressure. It is imperative to develop superhard protective films for the life extension of lens forming mold core. Especially ta-C films with higher $sp^3$ fractions receive attentions for the life extension of lens forming mold and, in turn, the cost reduction of lenses due to their suprior high temperature stability, high hardness and smooth surfaces. In this study ta-C films were processed on WC mold as a function of substrate bias voltage using FVA (Filtered Vacuum Arc) method. The processed films were characterized by Raman spectroscopy and nano-indentation to investigate bonding nature and hardness, respectively. The film with maximun 87% of $sp^3$ fraction was obtained at the substrate bias voltage of -60 V, which was closest to ta-C film. ta-C films showed better high temperature stability by sustaining relatively high fraction of $sp^3$ bonding even after 2,000 glass lens forming applications.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.147-147
• /
• 2016

In general, organic electrochromic (EC) materials have been known to be electrochemically unstable during the ionic exchange process. One effective method to realize stable EC materials is incorporating graphene derivatives in the polymer matrix, by using the strong interaction between graphene derivatives and polymer. However, previous studies are limited graphene derivatives. In this study, we developed a polymer-graphene derivative complex with the chemical assistance of a surfactant (octadecylamine, ODA). Surfactant-assisted graphene oxide (GO-ODA) was introduced as a protective layer on the electrochromic poly (3-hexyl thiophene) (P3HT) films by the Langmuir-Schaefer method. The deposition of GO-ODA protective layer with high coverage was confirmed by atomic force microscopy. The strong interactions between GO-ODA and P3HT were examined with UV-Vis spectrophotometry and X-ray photoelectron spectroscopy. Electrochemical and electrochromic investigations revealed that the GO-ODA layer greatly improved the long-term cyclability of the P3HT film. These findings imply that the GO-ODA complex has a significant role in creating stable EC cycling, due to its strong interaction with the P3HT film.

• 반도체디스플레이기술학회지
• /
• 제7권2호
• /
• pp.63-67
• /
• 2008

The MgO protective layer plays an important role in plasma display panels (PDPs). Our previous work demonstrated that the properties of MgO thin film could be improved, which were deposited by ion beam assisted deposition (IBAD). However arc discharge always occurs during the IBAD process. To avoid this problem, oxygen neutral beam assisted deposition (NBAD) is used to deposit MgO thin films in this paper. The energy of the oxygen neutral beam was used as the parameter to control the deposition. The experimental results showed that the oxygen neutral beam energy was effective in determining in F/$F^+$ centers, crystal orientation, surface morphology of the MgO thin film, and the discharge characteristics of AC PDP. The lowest firing voltage $(V_f)$ and the highest secondary electron emission coefficient $(\gamma)$ were obtained when the neutral beam energy was 300 eV.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.303.2-303.2
• /
• 2014

The oxides of group IV transition metals such as titanium, zirconium, hafnium have many important current and future application, including protective coatings, sensors and dielectric layers in thin film electroluminescent (TFEL) devices. Recently, group IV transition metal oxide films have been intensively investigated as replacements for SiO2. Due to high permittivities (k~14-25) compared with SiO2 (k~3.9), large band-gaps, large band offsets and high thermodynamic stability on silicon. Herein, we report the synthesis of new group IV transition metal complexes as useful precursors to deposit their oxide thin films using chemical vapor deposition technique. The complexes were characterized by FT-IR, 1H NMR, 13C NMR and thermogravimetric analysis (TGA). Newly synthesised compounds show high volatility and thermal stability, so we are trying to deposit metal oxide thin films using the complexes by Atomic Layer Deposition (ALD).

• Nuclear Engineering and Technology
• /
• 제54권10호
• /
• pp.3811-3815
• /
• 2022

Ni-63 is pure beta source which emits low energy beta particles. The Ni-63 sources were fabricated to develop the beta-voltaic battery which converts decay energy into electrical energy for power generation. Activity distribution of the source was important factor of power producibility of the beta-voltaic battery. Liquid scintillation counter widely used for measurement of low energy beta emitters was not suitable to measure activity distribution. In this study, we used the peeled-off Gafchromic™ EBT3 film to measure the activity distribution of the Ni-63 source. Absorbed dose was increased proportionally to the source activity and exposure duration. The low energy beta particles could transport the energy into the active layer without the polyester protective layer. Also, Activity distribution was measured by using the peeled-off EBT3 film. Two-dimensional dosimetric distribution was suitable to measure the activity distribution. To use the peeled-off EBT3 film is user-friendly and cost-effective method for quality assurance of the Ni-63 sources for the beta-voltaic battery.

• 한국방사선학회논문지
• /
• 제17권3호
• /
• pp.441-447
• /
• 2023

현재 의료방사선 분야에서 차폐를 목적으로 주로 사용되고 있는 납(Pb)소재는 방사선 차폐 기능은 뛰어 나지만 납 자체가 가지고 있는 인체 유해성과 무거운 무게에 의한 불편함 때문에 지속적으로 직, 간접적으로 방사선 피폭 위험을 차단함과 동시에 납 소재를 대체할 수 있는 인체 친화적인이며 가벼우면서 사용편의성을 가진 차폐소재의 연구는 지속적으로 진행되어지고 있다. 본 연구에서는 일반적으로 사용되는 PET(polyethylene terephthalate) 필름과 실제 방사선 방호복 사용되는 원단소재를 기재로 하여 방사선을 차폐할 수 있는 금속물질인 비스무트, 텅스텐, 주석을 스퍼터링 진공증착 방식을 통한 다층박막을 구현하여 차페필름을 제작하여 방사선 차폐소재로의 적용가능성을 평가하였다. 차폐필름을 제작하기 위한 인가전압, 롤 구동속력, 가스공급량을 제어하면서 차폐물질별 최적화된 조건을 확립하여 방사선 차폐필름 제작하였다. 모재와 차폐금속박막간 밀착력 확인은 Cross-cut 100/100으로 확인하였고 시간에 따른 박막의 변화를 측정하기 위해 내열탕 테스트 1시간을 통하여 박막의 안정성을 확인하였다. 최종적으로 구현된 차폐필름의 차폐성능은 한국방사선진흥협회를 통한 실제 방사선 차폐성능을 측정한 결과 시험조건(역넓은 빔, 관전압 50 kV, 반가층 1.828 mmAl)을 설정하여 감쇠비 16.4 (초기값 0.300 mGy/s, 측정값 0.018 mGy/s)와 감쇠비 4.31(초기값 0.300 mGy/s, 측정값 0.069 mGy/s)의 결과를 얻었다. 추후 제품화를 위한 공정효율성을 확보하여 가벼우면서 차폐성능을 보유한 필름 및 원단을 활용하여 방사선 방호복이나 차폐기능을 가진 건축자재로의 필름적용을 위한 초석을 마련하였다.

• 한국재료학회지
• /
• 제6권7호
• /
• pp.742-751
• /
• 1996

Ti-48AI(at.%) 모재위에 RF magnetron sputtering을 이용하여 AI-21Ti-23Cr(at.%) 조성의 박막을 코팅하였다. RF power 200W, 증착압력 0.8Pa, 증착온도 573k에서 증착된 시편의 가장 우수한 고온재산화성을 나타내었다. 573K에서 증착된 AI-21Ti-23Cr 코팅층은 증착시에는 비정질을 형성하나 산화시험동안 결정화가 진행되며, 표면에는 치밀한 ${Al}_{2}{O}_{3}$층이 형성되었다. 573K에서 코팅된 시편에 대하여 1073K, 1173K 및 1273K에서 100시간동안 등온산화시험을 실시하였다. 무게증량곡선은 모든 온도에서 parabolic law를 따르는 안정된 산화거동을 보였으며 이와같은 산화특성은 표면에 치밀한 ${Al}_{2}{O}_{3}$층이 형성되었기 때문인 것으로 판단된다. 1273K에서 산화시험 후 코팅층의 기지는 고온산화에 따른 AI원자의 소모와 모재로부터의 Ti원자의 확산에 의해 TiAICr상을 형성하였으며, 무게증량은 낮은 온도에 비해 다소 크게 증가하는 경향을 나타내었다.

• 한국광학회지
• /
• 제18권5호
• /
• pp.351-361
• /
• 2007

마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 광기록 매체인 GST 박막과 보호층인 $ZnS-SiO_2$ 박막 또는 $Al_2O_3$ 박막을 c-Si 기판위에 증착한 뒤 in-situ 타원계를 사용하여 상변화 광기록층인 GST 시료의 타원상수 온도의존성을 실시간으로 측정한 결과 $300^{\circ}C$ 이상의 온도에서 GST의 고온 타원상수는 가열 환경 및 보호층의 종류에 따라 큰 차이를 보여주었다. 가열 환경 및 보호층의 종류에 따라 GST의 고온 타원상수가 달라지는 원인인 $1{\sim}2$시간의 긴 승온시간을 줄이기 위해 Phase-change Random Access Memory(PRAM) 기록기를 사용하였고 수십 ns 이내의 짧은 시간 내에 순간적으로 GST 시료를 가열 및 냉각하였다. GST층이 손상되지 않고 결정화 및 고온 열처리가 되는 PRAM 기록기의 기록모드와 레이저출력 최적조건을 찾았으며 다층박막 구조에서 조사되는 레이저 에너지가 광기록층인 GST에 흡수되는 양과 이웃하는 층으로 전파되는 양을 열확산방정식으로 나타내고 이를 수치해석적으로 풀어 레이저출력과 GST 박막의 최고 온도와의 관계를 구하였다. 지름이 1um 정도인 레이저스폿을 대략 $0.7{\times}1.0mm^2$의 면적내에 촘촘히 기록한 다음 고온 열처리된 GST 시료의 분광타원데이터를 500 um의 빔 크기를 가지는 마이크로스폿 분광타원계를 사용하여 구하고 그 복소굴절률을 결정하였다. In-site 타원계를 사용할 때에 가열 환경 보호층 물질의 영향을 크게 받은 GST의 고온 복소굴절률은 PRAM 기록기를 사용하였을 때에는 가열환경이나 보호층의 종류에 무관하게 안정된 값을 보여주었다 Atomic Force Microscope(AFM)과 Scanning Electron Microscopy(SEM)을 통해 관찰한 GST 다층박막시료의 고온 열처리 전후 표면미시거칠기 변화도 PRAM 기록기를 사용할 때에는 in-situ 타원계를 사용할 때보다 1/10 정도의 크기를 보여주어 PRAM 기록기와 분광타원계를 사용하여 결정한 GST의 고온광학물성의 신뢰성을 확인하여 주었다.

• 대한기계학회논문집A
• /
• 제33권4호
• /
• pp.425-429
• /
• 2009

The protection for copper tarnish was developed by surface treatment method and volatile corrosion inhibiting (VCI) technology. The performance of surface treatment and VCI material is also examined in simulated test environment. Benzotriazole (BTAH) solution that contained molybdate showed best performance than others. Usage of VCI materials with surface treatment was more effective. The protection film foamed on the surface of copper was investigated by auger electron spectroscopy (AES) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Molybdate does not participate in the formation of the protective film but promotes the passivation effect. This facilitates the stabilization of the cuprous oxide film, and strengthens the adsorption of BTAH.

• 열처리공학회지
• /
• 제23권2호
• /
• pp.75-82
• /
• 2010

A new advanced combined PVD/CVD technique of DLC film deposition has been developed. Deposition of a DLC film was carried out using a pulsed carbon arc discharge in vapor hydrocarbon atmosphere. The arc plasma enhancing CVD process promotes dramatic increase in the deposition rate and decrease of compressive stress as well as improvement of film thickness uniformity compared to that obtained with a single PVD pulsed arc process. The optical spectroscopy investigation reveals great increase in radiating components of $C_2$ Swan system molecular bands due to acetylene molecules decomposition. AFM, Raman spectroscopy, XPS and nano-indentation were used to characterize DLC films. The method ensures obtaining a new superhard DLC nano-material for deposition of protective coatings onto various industrial products including those used in medicine.