Purpose: The purpose of this study is to compare the adhesion of Candida albicans according to build angle in 3D printing denture base resin. Methods: The 3D printing was performed by setting the build angle of the disk type specimen designed by CAD program at 0 degree, 30 degrees, 60 degrees, and 90 degrees. Surface roughness was measured using a non-contact 3D microsurface profiler. The specimens were incubated in Candida albicans suspension for 24 hours. The attached Candida albicans were detached by cell scraper. The suspension of detached C. albicans was serially diluted and plated on Trypticase soy broth. After 48 hours of incubation, total colony forming unit was counted. Results: There was no significant difference in surface roughness(Sa) between the test groups, but the interlayer boundary was observed. There was no statistically significant difference in total colony forming units of Candida albicans between the test groups. Conclusion: There was no difference in the average surface roughness and adhesion of Candida albicans between the specimens. It is considered that the setting of the build angle should be set considering the accuracy or strength rather than the roughness of the surface.
Micro forming is a suited technology to manufacture very small metallic parts(several $mm{\sim}{\mu}m$). Al5083 superplastic alloy with very small grains has a great advantage in achieving micro deformation under low stress due to its relatively low strength at a specific high temperature range. Micro forming of $Zr_{62}Cu_{17}Ni_{13}Al_8$ bulk Metallic glass(BMG) as a candidate material for this developing process are feasible at a relatively low stress in the supercooled liquid state without any crystallization during hot deformation. In this study, the micro formability of Al5083 superplastic alloy and bulk metallic glass, $Zr_{62}Cu_{17}Ni_{13}Al_8$, was investigated with the specially designed micro vibration forming system using pyramid-shape, V-shape and U-shape micro die pattern. With these dies, micro vibration forming was conducted by varying the applied load, time. Micro formability was estimated by comparing the hight of formed shape using non-contact surface profiler system. The vibration load effect to metal flow in the micro die and improve the micro formability of Al5083 superplastic alloy and $Zr_{62}Cu_{17}Ni_{13}Al_8$ bulk Metallic glass(BMG).
Transparent thin film transistor(TTFT)는 기존의 디스플레이가 가지고 있는 공간적, 시각적 제약을 해소하는 것이 가능하며, 이는 디스플레이 산업 및 기술이 지향하는 대면적, 저가격, 공정의 단순함을 해결해 줄 수 있기 때문에 최근 TTFT에 관한 연구가 급증하고 있다. 산화물 기반의 TFT는 유리, 금속, 플라스틱 등등 그 기판 종류에 상관없이 균일한 제작이 가능하며, 상온 및 저온에서 대면적으로 제작 가능하고, 저렴한 비용으로 제작 가능하다는 장점 때문에 최근 산화물을 기반으로 하는 TFT 연구가 많이 이루어지고 있다. 현재 TTFT 물질로 많이 연구되고 있는 산화물은 ZnO(3.4 eV)나 $InO_x$(3.6 eV), $GaO_x$(4.9 eV), $SnO_x$(3.7 eV)등의 물질과 각각의 조합으로 구성된 재료들이 주로 사용되고 있다. 가장 많은 연구가 이루어진 ZnO 기반의 TFT는 mobility와 switching 속도에서 우수한 특성을 보이나, amorphous ZnO 기반의 TFT의 경우 소자의 안정성이 떨어지는 것으로 보고되고 있다. 따라서 본 연구에서는 ZnO 보다 넓은 bandgap energy를 가질 수 있으며, n-type 특성을 보이고, amorphous 구조로 제작 가능한 IGZO 물질을 사용하여 RF magnetron sputtering 방법으로 박막 증착 온도의 변화를 주어 증착하였고, 증착된 IGZO 박막의 열처리를 통해 이에 따른 특성 변화를 분석하였다. Field emission scanning electron microscope(FESEM)와 surface profiler를 이용하여 IGZO 박막의 표면의 형상과 두께를 확인하였으며, x-ray diffraction(XRD) 분석을 통해 박막의 결정학적 특성을 관찰하였다. TTFT 물질로서 IGZO 박막의 적합성 여부를 확인하기 위하여 TFT를 만든 후 I-V를 측정하였으며, UV-vis를 이용하여 IGZO 박막의 투과율을 분석하여 TTFT로의 응용 가능성을 확인하였다.
개수로의 흐름을 측정하는 유속계는 유체역학 및 수리학적 연구와 유량 측정 등의 업무에 필수적인 장비이다. 그동안 국내에서는 일부 전자파표면유속계(이상호 등, 1997)와 영상처리 기반의 LSPIV(김영근 등, 2004)와 같은 비접촉식 유속측정 장치가 개발되어 활용되고 있지만, 유속 및 유량 측정에 보다 널리 사용되고 있는 수중 투입식 유속계의 경우 거의 개발되지 않았다. 특히 유속 분포를 측정하는데 활용될 수 있는 초음파 방식 유속 프로파일러는 거의 전적으로 외국제품에 의존하고 있다. 일반 유속계가 점유속을 측정하는데 비해 유속 프로파일러는 센서가 지향하는 방향선을 따라 공간적인 유속분포를 동시에 획득할 수 있으므로 측정 효율성이 높다는 장점을 지닌다. 본 연구에서는 국내 기술로 개수로 흐름 측정에 활용할 수 있는 초음파 유속 프로파일러를 개발하였다. 이 유속 프로파일러는 초음파 펄스를 반복적으로 송수신하는 PRF 기법을 이용하여 개발하였다. 개발된 유속 프로파일러는 직사각형 수로에서 유속 분포를 측정하기 위해 적용하였으며, 기존의 2차원 유속계와 그 결과를 비교하였다. 본 연구에서 개발한 유속 프로파일러는 실제 하천에 활용하기에는 측정 가능한 유속 및 수심 범위의 한계가 있으나 PRF 기법의 한계 범위에서는 실측 유속분포를 비교적 잘 재현하는 것으로 나타났다.
ZnO 박막은 wide band gap(Eg=3.37eV)의 derect band gap을 갖고 있기 때문에 여러 소자로의 응용가능성에 큰 기대를 하고 있는 물질이다. 본 논문에서는 소자 제조과정에서 요구되는 ZnO 박막의 식각변수에 따른 식각율과 식각특성에 관하여 연구하였으며 Inductively coupled plasma(ICP)를 사용하여 $BCl_3$/Ar 가스를 혼합하여 식각을 하였다. $BCl_3$/Ar=8/2 플라즈마에서 화학적 식각의 도움을 받아 ZnO 박막의 식각률은 1724 ${\AA}/min$ 로 최고를 보였으며 이때의 공정 조건은 800 W 의 RF power, 400 W 의 bias power, 1 Pa 의 공정 압력이었다. 식각시에 플라즈마 내부의 이온 거동상태를 측정하기위해 quadrupolemass spectrometer(QMS)를 사용하여 분석하였고 식각후 ZnO 박막의 식각률은 surface profiler(KLA fencer, ${\alpha}$-step 500)을 이용하여 측정하고 ZnO 박막과 B, Cl 라디칼과의 표면 반응 상태를 고찰하기 위하여 식각된 ZnO 박막의 표면을 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)로 분석하였다. XPS를 통하여 ZnO 박막과 Cl 라디칼과 반응을 하여 식각된다는 것과 낮은 휘발성으로 인하여 Ar 이온에 의한 스퍼터링 효과의 도움에 의해서 식각이 진행됨을 확인하였다.
This paper describes that single crystalline 3C-SiC (cubic silicon carbide) thin films have been deposited on carbonized Si(100) substrates using hexamethyldisilane (HMDS, $Si_2(CH_3){_6}$) as a safe organosilane single precursor and a nonflammable mixture of Ar and $H_2$ gas as the carrier gas by APCVD at $1280^{\circ}C$. The deposition was performed under various conditions to determine the optimized growth condition. The crystallinity of the 3C-SiC thin film was analyzed by XRD (X-ray diffraction). The surface morphology was also observed by AFM (atomic force microscopy) and voids between SiC and Si interfaces were measured by SEM (scanning electron microscopy). Finally, residual strain and hall mobility was investigated by surface profiler and hall measurement, respectively. From these results, the single crystalline 3C-SiC film had a good crystal quality without defects due to viods, a low residual stress, a very low roughness.
ITO(Indium Tin Oxide) films for transparent electrodes of FPD(Flat Panel Display) were patterned in atmosphere using laser. A pulse type(repetition rate of 10 Hz) Q-switched Nd:YAG laser which can generate the fundamental wavelength at 1064 nm or its harmonics(532, 266 nm) was used for Patterning of the ITO film. In case of using the second harmonic(532 nm) of Nd:YAG laser, the ITO film(thickness of 20 nm) was removed clearly with a laser fluence of 5.2 J/$\textrm{cm}^2$ and a beam scan speed of 200${\mu}{\textrm}{m}$/s. But the glass substrate was damaged when the laser fluence was over 5.2 J/$\textrm{cm}^2$. We discussed the etching mechanism of the ITO film using Nd:YAG laser with observation of the etching characteristics including a depths and widths of ITO films as a function of laser fluence using SEM(Scanning Electron Microscopy) and surface profiler($\alpha$-step 500).
하천 홍수량의 정확한 측정은 홍수 관리, 수자원 관리, 수공구조물의 설계와 시공, 수환경 관리에 있어서 매우 중요한 의미를 지닌다. 따라서 국가는 전문기관을 통하여 국가하천의 홍수량을 정확하게 측정하려는 노력을 하여왔고 이러한 목적에 따라 다양한 홍수량 측정방법이 개발되어 왔다. 전 세계적으로 이러한 움직임을 대변하고 있는 최신의 기술은 ADCP (Acoustic Doppler Current Profiler)를 이용하여 하천을 횡단하면서 유속과 수심을 측정하여 유량을 측정하는 방법이며, 이러한 횡단 유량을 측정하기 위해서 원격으로 조정하는 유량 계측보트를 이용하는 방법이 각광을 받고 있다. 그러나 ADCP를 하천에서 이용할 때 수면 아래 10%, 하상 위 10% 정도는 ADCP를 이용하여 정확하게 유속을 측정하기가 어렵기 때문에 이론적인 가정에 근거한 유량산정 방법을 통하여 구하고 있다. 따라서 최신의 유량측정 방법이라고 하더라도 기본적으로 20% 정도의 유량측정 에러를 포함할 가능성이 많고 실제로도 5-15% 정도의 측정오차를 갖는 것이 일반적이다. 이러한 측정오차를 5% 이내로 줄일 수 있다면 홍수 관리, 수자원 관리, 수공구조물의 설계와 시공 등에서 보다 효율적이고 정확한 관리가 실행될 수 있다. 따라서 본 연구에서는 ADCP와 원격유량계측보트를 이용하여 하천의 홍수량 측정시 유량측정의 정확도를 향상시킬 수 있도록 1) 불규칙한 홍수량 횡단면을 갖는 측정결과로부터 최적 횡단면을 추출하는 기술과 2) 홍수량 측정시 바닥층 유속 프로파일을 산정할 수 있는 최적 유속분포 확정 기술에 대해 연구하고자 하였다.
본 연구에서는 $Cl_2$/Ar 기반의 플라즈마 식각에 $N_2$가스를 첨가하여 ZnO 박막을 식각 하였을 때 관찰된 ZnO 박막의 식각 특성에 관하여 연구 하였다. ZnO 박막 식각 실험은 RF 800 W, bias power 400 W, 공정 압력 15 mTorr를 기준으로 하였으며 가스 혼합 비율로는 최적의 식각률을 보여주는 $Cl_2$/Ar=8:2 비율에서 실행하였다. 연구의 목적인 첨가 가스 $N_2$를 $Cl_2$ (80%)/Ar (20)%에 5 sccm 씩 첨가하여 20 sccm 까지 증가 시켜 실험 하였다. $N_2$ 가스가 15 sccm 첨가되었을 때 식각률 95.9 nm/min로 기존 $Cl_2$/Ar 기반의 플라즈마 식각보다 높은 식각률을 보여 주었으며 $N_2$ 가스 흐름 조절 외에도 공정 압력, RF power, bias power를 변경하며 실험하였다. 식각된 ZnO 박막의 표면은 최대 식각률을 보이는 공정 조건을 찾기 위해 surface profiler ($\alpha$-step)을 이용하여 식각률을 측정하였으며 ZnO 박막 표면의 화학적인 변화를 조사하기 위해 x-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 사용하였다. XPS 분석 결과 Zn $2p_{3/2}$ peak 가낮은 binding energy 쪽으로 이동한 것을 관찰 할 수 있었다. 또한 O 1s 의 스펙트럼을 분석한 결과 N-O bond와 O-H bond가 존재함이 밝혀졌다.
Thin films of $Eu(TTA)_3(phen)$, which was known to show red-light emitting properties, were deposited under various deposition condition. The thickness, surface morphology, and photoluminescence(PL) were measured with ${\alpha}$-step profiler, Atomic Force Microscopy(AFM), and PL measurement apparatus. It was found that the thickness of $Eu(TTA)_3(phen)$ film can be controlled precisely by adjusting the amounts of $Eu(TTA)_3(phen)$ in the boat. As the thickness of these films increases, the surface roughness also increases. A structure of $Al/Eu(TTA)_3(phen)(850{\AA})/TPD(600{\AA})/ITO$ was fabricated, Electroluminescence(EL) spectrum of which shows the peak at the wavelength of 618nm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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