In this study, the deformation behavior of semi-solid Al-Si alloy was investigated by nanoindenter as a part of the research on the surface crack behavior in thixoformed automobile component. The microstructure of semi-solid Al-Si alloy consists of primary and eutectic regions. In eutectic regions the crack initiation begins with initial fracture of the eutectic silicon particles and inside other intermetallic phases. Nano-deformation characteristics in the eutectic and primary phase of semi-solid aluminium alloy were investigated through the nano-indentation experiments and the AFM observation. In addition, mechanical properties of each region were investigated and compared with each other.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.23
no.7
s.166
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pp.1147-1154
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1999
The objective of this paper is to evaluate the fracture resistance characteristics of SA508 CL.1a carbon steel, and their associated welds manufactured for primary coolant piping system of nuclear power plants. The effect of various parameters such as pipe size, welding method and chemical composition on the material properties were discussed. Test results showed that the offset of pipe size on tincture toughness was negligible, while the effect of welding method on fracture toughness was significant. In addition, Fracture toughness for carbon steel was influenced by silicon contents due to the different steel refining processes.
Kim, K.C.;Lee, K.J.;Lee, J.I.;Park, J.T.;Kwon, J.L.;Kim, J.K.
Proceedings of the KIEE Conference
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1999.11b
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pp.40-42
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1999
In this paper, light-weight system of linear induction motor(LIM) for light railway train is presented, and is compared with former type of LIM. For the light-weight system without modification of motor size the material of primary core(silicon steel) is changed with iron-cobalt alloy and the material of primary winding(copper) is changed with aluminium. The characteristics of LIM are analyzed. Specially, the air gap magnetic flux density distribution due to end effect is showed with motor velocity, we will present papers continuously through designing and testing a trial product.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.254-255
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2012
Interest in nano-crystalline silicon (nc-Si) thin films has been growing because of their favorable processing conditions for certain electronic devices. In particular, there has been an increase in the use of nc-Si thin films in photovoltaics for large solar cell panels and in thin film transistors for large flat panel displays. One of the most important material properties for these device applications is the macroscopic charge-carrier mobility. Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) or nc-Si is a basic material in thin film transistors (TFTs). However, a-Si:H based devices have low carrier mobility and bias instability due to their metastable properties. The large number of trap sites and incomplete hydrogen passivation of a-Si:H film produce limited carrier transport. The basic electrical properties, including the carrier mobility and stability, of nc-Si TFTs might be superior to those of a-Si:H thin film. However, typical nc-Si thin films tend to have mobilities similar to a-Si films, although changes in the processing conditions can enhance the mobility. In polycrystalline silicon (poly-Si) thin films, the performance of the devices is strongly influenced by the boundaries between neighboring crystalline grains. These grain boundaries limit the conductance of macroscopic regions comprised of multiple grains. In much of the work on poly-Si thin films, it was shown that the performance of TFTs was largely determined by the number and location of the grain boundaries within the channel. Hence, efforts were made to reduce the total number of grain boundaries by increasing the average grain size. However, even a small number of grain boundaries can significantly reduce the macroscopic charge carrier mobility. The nano-crystalline or polymorphous-Si development for TFT and solar cells have been employed to compensate for disadvantage inherent to a-Si and micro-crystalline silicon (${\mu}$-Si). Recently, a novel process for deposition of nano-crystralline silicon (nc-Si) thin films at room temperature was developed using neutral beam assisted chemical vapor deposition (NBaCVD) with a neutral particle beam (NPB) source, which controls the energy of incident neutral particles in the range of 1~300 eV in order to enhance the atomic activation and crystalline of thin films at room temperature. In previous our experiments, we verified favorable properties of nc-Si thin films for certain electronic devices. During the formation of the nc-Si thin films by the NBaCVD with various process conditions, NPB energy directly controlled by the reflector bias and effectively increased crystal fraction (~80%) by uniformly distributed nc grains with 3~10 nm size. The more resent work on nc-Si thin film transistors (TFT) was done. We identified the performance of nc-Si TFT active channeal layers. The dependence of the performance of nc-Si TFT on the primary process parameters is explored. Raman, FT-IR and transmission electron microscope (TEM) were used to study the microstructures and the crystalline volume fraction of nc-Si films. The electric properties were investigated on Cr/SiO2/nc-Si metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors.
Purpose: The physical and optical characteristics of hydrophilic tinted contact lens containing titanium silicon oxide nanoparticles and the basic hydrogel contact lens material containing 4-iodoaniline were examined. In this study, the utility of titanium silicon oxide nanoparticles as a UV-blocking material for ophthalmologic devices were investigated by measuring the UV transmittance of the produced polymer. Also, titanium silicon oxide nanoparticles only without the addition of 4-iodoaniline in primary contact lens materials by copolymerizing two groups were compared. Methods: For manufacturing hydrogel lens, HEMA, MA, MMA, 4-iodoaniline and a cross-linker EGDMA were copolymerized in the presence of AIBN as an initiator. Also, the titanium silicon oxide nanoparticles was used as additive. After polymerization the physical properties such as water content, refractive index, contact angle and spectral transmittance of produced contact lenses were measured. Results: Measurement of the physical properties of the copolymerized material showed that the water content, refractive index, UV-B transmittance and contact angle were in the range of 35.01~38.60%, 1.4350~1.4418, $34.15{\sim}57.25^{\circ}$ and 1.0~10.0%, respectively. Titanium silicon oxide nanoparticles is not used as an additive in the experimental group, the results of the measurement showed that the water content, refractive index, contan angle and UV-B transmittance of the hydrogel lens polymer was 34.00~36.80%, 1.4378~1.4420, $40.15{\sim}60.16^{\circ}$ and 1.8~25.0%, respectively. Conclusions: Also, the transmittance for UV light was reduced significantly in combinations containing titanium oxide nanoparticles.
The morphological changes of primary solid particles as a fuction of process time on Al-Si alloys during semi-solid state processing with a shear rate of 200s were studied. In hypereutectic Al-15.5wt%Si alloy, it was observed that primary Si crystals are fragmented in the early stage of stirring and morphologies of primary Si crystals change from faceted to spherical during isothermal shearing for 60 minutes. In quaternary Al-12.5wt%Si-2.9wt%Cu-0.7wt%Mg alloy system, it was observed both primary silicon and ${\alpha}$-alumunum particles. Microstructural evolution of primary Si crystals was similar to that of the hypereutectic Al-Si alloy but equiaxed ${\alpha}$-Al dendrites are broken into nearly spherical at the early stage of shearing and later stage of the isothermal shearing ${\alpha}$- Al particles are slightly coarsoned by Ostwald ripening. Mechanical properties of Al-Si-Cu-Mg alloy were compared to those from other processes (squeeze casting and gravity casting). After T6 heat treatment, comparable values of hardness were obtained while slightly lower compressive strength values were observed in rheocast alloy. The elongation, on the other hand, exhibited significant increasement of 15% over gravity cast alloy.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers B
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v.52
no.3
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pp.101-106
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2003
The high temperature superconductor transformers gain interests from the industries. This paper described construction and test results of 10㎸A HTS transformer Three phase transformer with double pancake windings were constructed. To reduce the leakage magnetic field, secondary coil were placed between the two primary coils. BSCCO-2223 wire. silicon sheet steel core and FRP cryostats were used to construct the transformer. Three coils were stacked in one cryostat. Two double pancake coils were connected in series for the primary coil and one double pancake coil was used for the secondary coil. Total number of turns of the primary winding and the secondary winding were 112turns and 98urns, respectively, The rated voltages of each winding were 440/220V. The rated currents of each winding were 13.1/26.2A. After the tests of basic properties of the three phase HTS transformer using no-load test, short-circuit test and full-load test, continuous operation of 100 hours with pure resistive load has been carried out. Test results proved over-load capability and reliability of the HTS transformer.
The surface of AC8A Ah alloy was modified by adding the Cu powder using a Plasma Transferred Arc (PTA) welding process. Under the optimum fabricating conditions, the modified surface of AC8A Ah alloy was observed to possess the sound microstructure with a minimum porosity. Hardness and wear resistance properties of the as-fabricated alloy were compared with those of the 76 heat-treated one. In case of the as-fabricated alloy, the hardness of the modified layer was twice that of the matrix region. Although significant increase in the hardness of the matrix region was observed after T6 heat treatment, the hardness of the modified layer was not observed to change. The wear resistance of the modified layer was significantly increased compared to that of the matrix region. The microstructure of a weld zone and the matrix region were investigated using the optical microscope, scanning electron microscope (SEM), electron probe microanalysis (EPMA), and transmission electron microscope (TEM). The primary and eutectic silicon in the weld zone were finer and more curved than in the matrix region, while some precipitates has had been found therein. According to the TEM observation, the predominant precipitate present in the weld zone was the $\theta$'phase, which is precipitated during cooling by rapid solidification in PTA welding process. Improvement of hardness and wear properties in the weld zone in the as-fabricated condition can be explained based on the presence of $\theta$’precipitates and fine primary and eutectic silicon distribution.
Journal of Satellite, Information and Communications
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v.10
no.4
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pp.1-5
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2015
The ESD(electrostatic discharge) protection performance of PPS(PMOS pass structure) embedded N-type silicon controlled rectifier(NSCR_PPS) device with different partial p-well(PPW) structure was discussed for high voltage I/O applications. A conventional NSCR_PPS standard device shows typical SCR-like characteristics with low on-resistance, low snapback holding voltage and low thermal breakdown voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However, our proposed NSCR_PPS devices with modified PPW_PGM(primary gate middle) and optimal CPS(counter pocket source) implant demonstrate the stable ESD protection performance with high latch-up immunity.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.374-374
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2012
반도체 소자의 크기가 100 nm 이하로 감소되면 통상적인 이온 주입 조건인 이온 에너지, 조사량 및 이온 주입 각도뿐만 아니라 Dose Rate 및 모재 온도가 Dopant Profile을 조절하는 데에 있어서 매우 중요한 인자로 작용한다. 본 연구에서는 Ribbon-beam 및 Spot-beam을 사용하여 활성화 열처리 후 Dopant Profile을 분석하였다. 이온 주입은 모든 시편에서 $BF_2$를 가속 에너지 10 keV 및 조사량 $2{\times}10^{15}/cm^2$로 고정하였다. 이온 주입 후 도펀트 활성화는 100% 질소 분위기 하에서 $850^{\circ}C$-30s 조건으로 RTA 열처리를 수행하였다. Boron 및 Fluorine의 Profile은 SIMS 분석을 통하여 구하였다. Spot-beam은 Ribbon-Beam에 비하여 Dose Rate 및 Cooling Efficiency가 높기 때문에 이온 주입 후 더욱 많은 양의 Primary-defect를 발생시키고 이에 따라 두꺼운 비정질 충을 형성한다. $BF_2$ 이온 주입 된 시편에서 B 및 F의 농도 Peak-height는 a/c 계면에 위치하는 것을 관찰하였다. 또한 B 및 F의 농도 Peak-height는 Silicon 모재의 온도가 증가할수록 증가하는 것을 관찰하였다. Silicon 모재의 온도가 증가함에 따라 Active-area의 면저항이 변화하지 않는 상태에서 Vt (Threshold Voltage)가 급격히 감소함을 관찰 하였다. 비정칠 층의 두께가 증가할수록 a/c 계면 하단에 잔존하는 Residual-defect의 양이 감소하고 이는 측면확산을 감소시키는 역할을 한다는 것이 관찰되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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