The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.35
no.7A
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pp.646-653
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2010
This paper provides a unified framework for the joint optimal subchannel and power allocation in multi-hop relay network, where each node in the network has multiple parallel subchannels such as in OFDM or MIMO system. When there are multiple parallel subchannels between nodes, the relay node decides how to match the subchannel at the first hop with the one at the second hop aside from determining the power allocation. Joint optimal design of subchannel matching and power allocation is, in general, known to be very difficult to solve due to the combinatorial nature involved in subchannel matching. Despite this difficulty, we use a simple rearrangement inequality and show that seemingly difficult problems can be efficiently solved. This includes several existing solution methods as special cases. We also provide various design examples to show the effectiveness of the proposed framework.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.24
no.2
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pp.168-179
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2013
The critical point analysis(CA) and impedance matching analysis(IA) are performed and compared for a 4-coil magnetic resonance wireless power transfer system. Because the operating frequency splits at short distance while the efficiency drops drastically at long distance in this system, the optimization technique is needed for either a specific distance or efficiency at the fixed frequency. CA uses the critical point where shows maximum efficiency in the entire range and IA uses the impedance matching technique to achieve maximum efficiency at the specific distance. Comparison result shows that IA is more efficient than CA. Also, it shows one side matching has a tradeoff relationship comparing to both side matching. By using four spiral resonant coils, the analysis was experimentally verified. The measured data agreed well with the calculated data.
Lee Jae-Jo;Park Young-Jin;Oh Hui-Myoung;Kim Kwan-Ho;Lee Dae-Young
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers D
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v.54
no.6
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pp.409-416
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2005
For broadband high-data-rate power line communication with the allocated frequency bandwidth from 2 to 30 MHz on medium voltage (MV) distribution power lines, a signal coupling unit is developed. The coupling unit is composed of a coupling capacitor for coupling communication signal, a drain coil, and an impedance matching part. The coupling capacitor made of ceramic capacitor is designed for transmission property of better than 1 dB in the frequency range. The drain coil is used for preventing low frequency high voltage from junction of medium voltage power line in case that a coupling capacitor is not working properly any more. Also, using ferrite core, a novel broadband impedance matching transformer is developed. A complete coupling unit with a coupling capacitor, a drain coil, and a matching transformer is housed by polymer for good isolation and distinguishing from high voltage electric facilities. Each is fabricated and its frequency behavior is tested. Finally, complete signal couplers are equipped in a MV PLC test bed and their performance are measured. The measurement shows that the coupling capacitor works excellently.
We investigated the structure of inductive coupler and its magnetic coupling to increase the transmission coefficient for power line communication. A Rogowski coil, which is an air-cored inductive coupler, and a magnetic cored coupler were fabricated to analyze the transmission coefficient for different coupler parameters. This paper proposes the impedance matching method using lumped elements and an impedance transformer to increase the transmission coefficient. In the experiment, the transmission coefficient of the proposed system was increased in both narrowband and broadband cases, and a trade-off between the transmission coefficient and the bandwidth was shown. This method will be useful for the further study of impedance matching with the load variation.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers P
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v.57
no.3
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pp.236-243
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2008
This paper analyses magnetic flux saturation of matching transformer considering characteristic of dynamic voltage restorer(DVR) system to solve voltage sags which are considered the dominant disturbances affecting power quality. This DVR consist of PWM inverter to inject arbitrary voltage, LC low pass filter and matching transformer for isolation and grid connection. However, the matching transformer has an excess of inrush current by magnetic flux saturation in the core of transformer. Due to this inrush current, the rating of matching transformers is double for needed nominal rating for protection of DVR. Therefore, in this paper, an advanced modeling method of magnetic flux saturation is used to analyze a magnitude and characteristic of magnetizing current. Simulation and experimental results considering characteristic of DVR system are provided to demonstrate the validity of the proposed analysis method.
Stimulated polariton scattering from the $B_1$-symmetry modes of a $KNbO_3$ crystal to generate a terahertz wave (THz-wave) with a noncollinear phase-matching scheme is investigated. The frequency-tuning characteristics of the THz-wave by varying the phase-matching angle and pump wavelength are analyzed. The expression for the effective parametric gain length under the noncollinear phase-matching condition is deduced. Parametric gain and absorption characteristics of the THz-wave in $KNbO_3$ are theoretically simulated. The characteristics of $KNbO_3$ for a terahertz parametric oscillator (TPO) are compared to those of $MgO:LiNbO_3$. The analysis indicates that $KNbO_3$ is an excellent optical crystal for a TPO, to enhance the THz-wave output.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.16
no.3
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pp.339-345
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2016
This paper presents a two-stage power amplifier MMIC using a $0.4{\mu}m$ GaN-HEMT process. The two-stage structure provides high gain and compact circuit size using an integrated inter-stage matching network. The size and loss of the inter-stage matching network can be reduced by including bond wires as part of the matching network. The two-stage power amplifier MMIC was fabricated with a chip size of $2.0{\times}1.9mm^2$ and was mounted on a $4{\times}4$ QFN carrier for evaluation. Using a downlink LTE signal with a PAPR of 6.5 dB and a channel bandwidth of 10 MHz for the 2.6 GHz band, the power amplifier MMIC exhibited a gain of 30 dB, a drain efficiency of 32%, and an ACLR of -31.4 dBc at an average output power of 36 dBm. Using two power amplifier MMICs for the carrier and peaking amplifiers, a Doherty power amplifier was designed and implemented. At a 6 dB back-off output power level of 39 dBm, a gain of 24.7 dB and a drain efficiency of 43.5% were achieved.
A capacitive wireless power transfer (C-WPT) system uses an electric field to transmit power through a physical isolation barrier which forms a pair of ac link capacitors between the metal plates. However, the physical dimension and low dielectric constant of the interface medium severely limit the effective link capacitance to a level comparable to the main switch output capacitance of the transmitting circuit, which thus narrows the soft-switching range in the light load condition. Moreover, by fundamental limit analysis, it can be proved that such a low link capacitance increases operating frequency and capacitor voltage stress in the full load condition. In order to handle these problems, this paper investigates optimal design of double matching transformer networks for C-WPT. Using mathematical analysis with fundamental harmonic approximation, a design guideline is presented to avoid unnecessarily high frequency operation, to suppress the voltage stress on the link capacitors, and to achieve wide ZVS range even with low link capacitance. Simulation and hardware implementation are performed on a 5-W prototype system equipped with a 256-pF link capacitance and a 200-pF switch output capacitance. Results show that the proposed scheme ensures zero-voltage-switching from full load to 10% load, and the switching frequency and the link capacitor voltage stress are kept below 250 kHz and 452 V, respectively, in the full load condition.
Kim, Hong-Teuk;Jeon, Moon-Suk;Chung, Ki-Woong;Youngwoo Kwon
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.2
no.2
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pp.125-131
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2002
This paper presents MMIC drive and power amplifiers covering 6-18 ㎓. For simple wideband impedance matching and less sensitivity to fabrication variation, modified distributed topologies are employed in the both amplifiers. Cascade amplifiers with a self-biasing circuit through feedback resistors are used as unit gain blocks in the drive amplifier, resulting in high gain, high stability, and compact chip size. Self impedance matching and high-pass, low-pass impedance matching networks are used in the power amplifier. In measured results, the drive amplifier showed good return losses ($S_11,{\;}S_{22}{\;}<{\;}-10.5{\;}dB$), gain flatness ($S_{21}={\;}16{\;}{\pm}0.6{\;}dB$), and $P_{1dB}{\;}>{\;}22{\;}dBm$ over 6-18 GHz. The power amplifier showed $P_{1dB}{\;}>{\;}28.8{\;}dBm$ and $P_{sat}{\;}{\approx}{\;}30.0{\;}dBm$ with good small signal characteristics ($S_{11}<-10{\;}dB,{\;}S_{22}{\;}<{\;}-6{\;}dB,{\;}and{\;}S_{21}={\;}18.5{\;}{\pm}{\;}1.25{\;}dB$) over 6-18 GHz.
Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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2000.11a
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pp.150-153
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2000
In this paper, we have designed a 2 stage MMIC power amplifier which has flat gains of in-band and reasonable out-band cutoff characteristics using 0.5$\mu\textrm{m}$ MESFET libra교 of ETRI. For the 1st stave, we obtaind P$_{1dB}$ of 9.2 dBm and gain 10.8 dB using 6 finger D-MESFET and P$_{1dB}$ of 18.4 dBm and gain of 10.8 dB using 14 finger D-MESFET for the 2nd stage, which is power matched using LIBRA's embedded TUNER. Also in-band gain flatness and out-band cutoff characteristics are obtained by attaching LC tank in the output matching circuit. The designed 2 stage MMIC power amplifier has bandwidth of 0.95~2.8 GHz, gain of 20 dB and P$_{1dB}$of 17.2 dBm. Especially gain flatness of $\pm$0.8dB was obtained in 1.8~2.5 GHz frequency ranges. And chip size is 1.4$\times$1.4 mm..4 mm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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