• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제30권2호
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• pp.315-318
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• 2009

Some particular bound state energies of an electron, under Coulomb potential field, confined in a two-dimensional circle and a three-dimensional sphere are analytically derived. The derivation shows that the electron cannot be bound in a negative energy state when the circle (or sphere) is smaller than a certain critical size. The critical size dependency on the strength of Coulomb potential and the angular momentum of the electron is also analytically derived. This system mimics quantum dots. Therefore the derivation provides new information on a minimum critical size of quantum dots with hydrogenic impurity.

• Journal of Magnetics
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• 제13권4호
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• pp.124-127
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• 2008

The magnetic and electronic properties of Ni impurity in bcc Fe ($Ni_1Fe_{26}$) are investigated using the full potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method based the generalized gradient approximation (GGA). We found that the Ni impurity in bcc Fe increases both the lattice constant and the magnetic moment of bcc Fe. The calculated equilibrium lattice constant of $Ni_1Fe_{26}$ in the ferromagnetic state was 2.84 A, which is slightly larger than that of bcc Fe (2.83 ${\AA}$). The averaged magnetic moment per atom of $Ni_1Fe_{26}$ unit cell was calculated to be $2.24{\mu}_B$, which is greater than that of bcc Fe (2.17 ${\mu}_B$). The enhancement of magnetic moment of $Ni_1Fe_{26}$ is mainly contributed by the nearest neighbor Fe atom of Ni, i.e., Fe1, and this can be explained by the spin flip of Fe1 d states. The density of states shows that Ni impurity forms a virtual bound state (VBS), which is contributed by Ni $e_{g{\downarrow}}$ states. We suggest that the VBS caused by the Ni impurity is responsible for the spin flip of Fe1 d states.

• Advances in nano research
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• 제5권1호
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• pp.13-25
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• 2017

We examine the total optical dielectric function (TODF) of impurity doped GaAs quantum dot (QD) from the viewpoint of anisotropy, position-dependent effective mass (PDEM) and position dependent dielectric screening function (PDDSF), both in presence and absence of noise. The dopant impurity potential is Gaussian in nature and noise employed is Gaussian white noise that has been applied to the doped system via two different modes; additive and multiplicative. A change from fixed effective mass and fixed dielectric constant to those which depend on the dopant coordinate manifestly affects TODF. Presence of noise and also its mode of application bring about more rich subtlety in the observed TODF profiles. The findings indicate promising scope of harnessing the TODF of doped QD systems through expedient control of site of dopant incorporation and application of noise in desired mode.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.99-102
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• 2003

The electronic structure of ${\beta}-MnO_2$ having impurities in the site of Mn was theoretically investigated by $DV-X_{\alpha}$ (the discrete variation $X{\alpha}$) method, which is a sort of the first principle molecular orbital method using Hatre-Fock-Slater approximation. The used cluster model was $[Mn_{14}MO_{56}]^{-52}$ (M = transient metals). Madelung potential and spin polarization were considered for more exact calculations. As results of calculations, the energy levels of all electron included in the model were obtained. The energy band gap and positions of impurity levies were discussed in association with impurity 34 orbital that seriously affect electrical properties of $MnO_2$. It was shown that the energy band gap decreased with the increase of the atomic number of transient metal impurity.

• 전기화학회지
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• 제18권2호
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• pp.51-57
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• 2015

상온 이온성 액체인 propylmethylpyrrolidinium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide (PMPyr-TFSI)를 리튬이차전지 전해질 용매로 사용 시 PMPyr-TFSI 내 수분 및 브롬 불순물이 전지의 성능에 미치는 영향을 연구하였다. 고전압 양극 물질인 $LiNi_{0.5}Mn_{1.5}O_4$ 스피넬 구조 양극을 이용한 반쪽 전지의 전해질로 PMPyr-TFSI를 사용 하는데 있어, PMPyr-TFSI의 수분 함유량을 각각 12, 77, 1060 ppm으로 제어하고 전압 곡선 개형 및 쿨롱 효율 거동 추적을 통해 PMPyr-TFSI 수분량이 전지 성능에 부정적인 영향을 미치는 것을 구체적으로 확인하였다. 또한, PMPyr-TFSI 전해질 내의 브롬 이온 불순물 양 제어를 통하여, 전지 내에서 브롬 이온 불순물과 관련한 전기화학 부반응을 찾아 내었다. 이들 할로겐 불순물에 의한 초기 전지 쿨롱 효율저하는 눈에 띠었으나, 수명 저하에는 큰 변화가 없음을 확인하였다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권9호
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• pp.611-615
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• 1999

Piezoelectric properties of PMN-PZT ceramics with $CeO_2$ impurity were investigated. Mechanical quality factor, $Q_m$ of 1792, 1285 and the electromechanical coupling coefficient, $k_p$ of 0.52, 0.54 were obtained from the specimen with 0.25 and 0.5 mole % $CeO_2$ respectively. Curie temperature was decreased with the addition of $CeO_2$ while the electric coercive field was proportional to the amount of impurity. Based on the system ceramics with 0.5 mole % cerium oxide, a Rosen type piezoelectric transformer was fabricated and tested. Voltage step-up ratios of 230 and 13 were obtained from the transformer at no load and $100 k\Omega$ resistance, respectively. Experimental results showed a potential of the transformer for the practical use coupled with the expected strength increase by the grain size refinement.

• Journal of Magnetics
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• 제4권4호
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• pp.111-114
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• 1999

Numerical calculation for temperature dependence of galvanomagnetic properties of thin bismuth films is pursued. The quasi-two dimensional system is treated in the perturbation formalism of previous study, where realistic screened potential due to impurity is assumed to be the only scattering channel. The potential is separated into pure two dimensional part and the remaining presumed perturbation part. Relaxation time and mobilities for both electron and hole are evaluated, then temperature dependence of the Hall coefficient and magnetoresistance is obtained. The broad minimum of magnetoresistnace is manifested, and the interpretation under the kinetic theory is made. Thickness dependence of the quantities are also shown, which are in good agreement with the expected quantum size effect.

• 한국재료학회지
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• 제6권8호
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• pp.817-824
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• 1996

리모트 수소 플라즈마를 이용하여 Si 기판 위의 구리 오염의 제거 효과에 관하여 조사하였다. 최적의 공정 조건을 찾기 위하여 Si 기판을 1ppm ${CuCI}_{2}$ 표준 화학 용액으로 인위적으로 오염시킨 후 rf power와 세정시간, 거리 (수소플라즈마 중심에서 Si 기판표면까지의 거리)등의 공정 변수를 변화시키며 리모트 수소 플라즈마 세정을 실시하였다. 리모트 수소 플라즈마 세정 후 Si 표면의 분석을 위하여 TXRF(total x-ray reflection fluorescence)와 AFM(atomic force microscope)측정을 실시하였다. 리모트 수소 플라즈마 세정이 Cu의 제거에 효과적이며 Si 표면의 거칠기에 나쁜 영향을 주지 않음을 TXRF와 AFM 분석결과로부터 알 수 있었다. Cu 불순물의 흡착 메커니즘은 산화 환원 전위 이론으로 설명될 수 있으며, Cu 불순물의 제거 메커니즘은 XPS(x-ray photoelectron spectroscopy)분석결과를 근거로 하여 다음과 같이 설명할 수 있다. :먼저 Cu 이온이 Si 표면에 흡착되어 화학적 산화막을 생성한다. 그 다음, 수소 플라즈마 중의 반응성이 강한 수소이온이 이 산화막을 분해시켜 제거하며 Cu 불순물은 산화막이 제거될 때 함께 제거된다.

• 분석과학
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• 제35권3호
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• pp.93-115
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• 2022

의약품의 제조, 유통, 보관 과정에서 발생할 수 있는 잠재적 불순물은 의약품의 품질과 안전에 영향을 미치며 반응성이 높은 불순물의 경우 인체에 대한 발암성(변이원성)을 나타내기도 한다. 이를 위해 국제의약품규제조화위원회(International Conference on Harmonisation, ICH)에서는 "잠재적 발암 위해를 제한하기 위한 의약품 중 DNA 반응성(변이원성) 불순물의 평가 및 관리"에 대한 내용을 담은 M7(R1) 가이드라인을 제공하여 채택을 권고하였다. 하지만 가이드라인에서도 잠재적 불순물에 대한 분류, 섭취 허용량, 관리방안 등과 대표적인 불순물 14 종에 대한 가이드라인 적용을 소개하는데 그치고 있어 제약회사와 규제 당국에서 실제 관리를 위한 의약품 중 잠재적 불순물의 분석에 어려움을 겪고 있다. 이에 따라 본 총설에서는 비의도적 변이원성 불순물의 정의와 ICH M7(R1) 가이드라인에 소개된 내용을 간략하게 살펴보는 한편 현재까지 보고된 주요 잠재적 불순물의 분석 동향을 살펴보고자 한다. 이를 통해 식약처를 비롯한 감독 기관과 제약회사 등에서 의약품 중 잠재적 불순물 관리에 조금이나마 도움이 되고자 한다.

• 약학회지
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• 제37권1호
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• pp.76-83
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• 1993

The changes in discharge current, emission and/or oscillation frequency of the electric oscillation of a glow discharge are the potential sensitive measure of the concentration of an impurity in the argon plasma supporting gas. A single jet enhanced glow discharge has been interfaced with the gas chromatograph via 1/8" O.D. tube with a heating pad to study the changes in discharge current. To investigate the optimum operating conditions of the glow discharge system as detector for gas chromatography, pressure, gas flow rate, discharge current, distance between the anode and the cathode have been studied.