• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.195.2-195.2
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• 2013

플라즈마 중합 증착기술을 이용하여 ppMMA (plasma polymerized methyl methacrylate) 및 ppS (plasma polymerized styrene) 박막을 제작하고, ppMMA를 게이트 절연층, polymer electret인 ppS를 메모리층으로 한 전계효과트랜지스터 기반 유기 메모리 소자를 제작하였다. 메모리층인 ppS의 두께를 각각 30, 60, 90 nm로 달리한 유기 메모리 소자가 C-V 및 I-V 특성에서 나타내는 히스테리시스 현상을 분석하여 메모리 특성을 평가했으며, 메모리층의 두께 변화에 따른 유기 메모리 소자의 성능을 비교분석하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2001년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.72-72
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• 2001

Plasma polymerized thin films have been deposited on Si(lOO) substrates at $25-400^{\circ}C$ using thiophene ($C_4H_4S$) precursor by plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) method for low-dielectric device application. In order to compare physical properties of the as-grown thin films, the effects of the plasma power, gas flow ratio and deposition temperature on the dielectric constant and thermal stability were mainly studied. XRD and TED studies revealed that the as-grown thin films have highly oriented amorphous polymer structure. XPS data showed that the polymerized thin films that grown under different RF power and deposition temperature as well as different gas ratio of $Ar:H_2$ have different stoichiometric ratio of C and S compared with that of monomer, indicating a formation of mixture polymers. Moreover, we also realized that oxygen free and thermally stable polymer thin films could be grown at even $400^{\circ}C$. The results of SEM, AFM and TEM showed that the polymer films with smooth surface and sharp interface could be grown under various deposition conditions. From the electrical property measurements such as I-V and C-V characteristics, the minimum dielectric constant and the best leakage current were obtained to be about 3.22 and $10-11{\;}A/\textrm{cm}^2$, respectively.

• 접착 및 계면
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• 제10권1호
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• pp.17-22
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• 2009

Polymer thin films were prepared by radio frequency (RF) plasma polymerization of phthalic anhydride (PA). First, monomer vaporization temperature ($100{\sim}160^{\circ}C$) was optimized by evaluating the thermal properties of thin films using differential scanning calorimeter (DSC) and measuring the root-mean-square (RMS) roughness with atomic force microscope (AFM) at the fixed plasma power of 10 W and time of 5 min in a continuous-wave (CW) mode. Plasma power (5~20 W) was then optimized by measuring the film solubility in solvents such as toluene, acetone, dimethylsulfoxide (DMSO) and 1 methylpyrrolidine (NMP). Next, pulsed mode plasma polymerization was also studied by varying the duty cycle of on-time (5, 20%) under optimized conditions of continuous-wave (CW) mode ($120^{\circ}C$, 10 W) in order to increase the anhydride functional groups. Finally, polymer thin films were characterized by Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), thermogravimetric analyzer (TGA) and ${\alpha}$-step.

• 폴리머
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• 제25권4호
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• pp.594-601
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• 2001

표면을 개질시켜 극성기를 도입한 다음 열융착시키는 방법으로 접착제를 사용하지 않고도 폴리에틸렌 필름과 알루미늄 판을 직접 접합시킬 수 있는지를 살펴보았다. 폴리에틸렌 필름은 산소 및 아크릴산 플라즈마로 처리하여 극성기를 도입하였으며, 알루미늄 판은 끓는 물로 처리하거나 diaminocyclohexane 플라즈마로 처리하여 극성기를 도입하였다. 폴리에틸렌 필름의 표면만을 개질시킬 경우에도 상당히 높은 접착력을 얻을 수 있었으며, 알루미늄 판의 표면까지 개질시킬 경우에는 접착시험시 폴리에틸렌 필름이 끊어질 정도로 높은 접착력을 얻을 수 있었다. 특히, 아크릴산플라즈마로 처리한 폴리에틸렌 필름과 diaminocyclohexane 플라즈마로 처리한 알루미늄 판을 접합시킬 경우에는 필름 표면의 카르복실기와 판 표면의 아민기가 반응하여 아마이드 그룹을 형성하는 화학적 결합에 대한 가능성도 보여주었다.

• 접착 및 계면
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• 제4권1호
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• pp.28-34
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• 2003

강철 타이어 코드의 접착력 향상을 위하여 아세틸렌 플라즈마 중합 코팅, 아르곤 에칭+아세틸렌 플라즈마 중합 코팅, 그리고 아르곤 에칭+담채를 이용한 아세틸렌 플라즈마 중합 코팅을 실시하였으며, 접착력은 TCAT시편으로 측정하였다. 플라즈마 중합 코팅된 타이어 코드의 내구성을 고찰하기 위하여 제 1 단계로 아세틸렌 플라즈마 중합 코팅된 타이어코드를 상온에서 1, 3, 5, 10, 15일 동안 방치한 후 TCAT 시편을 제조하여 접착력변화를 측정하였으며, 제 2 단계로는 플라즈마 중합 코팅된 코드로 TCAT 시편을 제조한 후 증류수, 10% NaCl 수용액에서 또는 $100^{\circ}C$ 오븐에서 1, 2, 3, 4주간 노화시키면서 접착력 변화를 측정하였다. SEM/EDX을 이용하여 코드의 파괴표면을 분석하였으며, 황동코팅과 비교 분석하였다. 아르곤 에칭+담채를 이용한 아세틸렌 플라즈마 중합으로 코팅된 강철 타이어 코드의 접착력은 황동코팅된 시편의 접착력과 거의 같은 수준이었다. 타이어 코드의 상온 노화시험에서 황동코팅된 시편이 아세틸렌 플라즈마 중합 코팅된 시편에 비하여 우수 내구성을 보여주었으나, TCAT 시편의 노화에서는 아세틸렌 플라즈마 중합 코팅이 황동코팅에 비하여 우수하거나 비슷한 결과를 보였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제9권4호
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• pp.156-162
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• 2008

We report results on a study of inductively coupled plasma (ICP) etching of Parylene-C (poly-monochloro-para-xylylene) films using an $O_2$ gas. Effects of process parameters on etch rates were investigated and are discussed in this article from the standpoint of plasma parameter measurements, performed using a Langmuir probe and modeling calculation. Process parameters of interest include ICP source power and pressure. It was shown that major etching agent of polymer films was oxygen atoms O($^3P$). At the same time it was proposed that positive ions were not effective etchant, but ions played an important role as effective channel of energy transfer from plasma towards the polymer.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.12-17
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• 2003

본 연구에서는 MICP Etching system 을 이용한 Via contact 및 Deep contact hole etch process 특성을 연구하였다. Langmuir probe 를 이용한 MICP source 의 Plasma density & electron temperature 측정하였고 탄소와 플로우르를 포함하는 혼합 Plasma 를 형성하여 RF frequency, wall temperature, chamber gap, gas chemistry 등의 변화에 따른 식각 특성을 조사하였다. Plasma density 는 1000w 에서 $10^{11}$/$cm^3$ 이상의 high density plasma와 uniform plasma 형성을 확인하였고 $CH_{2}F_{2}$와 CO의 적절한 혼합비를 이용하여 Oxide to PR 선택비가 10 이상인 고선택비 조건을 확보하였다. 고선택비 형성에 따라 Polymer 형성이 많이 되었고 이를 개선하기 위하여 반응 챔버의 온도 조절을 통하여 Polymer 증착 방지에 효과적인 것을 확인하였다. MICP source를 이용하여 탄소와 플로우르의 혼합 가스와 식각 챔버의 온도 조절에 의한 선택비 증가를 확보하여 High Aspect Ratio Contact Hole Etch 가능성을 확보하였다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제35권5호
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• pp.445-450
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• 2011

본 연구에서는 상압 플라즈마를 발생시켜 고분자 재료의 표면 자유에너지와 접착력의 변화를 조사하였다. 고분자 재질은 PC, PET, EVA 를 사용하였으며 표면자유에너지 변화를 관찰하기 위해 Di water 와 diiodomethane을 사용하여 접촉각을 측정하였다. 플라즈마 처리에 따른 접착력의 변화를 관찰하기 위해 PET 필름에 고분자 필름을 부착시켜 $180^{\circ}$ peel test 를 수행하였다. 그 결과 PET 필름의 표면자유에너지 및 접착력이 가장 큰 것을 확인할 수 있었으며, 상압 플라즈마 표면처리 공정은 필름 계면의 접착력을 크게 증가시켜 주는 것을 확인하였다.

• 폴리머
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• 제38권2호
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• pp.205-212
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• 2014

본 연구에서는 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES)을 연소배가스에 포함된 수증기를 분리 및 회수하기 위한 고분자 분리막 소재로 사용하기 위해 다양한 물리 화학적 표면개질 방법을 사용하여 PES 평막 표면의 친수성을 향상시키고자 하였다. 균일한 PES 평막을 제조한 후 친수성 향상을 위한 개질 방법으로 산처리, 블렌딩 및 플라즈마 처리를 통해 표면개질을 하였고, 표면 특성을 비교하였다. PES 평막 표면의 특성 변화는 ATR-FTIR, XPS, SEM 및 접촉각 측정을 통해 관찰하였다. 황산을 이용한 산처리 방법과 양친매성 고분자를 이용한 블렌딩 방법에 의해 개질된 PES 평막에서는 접촉각의 변화가 크지 않았다. Ar 플라즈마 처리를 한 경우, 플라스마 처리 시간이 증가함에 따라 PES 표면의 친수성이 크게 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 본 결과를 통해 다양한 표면개질 방법 중 플라즈마 방법을 적용하여 PES 표면을 처리하는 것이 PES 막 표면의 친수성 향상에 가장 효과적임을 확인하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2006년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.142-142
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• 2006