In this paper, we describe a study on the influence of the frequency variation of normal vibration using an integrated tactile display. It is necessary to consider this study because we want to find a method of displaying finer texture and know that the perception of fine textures is heavily influenced by temporal variation. Our tactile display system used in this experiment can simulate the micro shapes and roughness of surface textures by individual drives of a 6x8 pin array. Two experiments are performed. The first is a psychophysical experiment on the definition and range decision of roughness, and through the experiment, we clear up the meaning of roughness. The second is the main experiment about the frequency variation of normal vibration. We find the correlation between the vibration frequency and the texture and the condition for better display and perception of fine surfaces. The experimental results yielded two pieces of information. One is that lateral movement affects texture discrimination, and another is that normal vibration can make the perceived texture feel finer than real texture. That is, the vibrating stimulus is more effective for displaying a fine surface than static pressure, and it makes possible to display finer texture, exceeding the physical limit of the device.
본 논문에서는 무선 LAN 표준안 IEEE 802.11의 직접대역확산(Direct Sequence Spread Spectrum) 물리계층을 지원하는 기저대역 모뎀 ASIC 칩의 아키텍쳐와 설계에 대해 기술한다. 구현된 모뎀 칩은 크게 송신부와 수신부로 구성되어 있으며, CRC 부호화/복호화기, 차동 부호화/복호화기, 주파수 옵셋 보상기(frequency offset compensator) 및 타이밍 복구 회로를 포함한다. 구현된 모뎀 칩은 4, 2 및 1Mbps의 다양한 데이타 전송률을 지원하고, DBPSK와 DQPSK의 변조방식을 사용한다. 구현한 모뎀 아키텍쳐는 $SAMSUNG^{TM}$$0.6{\mu}m$ 게이트 어레이 라이브러리(gate array library)를 사용하여 논리합성을 수행하였으며, 칩의 전체 게이트 수는 53,355개이다. 칩의 동작 주파수는 44MHz이며, 칩의 패키지는 100-pin QFP이고, 전력소모는 44MHz에서 1.2watt이다. 구현된 모뎀 아키텍쳐는 상용화된 HSP3824 칩 보다 우수한 BER성능을 나타낸다.
본 논문에서 제안된 패키지 안테나는 900 MHz RFID 대역에 적용하기 위하여 미엔더 라인과 단락 핀을 부설하고 LTCC(Low Temperature Cofired Ceramic) 층의 공동 내부에 RFID BGA(Ball Grid Array) 칩을 장착하였다. BGA 칩과 안테나 사이에 발생되는 커플링과 혼신을 감소시키기 위한 격리 특성을 확보하기 위하여 접지면과 비아 펜스를 부설하여 Faraday Cage를 구현하였다. 제안된 안테나는 낮은 주파수 대역에서 패키지 단계의 안테나 구현에 관점을 두었다. 제안된 안테나의 크기는 $13mm{\times}9mm{\times}3.51mm$이며, 측정된 안테나의 공진 주파수는 0.893 GHz, 임피던스 대역폭은 9 MHz, 최대 방사 이득은 -2.36 dBi를 나타내었다.
The increase in high speed, multi-function and high I/O pin semiconductor devices highly demands high pin count, very thin, and high density packages. BGA is one of the solutions, but the package has demerits in package reliability, surface mounting problems due to the PCB warpage and solder joint crack related with TCE mismatch between the materials. On this study to verify the thermal fatigue lifetime of the solder joint FEM and experiments were performed after surface mounting BGA with different solder composition and reliability conditions. FEM showed optimum composition of Ag3.2-Sn96.5 and under the composition minimum creep deformation of the solder joint was calculated, and the thermal fatigue lifetime was improved. In view of temperature cycle condition, the conditions of $-65^{\circ}C$to $150^{\circ}C$ showed minimum lifetime and t was 1/3 of $0^{\circ}C$ to $125^{\circ}C$ condition. Test board was prepared and solder joint crack was verified. Until 1000cycle on soder joint crack was observed.
마이크로 어레이 기술은 유전자 네트워크의 순서 와 게놈의 통합과 같은 많은 업적을 기여하고 있으며, 이러한 기술은 유전자 발현의 패턴을 조사하기 위한 수단 등으로 잘 확립 되어있다. DNA 마이크로배열은 Affymetric 칩을 이용하여 대량의 DNA 서열을 합성 할 수 있는데 기존의 DNA 어레이 스포팅에는 일반적으로 접촉방식과 압전전자 방법등 두가지 유형이 있다. 접촉방법은 유리 슬라이드 표면과 접촉하도록 스포팅핀을 사용하는데 이 방법은 표면 매트릭스의 손상이나 상처가 발생할 수 있어 단백질이 오염 되거나 특정 결합을 방해할 위험이 있다. 반면에 압전전자 방법은 대량 생산이 가능함에도 불구하고 결과를 인쇄할 분석기가 필요하므로 현재 실험실 내에서만 수행 가능한 실정이다. 본 논문에서 유리 슬라이드 표면에 닿지 않고 지속적으로 일관성 있게 스포팅이 가능하도록 하는 진보된 방법을 제시한다.
Connectors transmit electric signals to different parts in compact mobile display products. As products that apply this have become lightweight and smaller in size, there are growing demands for smaller and more integrated connectors, which are internal parts of the products. As a measure to address these demands, there is the planar array connector that minimizes the part by arranging the single-direction BTB connectors to two directions. As connectors become smaller in size and more highly integrated, maintaining intensity to prevent defects during impact and maintaining adhesive force to smoothly transmit electric signals are growing in importance. Thus, in order to identify the impact of concave shaping on improving adhesive power in connector terminal pins as a method to increase the connecting power of planar array connector terminal pins, this study predicted and examined the concave shaping method, number of concave shapes, and the adhesive power according to the size of the concave shape through CAE. For concave shaping, the model that added concave shaping towards the lower part of the connector terminal pin and added spokes for the area pressed down by the concave shaping was 0.74 N, showing increased adhesive force compared to existing models. Furthermore, when applying two concave shaping, rather than just one, there was a tendency for adhesive force to increase. In the case of adhesive power trends according to the size of the concave shaping, adhesive power increased and the width of the concave shape decreased, and the biggest adhesive force trends were shown when the concave shaping depth was 0.01mm.
X-ray detector는 의료용, 산업용 등 다양한 분야에서 사용되어지고 있으며 기존의 Analog X-ray 방식의 환경오염, 저장공간 부족, 실시간 분석의 어려움 등의 문제점들을 해결하기 위하여 Digital X-ray로의 전환과 연구가 활발하며 이에 따른 관심도 높아지고 있는 살점이다. Digital X-ray detector는 p-영역과 n-영역 사이에 아무런 불순물을 도핑하지 않은 진성반도체(intrinsic semiconductor) 층을 접합시킨 이종접합 PIN 구조의 photodiode 이다. 이 소자는 역바이어스를 가해주면 p영역과 n영역 사이에서 캐리어 (carrier)가 존재하지 않는 공핍 영역이 발생하게 된다. 이런 공핍 영역에서 광흡수가 일어나면, 전자-정공 쌍이 발생한다. 그리고, 발생한 전자-정공 쌍에 전압이 역방향으로 인가되는 경우, 전자는 양의 전극으로 이동하고, 정공은 음의 전극으로 이동한다. 이와 같이, 발생한 캐리어들을 검출하여 전기적인 신호로 변환 시킨다. 고해상도의 Digital X-ray detector를 만들기 위해서는 누설전류에 의한 noise 감소와 소자의 높은 안정성과 내구성을 위한 높은 breakdown voltage를 가져야 한다. 본 연구에서는 Digital X-ray detector의 leakage current 감소와 breakdown voltage를 높이기 위하여 guradring과 gettering technology를 사용하여 전기적 특성을 분석하였다. 기판으로는 $10k\Omega{\cdot}cm$ resistivity를 갖으며, n-type <111>인 1mm 두께의 4인치 Si wafer를 사용하였다. 그리고 pixel pitch는 $100{\mu}m$이며 active area는 $80{\mu}m{\times}80{\mu}m$인 $32\times32$ array를 형성하여 X-ray를 조사하여 소자의 특성을 평가 하였다.
Transillumination system used by radiation is widely applied to industrial imaging system. In this study, the linear detector array constructed with scintillator and pin diode, and a multi-channel data acquisition system was developed for precision inspection of end-milling. The detector module consists of $16-CdWO_4$crystal scintillator and photodiode array. The detector and data acquisition system was applied to precision inspection of end-mill and the images of the end-mill were successfully reconstructed. The total system can analyze the Detector Quantum Efficiency(DQE) of each system. The performance of developed photodiodes equipment was compared with each other for different crystal geometry and its characteristics. Finally fine details of the end-mill phantom were constructed for industrial application. The image acquired contains several objects on a real time data transfer and the linear X-ray scanning system can be applied to many fields of a industry.
The SliM (sliding memory plane) array processor has been proposed to alleviate disadvantages of existing mesh-connected SIMD(single instruction stream- multiple data streams) array processors, such as the inter-PE(processing element) communication overhead, the data I/O overhead and complicated interconnections. This paper presents the deisgn and implementation of SliM image processor ASIC (application specific integrated circuit) chip consisting of mesh connected 5 X 5 PE. The PE architecture implemented here is quite different from the originally proposed PE. We have performed the front-end design, such as VHDL (VHSIC hardware description language)modeling, logic synthesis and simulation, and have doen the back-end design procedure. The SliM ASIC chip used the VTI 0.8$\mu$m standard cell library (v8r4.4) has 55,255 gates and twenty-five 128 X 9 bit SRAM modules. The chip has the 326.71 X 313.24mil$^{2}$ die size and is packed using the 144 pin MQFP. The chip operates perfectly at 25 MHz and gives 625 MIPS. For performance evaluation, we developed parallel algorithms and the performance results showed improvement compared with existing image processors.
본 논문에서는 병렬식 광 인터컨넥트 응용을 위한 멀티채널 광수신기 어레이를 구현한다. 0.8$\mu$m Si/SiGe HBT 공정을 이용하여 설계한 수신기 어레이는 4채널의 전치증폭기 (transimpedance amplifier 혹은 TIA)와 PIN 광다이오드를 포함하는데, TIA는 일반적인 에미터 접지 (common-emitter 혹은 CE) 입력단을 취한다. 측정결과로서, CE TIA 어레이는 3.9GHz 주파수 대역폭과 62dB$\Omega$ 트랜스 임피던스 이득, 7.SpA/sqrt(Hz) 평균 노이즈 전류 스펙트럼 밀도 및 -2SdB 채널 간 crosstalk 성능을 가지며, 4채널 전체 모듈이 40mW 전력소모를 보인다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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