In this paper, double texturization of multi crystalline silicon solar cells was studied with laser and reactive ion etching (RIE). In the case of multi crystalline silicon wafers, chemical etching has problems in producing a uniform surface texture. Thus various etching methods such as laser and dry texturization have been studied for multi crystalline silicon wafers. In this study, laser texturization with an Nd:$YVO_4$ green laser was performed first to get the proper hole spacing and $300{\mu}m$ was found to be the most proper value. Laser texturization on crystalline silicon wafers was followed by damage removal in acid solution and RIE to achieve double texturization. This study showed that double texturization on multi crystalline silicon wafers with laser firing and RIE resulted in lower reflectance, higher quantum yield and better efficiency than that process without RIE. However, RIE formed sharp structures on the silicon wafer surfaces, which resulted in 0.8% decrease of fill factor at solar cell characterization. While chemical etching makes it difficult to obtain a uniform surface texture for multi crystalline silicon solar cells, the process of double texturization with laser and RIE yields a uniform surface structure, diminished reflectance, and improved efficiency. This finding lays the foundation for the study of low-cost, high efficiency multi crystalline silicon solar cells.
Park, Eun Bee;Cho, Geun Yuoung;Cho, Sung Bae;Kim, Hyun Jun;Yu, Jeong Jae;Park, Chi Hong
Current Photovoltaic Research
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v.4
no.4
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pp.159-163
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2016
Piled snow upon PV module interferes with Photoelectric Effect process through photovoltaic directly. As a result of this phenomenon, its generation efficiencies keep decreasing or are stuck at zero power generating status. In addition, PV facilities have been installed on those places such as water surface, roof-top, and other isolated places, dealing with conditions of "Securing high REC weighted value", "Difficulty of securing land" and so forth. Through this study, we are able to actualize the function of heating over PV modules when it snows. We adopted laminating method through heating film and modules, guaranteeing warranty more than for 25 years. Also we are trying remote control systemically, not by hardware control, to run parallel with automatic driving and monitoring system which enable to control operation time, insolation, amount of snowfall automatically. We applied analysis of actual proof to both snow removal PV system and general PV power system, and these led to bear power consumption analysis while snow-removing, and its comparison after finishing the task as "One stone, two birds." In the long run, we could carry out economic analysis against snow removal system, and this helps to verify the most maximized control method for snow removal conditons on a basis of weather information. this study shall let prevent people from negligent accidents, and improve power generation problems as mentioned from the top. Ultimately, we expect to apply this system to heavy snowfall regions in winter season in spite of its limited system installaion in Korean territory, initially.
Park, Ju Young;Hong, Chang Woo;Moon, Jong Ha;Gwak, Ji Hye;Kim, Jin Hyeok
Current Photovoltaic Research
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v.3
no.3
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pp.75-79
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2015
Recently, $Cu_2ZnSn(S_xSe_{1-x})_4$ (CZTSSe) has been received a tremendous attraction as light absorber material in thin film solar cells (TFSCs), because of its earth abundance, inexpensive and non-toxic constituents and versatile material characteristics. Kesterite CZTSSe thin films were synthesized by sulfo-selenization of sputtered Cu/Sn/Zn stacked metallic precursors. The sulfo-selenization of Cu/Sn/Zn stacked metallic precursor thin films has been carried out in a graphite box using rapid thermal annealing (RTA) technique. Annealing process was done under sulfur and selenium vapor pressure using Ar gas at $520^{\circ}C$ for 10 min. The effect of tuning Se/(S+Se) precursor composition ratio on the properties of CZTSSe films has been investigated. The XRD, Raman, FE-SEM and XRF results indicate that the properties of sulfo-selenized CZTSSe thin films strongly depends on the Se/(S+Se) composition ratio. In particular, the CZTSSe TFSCs with Se/(S+Se) = 0.37 exhibits the best power conversion efficiency of 4.83% with $V_{oc}$ of 467 mV, $J_{sc}$ of $18.962mA/cm^2$ and FF of 54%. The systematic changes observed with increasing Se/(S+Se) ratio have been discussed in detail.
Beside several advantages, the PV power generation as a clean energy source, is still below the supply level due to high power generation cost. Therefore, the interest in fabricating low-cost thin film solar cells is increasing continuously. $Cu_2O$, a low cost photovoltaic material, has a wide direct band gap of ~2.1 eV has along with the high theoretical energy conversion efficiency of about 20%. On the other hand, it has other benefits such as earth-abundance, low cost, non-toxic, high carrier mobility ($100cm^2/Vs$). In spite of these various advantages, the efficiency of $Cu_2O$ based solar cells is still significantly lower than the theoretical limit as reported in several literatures. One of the reasons behind the low efficiency of $Cu_2O$ solar cells can be the formation of CuO layer due to atmospheric surface oxidation of $Cu_2O$ absorber layer. In this work, atomic layer deposition method was used to remove the CuO layer that formed on $Cu_2O$ surface. First, $Cu_2O$ absorber layer was deposited by electrodeposition. On top of it buffer (ZnO) and TCO (AZO) layers were deposited by atomic layer deposition and rf-magnetron sputtering respectively. We fabricated the cells with a change in the deposition temperature of buffer layer ranging between $80^{\circ}C$ to $140^{\circ}C$. Finally, we compared the performance of fabricated solar cells, and studied the influence of buffer layer deposition temperature on $Cu_2O$ based solar cells by J-V and XPS measurements.
In this paper, the optimized doping condition of crystalline silicon solar cells with 156 ${\times}$ 156 mm2 area was studied. To optimize the drive-in condition in the doping process, the other conditions except drive-in temperature and time were fixed. After etching 7 ${\mu}m$ of the surface to form the pyramidal structure, the silicon nitride deposited by the PECVD had 75~80 nm thickness and 2 to 2.1 for a refractive index. The silver and aluminium electrodes for front and back sheet, respectively, were formed by screen-printing method, followed by firing in $400-425-450-550-850^{\circ}C$ five-zone temperature conditions to make the ohmic contact. Drive-in temperature was changed in range of $828^{\circ}C$ to $860^{\circ}C$ and time was from 3 min to 40 min. The sheet resistance of wafer was fixed to avoid its effect on solar cell. The solar cell fabricated with various conditions showed the similar conversion efficiency of 17.4%. This experimental result showed the drive-in temperatures and times little influence on solar cell characteristics.
BIPV system is one of the best ways to harness PV module. The BIPV system not only produces electricity, but also acts as a building envelope. Thus, it has the strong point of increasing the economical efficiency by applying the PV modules to the buildings. Bifacial solar cells can convert solar energy to electrical energy from both sides of the module. In addition, it is designed as 3 busbar layout which is the same with ordinary mono-facial soalr cells. Therefore, many of the module manufacturers can easily produce the bifacial solar cells without changing their manufacturing equipment. Moreover, bifacial BIPV system has much potential in building application by utilizing glass to glass structure. However, the performance of bifacial solar cells depends on a variety of factors, ranging from the back surface to surrounding conditions. Therefore, in order to apply bifacial solar cells to buildings, an analysis of bifacial PV module performance should be carried out that includes a consideration of various design elements, and reflects a wide range of installation conditions. As a result it found that the white insulation reflector type can improve the performance of the bifacial BIPV system by 16%, compared to the black insulation reflector type. The performance of the bifacial BIPV was also shown to be influenced by inclination angle, due to changes in both the amount of radiation captured on the front face and the radiation transmitted to the rear face through the transparent space. In this study is limited design condition and installation condition. Accordingly follow-up researches in this part need to be conducted.
The feasibility of replacing the tope cell of pn GaInP homojunction with our GaInP/AlGaInP heterojunction structure in III-V semiconductor multijunction photovoltaic (MJPV) cells having the highest current conversion efficiency was investigated. The performance of photovoltaic (PV) cells grown on $2^{\circ}$ and $10^{\circ}$ off-oriented GaAs substrates were compared to each other. The PV cells on the $10^{\circ}$ off-cut substrate showed higher short-circuit current density ($J_{sc}$) and conversion efficiency values than that of using the $2^{\circ}$ one. For $2{\times}2mm^2$ area PV cell on $10^{\circ}$ off substrate, the $J_{sc}$ of $9.21mA/cm^2$ and the open-circuit voltage of 1.38 V were measured under 1 sun illumination. For $5{\times}5mm^2$ cell on $10^{\circ}$ off substrate, the conversion efficiency was decreased from 6.03% (1 sun) to 5.28% (20 sun) due to a decrease in fiill factor (FF).
Recently, the expansion of the domestic solar market due to the promotion of eco-friendly and alternative energy-related policies is promising, and it is expected to lead the high-efficiency/high-power module market based on M10 or larger cells to reduce LCOE, 540-560W, M12 based on M10 cells Compared to the existing technology with an output of 650-700W based on cells, it is necessary to secure competitiveness through the development of modules with 600W based on M10 cells and 750W based on M12 cells. For the development of high efficiency/high-power n-type bifacial, it is necessary to secure a lightweight technology and structure due to the increase in weight of the glass to glass module according to the large area of the module. Since the mechanical strength characteristics according to the large area and high weight of the module are very important, design values such as a frame of a new structure that can withstand the mechanical load of the Mechanical Load Test and the location of the mounting hole are required. In this study, a structural analysis design model was introduced to secure mechanical reliability according to the enlargement of the module area, and the design model was verified through the mechanical load test of the actual product. It can be used as a design model to secure the mechanical reliability required for PV modules by variables such as module area, frame shape, and the location and quantity of mounting holes of the structural analysis model verified. A relationship of output drop can be obtained.
Dong-Hyeon Shin;Seung-Han Lee;Tae-Sik Cho;Il-Sub Kim
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.36
no.2
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pp.186-190
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2023
We studied the various characteristics of Sn-In (wt%) Pb-free solders for photovoltaic ribbon application. The solders near the eutectic composition of Sn48In52 (wt%) existed in InSn4 and In3Sn alloy phases, and in In crystal phase, but not in Sn crystal phase. In addition, the InSn4 phase (γ-alloy) existed separately from the In3Sn (β-alloy) and the In phase confirmed by an SEM-EDS-mapping. The melting temperature of the eutectic solder of Sn48In52 (wt%) was 119.2℃, and when the Sn content decreased in reference to the eutectic composition, it slightly increased to 121.4℃, but when the Sn content increased, it remained almost constant at 119.1℃. The peel strength of the ribbon plated with the Sn42In58 (wt%) solder was 38.7 N/mm2, and it tended to increase when the Sn content increased. The peel strength of the eutectic Sn48In52 (wt%) solder was 53.6 N/mm2, and that of the Sn51In49 (wt%) solder was 61.6 N/mm2 that was the highest.
Expanding the supply of BIPV is crucial to strengthening the competitiveness of the photovoltaic industry and achieving Nationally Determined Contributions through the zero-energy building mandatory policy. BIPV is a technology that integrates into the building envelope to generate electricity and provide functions as a building material. It is suitable for domestic environments with many high-rise buildings due to the narrow land area and urbanization. To expand the supply of BIPV, economics, safety, and aesthetics must be ensured. In this study, a color BIPV module with a color PET film applied as a front material was manufactured for aesthetic and economic feasibility. The relationship between power output and transmittance according to color was analyzed. By analyzing the power output of the module and the transmittance of the film, the wavelength band (transmittance reduction band) that has the greatest effect on efficiency was analyzed regarding the color of the film. The red film showed the narrowest transmittance reduction band and the lowest degree of decrease in transmittance, making it ideal for minimizing the efficiency decrease rate compared to existing ones.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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