We fabricated organic electroluminescent(EL) devices with mixed emitting layer of poly(N-vinylcarbazole)(PVK), 2,5-bis(5'-tert-butyl-2-benzoxazoly)thiophene(BBOT), N,N'-diphenyl-N,N'-(3-methyphenyl)-1,1'-biphenyl-4, 4'-diarnine(TPD) and poly(3-hexylthiophene)(P3HT). To improve the external quantum efficiency of EL devices, we added the functional layer to the devices such as LiF insulating layer, carrier confinement layer(BBOT) and hole injection layer(CuPc). In the ITO/emitting layer/Al device, the maximum quantum efficiency at 15V was $1.88{\times}10^{-5}%$. And then, it is increased by a factor of 27 to $5.2{\times}10^{-3}%$ in ITO/CuPc/emitting layer/BBOT/LiF/Al device at 15V.
We have seen the effects of buffer layer in organic light-emitting diodes using poly(N-vinylcarbazole)(PVK). Polymer PVK buffer layer was made using spin casting techniques. Two different types of spin casting have been applied; static coating and dynamic coating. Two device structures were fabricated; one is ITO/TPD/Alq$_3$/Al as a reference, and the other is ITO/PVK/TPD/Alq$_3$/Al to see the effects of buffer layer in organic light-emitting diodes. Current-voltage characteristics and luminous efficiency were measured with a variation of spin-casting methods and rpm speeds. We have obtained an improvement of luminous efficiency by a factor of two and half when the PVK buffer layer is used.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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pp.1404-1407
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2005
We have fabricated organic light-emitting diodes using poly(N-vinylcarbazole)(PVK) doped with N,N'- diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-[l,l'-biphenyl]- 4,4/-diamine (TPD) as the hole transport layer. TPD molecules act as the trapping sites in PVK and reduce the hole mobility, which can enhance the electronhole balance in the emitting layer, resulting in the enhanced device performance. We have found the optimum ratio of TPD to PVK for the EL efficiency.
We have developed highly efficient blue phosphorescent organic light-emitting devices (OLED) with simplified architectures using blue phosphorescent material. The basis device structure of the blue PHOLED was anode / emitting layer (EML) / electron transport layer (ETL) / cathode. The dopant was partially doped into the host layer for investigating recombination zone, current efficiency, and emission characteristics of the blue PHOLEDs.
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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제7권2호
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pp.52-55
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2006
The OLEDs(Organic Light-Emitting Diodes) structure organizes the bottom layer using glass, ITO(indium thin oxide), hole injection layer, hole transport layer, emitting material layer, electron transport layer, electron injection layer and cathode using metal. OLED has various advantages. OLEDs research has been divided into structural side and emitting material side. The amount of emitting light and luminescence efficiency has been improved by continuing effort for emitting material layer. The emitting light mechanism of OLEDs consists of electrons and holes injected from cathode and anode recombination in emitting material layer. The mobilities of injected electrons and holes are different. The mobility of holes is faster than that of electrons. In order to get high luminescence efficiency by recombine electrons and holes, the balance of their mobility must be set. The more complex thin film structure of OLED becomes, the more understanding about physical phenomenon in each interface is needed. This paper observed what the thickness change of hole transport layer has an affection through the below experiments. Moreover, this paper uses numerical analysis about carrier transport layer thickness change on the basis of these experimental results that agree with simulation results.
We have been fabricated white organic light emitting diode with two-wavelength ard mixing blue emit in DPVBi (4, 4-bis(2, 2-diphenylvinyl)-1, 1 -biphenyl)layer and yellow emit in rubrene (5, 6, 11, 12-tetraphenylnaphthacene)as emitting layer which are controlled with thickness. This device emits white light emitting in CIE (0.29, 0.33), 1000cd/$m^2$ at DC 18V.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.837-838
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2009
In this work, pyromellitic dianhydride (PMDA) was used as a cathode interfacial layer in the organic light emitting diodes (OLEDs) and its thickness was optimized. Various electrical and optical characterizations of the OLEDs having various thicknesses of the PMDA cathode interfacial layer revealed that the best OLED performance could be achieved by using 0.5 nm-thick PMDA layer compared to the control device without any interfacial layer.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제13권2호
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pp.60-63
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2012
Enhancement of efficiency and luminance of organic light-emitting diodes was investigated by the introduction of a lithium carbonate ($Li_2CO_3$) electron-injection layer. Electron-injection layer is used in organic light-emitting diodes to inject electrons efficiently between a cathode and an organic layer. A device structure of ITO/TPD (40 nm)/$Alq_3$ (60 nm)/$Li_2CO_3$ (x nm)/Al (100 nm) was manufactured by thermal evaporation, where the thickness of $Li_2CO_3$ layer was varied from 0 to 3.3 nm. Current density-luminance-voltage characteristics of the device were measured and analyzed. When the thickness of $Li_2CO_3$ layer is 0.7 nm, the current efficiency and luminance of the device at 8.0 V are improved by a factor of about 18 and 3,000 compared to the ones without the $Li_2CO_3$ layer, respectively. The enhancement of efficiency and luminance of the device with an insertion of $Li_2CO_3$ electron-injection layer is thought to be due to the lowering of an electron barrier height at the interface region between the cathode and the emissive layer. This is judged from an analysis of current density-voltage characteristics with a Fowler-Nordheim tunneling conduction mechanism model. In a study of lifetime of the device that depends on the thickness of $Li_2CO_3$ layer, the optimum thickness of $Li_2CO_3$ layer was obtained to be 1.1 nm. It is thought that an improvement in the lifetime is due to the prevention of moisture and oxygen by $Li_2CO_3$ layer. Thus, from the efficiency and lifetime of the device, we have obtained the optimum thickness of $Li_2CO_3$ layer to be about 1.0 nm.
Top emission organic light-emitting diode is commonly used because of high efficiency and good color purity than bottom - emission organic light-emitting device. Unlike BEOLED, TEOLED contain semi-transparent metal cathode. Because of semi-transparent cathode, micro cavity effect occurs in TEOLED. We optimized this effect by changing the thickness of hole injection layer. Device consists of is indium-tin-oxide / N,N'-Di-[(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl]-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (x nm) / tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (50nm) / LiF(0.5nm) / Mg:Ag (1:9), and we changed NPB thickness which is used as HTL in our device in order to study how micro cavity effects are changed by optical path. As the results, NPB thickness at 35nm showed the current efficiency of 8.55Cd/A.
We report on characteristics of specially designed inductively-coupled-plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) system for top-emitting organic light emitting diodes (TOLEDs). Using high-density plasma on the order of $10^{11}$ electrons/$cm^3$ generated by linear-type antennas connected in parallel and specially designed substrate cooling system, a 100 nm-thick transparent $SiN_{x}$ passivation layer was deposited on thin Mg-Ag cathode layer at substrate temperature below $50\;^{\circ}C$ without a noticeable plasma damage. In addition, substrate-mask chucking system equipped with a mechanical mask aligner enabled us to pattern the $SiN_x$ passivation layer without conventional lithography processes. Even at low substrate temperature, a $SiN_x$ passivation layer prepared by ICP-CVD shows a good moisture resistance and transparency of $5{\times}10^{-3}g/m^2/day$ and 92 %, respectively. This indicates that the ICP-CVD system is a promising methode to substitute conventional plasma enhanced CVD (PECVD) in thin film passivation process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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