• 제목/요약/키워드: optoelectronic system

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A Novel 3-D Imaging Configuration Exploiting Synthetic Aperture Ladar

  • Guo, Liang;Huang, Yinli;Li, Xiaozhen;Zeng, Xiaodong;Tang, Yu;Xing, Mengdao
    • Current Optics and Photonics
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    • 제1권6호
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    • pp.598-603
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    • 2017
  • Traditional three-dimensional (3-D) laser imaging systems are based on real aperture imaging technology, whose resolution decreases as the range increases. In this paper, we develop a novel 3-D imaging technique based on the synthetic aperture technology in which the imaging resolution is significantly improved and does not degrade with the increase of the range. We consider an imaging laser radar (ladar) system using the floodlight transmitting mode and multi-beam receiving mode. High 3-D imaging resolutions are achieved by matched filtering the linear frequency modulated (LFM) signals respectively in range, synthetic aperture along-track, and the real aperture across-track. In this paper, a novel 3-D imaging signal model is given first. Because of the motion during the transmission of a sweep, the Doppler shift induced by the continuous motion is taken into account. And then, a proper algorithm for the 3-D imaging geometry is given. Finally, simulation results validate the effectiveness of the proposed technique.

AlN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구 (Characteristics of Thick GaN on Si using AlN and LT-GaN Buffer Layer)

  • 백호선;이정욱;김하진;유지범
    • 한국재료학회지
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    • 제9권6호
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    • pp.599-603
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    • 1999
  • AIN과 저온 GaN 완충충율 이용하여 Si 기판 위의 후막 GaN의 성장특성을 조샤하였다. Si과 GaN의 격자부정합도와 열팽창계수의 차이를 줄이기 위해 AIN과 저온 GaN를 완충충으로 사용하였다. AIN은 RF sputter를 이용하여 중착온도와 증착시간 및 RF power에 따른 표면 거칠기를 AFM으로 조사하여 최척조건을 확립하여 사용하였다. 또한 저온에서 GaN를 성장시켜 이를 완충충으로 이용하여 후막 GaN의 성장시 미치는 영향을 살펴보았다. 성장온도와 V/III 비율이 후막 성장시 표면특성과 결정성 및 성장속도에 미치는 영향을 조사하였다. 후막 GaN의 표연특성 및 막의 두께는 SEM과 $\alpha-step$을 이용하여 측정하였으며 결정성은 X-ray Diffractometer를 이용하여 조사하였다.

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Active control of amplitude and phase of high-power RF systems in EAST ICRF heating experiments

  • Guanghui Zhu;Lunan Liu;Yuzhou Mao;Xinjun Zhang;Yaoyao Guo;Lin Ai;Runhao Jiang;Chengming Qin;Wei Zhang;Hua Yang;Shuai Yuan;Lei Wang;Songqing Ju;Yongsheng Wang;Xuan Sun;Zhida Yang;Jinxin Wang;Yan Cheng;Hang Li;Jingting Luo
    • Nuclear Engineering and Technology
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    • 제55권2호
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    • pp.595-602
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    • 2023
  • The EAST ICRF system operating space has been extended in power and phase control with a low-level RF system for the new double-strap antenna. Then the multi-step power and periodic phase scanning experiment were conducted in L-mode plasma, respectively. In the power scanning experiment, the stored energy, radiation power, plasma impedance and the antenna's temperature all have positive responses during the short ramp-ups of PL;ICRF. The core ion temperature increased from 1 keV to 1.5 keV and the core heating area expanded from |Z| ≤ 5 cm to |Z| ≤ 10 cm during the injection of ICRF waves. In the phasing scanning experiment, in addition to the same conclusions as the previous relatively phasing scanning experiment, the superposition effect of the fluctuation of stored energy, radiation power and neutron yield caused by phasing change with dual antenna, resulting in the amplitude and phase shift, was also observed. The active control of RF output facilitates the precise control of plasma profiles and greatly benefits future experimental exploration.

SOI 응용을 위한 반도체-원자 초격자 다이오드의 광전자 특성 (Optoelectronic Properties of Semiconductor-Atomic Superlattice Diode for SOI Applications)

  • 서용진
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제10권3호
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    • pp.83-88
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    • 2003
  • 증착온도와 어닐링 조건에 따른 반도체-원자 초격자 구조의 광전자특성이 연구되었다. 나노결정의 Si-O 초격자 구조는 MBE 시스템에 의해 형성되었다. 다층의 Si-O 초격자 다이오드는 매우 안정한 포토루미네슨스 특성과 높은 브레이크다운 전압을 갖는 양호한 절연 특성을 나타내었다. 이러한 결과는 미래의 초고속 및 저전력 CMOS 소자에서 SOI 구조의 대체 방안으로 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 실리콘계 광전자 소자 및 양자 전자 소자에도 응용될 수 있을 것이다.

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단일칩 마이크로 프로세서로 구현한 연속 차광 감지 시스템의 설계 (Design of Successive Safety Light Curtain System Using Single Chip Microprocessor)

  • 박찬원;이영준
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 G
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    • pp.3233-3235
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    • 1999
  • This paper describes development of a microprocessor-based optoelectronic guard system established a higher level of control reliability in machine guard design. The system uses the design concept of diverse redundancy and a fast software algorithm. We have accomplished an safety light curtain system that allows to be intentionally disabled moving machine by the interrupt of dangerous situations. As a result, it is showed that the proposed system is effective enough to practical applications.

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흰쥐의 좌골 신경 자극을 통한 광전 자극의 가능성에 대한 연구 (Feasibility of Optoelectronic Neural Stimulation Shown in Sciatic Nerve of Rats)

  • 김의태;오승재;박형원;김성준
    • 대한의용생체공학회:의공학회지
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    • 제25권6호
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    • pp.611-615
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    • 2004
  • 본 연구는 외부 전원 없이 광다이오드만을 이용하여 생성한 광전 자극을 통해 신경계를 효과적으로 자극하는 방법에 대한 것이다. 광을 통한 전류원 생성 및 전달은 생체 내에 집적된 광소자를 삽입하고 외부에서 광을 통해 신호와 전력을 전달을 한다. 이 기술은 특히 '눈' 이라는 광학적인 연결통로를 이용할 수 있는 인공망막과 같은 시스템에 매우 효과적이다. 그러나 광전 소자를 내부 전원 없이 구동시키는 경우, 광전류가 생체 저항에 직접적인 영향을 받게 되므로 자극에 충분한 전류를 생성할 수 없다. 무 전원 광다이오드를 통해 생성되는 광전류를 신경 자극에 적용하기 위해서는 생체 저항의 크기에 관계없이 활동 전위 생성에 충분한 전류 공급을 할 수 있는 안정된 전류원이 필요하다. 이를 위해서 본 연구에서는 병렬 저항을 도입하였다. 병렬 저항 추가 시 생체 저항을 포함한 전체 저항 값이 낮아지므로, 광원의 세기에 따라 최대의 광전류에 근접한 값을 얻을 수 있게 된다. 그러나 병렬 저항 값의 크기를 낮출수록 자극에 쓰이지 않는 전류량이 늘어나므로, 자극 전류량의 극대 값을 찾기 위해서는 병렬 저항 값의 최적화가 필요하다. 실험을 통해 측정된 실제 자극 전류량이 최대가 되는 병렬 저항 값의 범위는 500Ω∼700Ω 이고, 이때 전류량은 580uA∼860uA 이며 전류 효율은 47.5∼59.7%이었다. 자극의 크기와 빈1도를 변화시키면서 쥐의 좌골 신경을 자극하여 눈으로 확인 가능한 떨림 현상을 확인하였으며, 다채널 기록기를 이용해 활동 전위를 측정하였다. 이를 통해, 인공 망막에서의 광 자극 가능성을 확인할 수 있었다.

Optical Characteristics of Oxygen-doped ZnTe Thin Films Deposited by Magnetron Sputtering Method

  • Kim, Seon-Pil;Pak, Sang-Woo;Kim, Eun-Kyu
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.253-253
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    • 2011
  • ZnTe semiconductor is very attractive a material for optoelectronic devices in the visible green spectral region because of it has direct bandgap of 2.26 eV. The prototypes of ZnTe light emitting diodes (LEDs) have been reported [1], showing that their green emission peak closely matches the most sensitive region of the human eye. The optoelectronic properties of ZnTe:O film allow to expect a large optical gain in the intermediate emission band, which emission band lies about 0.4-0.6 eV below the conduction band of ZnTe [2]. So, the ZnTe system is useful for the production of high-efficiency multi-junction solar cells [2,3]. In this work, the ZnTe:O thin films were deposited on Al2O3 substrates by using the radio frequency magnetron sputtering system. Three sets of samples were prepared using argon and oxygen as the sputtering gas. The deposition chamber was pre-pumped down to a base pressure of 10-7 Torr before introducing gas. The deposition pressure was fixed at 10-3 Torr throughout this work. During the ZnTe deposition, the substrate temperature was 300 oC. The optical properties were also investigated by using the ultraviolte-visible (UV-Vis) spectrophotometer.

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주변광 영향을 받지 않는 아크방전 감지 센서 (Arc Discharge Sensor having Noise Immunity to Ambient Light)

  • 노희혁;서용마;히식수렝;최규남
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2013년도 춘계학술대회
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    • pp.726-728
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    • 2013
  • 전력배전반 내 아크방전을 감지할 수 있도록 광전자 방식 아크방전 감지센서를 구현하였다. 아크방전은 시작되면 전력시스템에 치명적이므로 전력차단이 발생하기 전에 사전에 이를 감지하는 것이 필요하다. 전력배전반 내 전력 기기에 직접적인 전기적 접촉을 피하기 위하여 광전자적 감지 방식이 사용되었다. $7.5mm^2$의 수광면적을 갖는 수광소자와 $2.16cm^2$ 발광면적에서 1.9J의 에너지를 발광하는 즉 $0.4cal/cm^2$ 에너지 밀도를 갖는 플래쉬 광원을 사용하여 180도 감지각과 감시 목적으로는 충분한 6m 이상의 감지거리가 달성되었다. 아크방전 센서의 반응속도는 1 msec 미만으로 측정되었으며 감도는 최대 0.94 pC 의 전하를 감지할 수 있을 정도로 민감함을 보여주었다.

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New Generation Color Filter Technology in TFT-LCD

  • Koo, Horng Show
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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    • pp.408-411
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    • 2004
  • Color filter is a fundamental and necessary component to make a full-color TFT-LCD, its quality intensively influence the performance of TFT-LCD in the application of Notebook Computer, Monitor and Television. Color filter in chromaticity also make an effect for human visual system and video enjoyment. Recently, mother glass size is enlarged for demand of large-size panels and new generation color .filter technology for large-size liquid crystal cell panels is also developed. Here, latest generation color filter technology in TFT-LCD will be discussed.

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