Aluminum alloy(3003) can be dissolved during hydration process with hot tap water. In order to increase the stability of aluminum alloy, it was pretreated with anodization and phosphoric acid before hydration process. The effect of pretreatment on the surface property changes was analyzed with X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Inductively Coupled Plasma-Optical Emission Spectrometer (ICP-OES) and their results supported that the increase of hydroxyl group (-OH) on the surface formed during anodization and phosphorous acid treatment prevented the dissolution of aluminum alloy during hydration process at high temperature.
본 연구에서는 대기압 하에서 평판형의 금속전극 양단에 펄스전압을 인가하여 대기압/저온 마이크로 플라즈마를 지속적으로 발생시키는 방법을 제안하고 구동전원 특성 및 플라즈마의 전기, 광학적 특성에 관한 연구를 수행하였다. 또한 Comsol 프로그램을 사용하여 이론적 해석을 하였으며, OES(Optical Emission Spectrometer)를 사용하여 측정 및 분석을 하였다.
New method to encode multiple photonic features of Bragg type reflector on silicon wafer has been investigated. Multiple bit encodes of distributed Bragg reflector features have been prepared by electrochemical etching of crystalline silicon by using various square wave current densities. Optical characterization of multi-encoding of distributed Bragg reflectors on porous silicon was achieved by Ocean optics 2000 spectrometer for the search of possible applications of multiple bit encoding of distributed Bragg reflectors such as multiplexed assays and chemical sensors. The morphology and cross-sectional structure of multi-encoded distributed Bragg reflectors was investigated by field emission scanning electron micrograph.
A helical inductively coupled plasma asher, which produces low energy and high density plasma, has been built and investigated for photoresist stripping process. Oxygen ion density in the order of $10^{11}/cm^3$ is measured by Langmuir probe, and higher oxygen radical density is observed by Optical Emission Spectrometer. As RF source power is increased, the plasma density and thus photoresist stripping rate are increased. Independent RF bias power to the wafer stage provides a dc bias to the wafer and an ability to add the ion assisted reaction. At 1 KW of the source power, the coupling mechanism of the RF power to the plasma is changed from the inductive mode to the capacitive one at about 1 Torr. This change causes the plasma density and ashing rate decreases abruptly. The critical pressure of the mode change becomes larger with larger RF power.
본 연구는 강유전체 박막의 buffer 층으로 사용되는 Yttrium oxide($Y_2O_3$) 박막에 대한 $BCl_3$/Ar 혼합가스 식각 특성에 대해 연구하였다. 식각 메카니즘을 해석하기 위해 QMS(Quadrupole Mass Spectrometer), OES(Optical Emission Spectroscopy)를 사용하여 플라즈마 특성을 추출하였다. 공정 조건(source power, bias power, pressure, total gas flow)을 동일하게 유지하고 $BCl_3$/Ar 혼합가스 비율을 변화시키며 실험을 진행 하였다. 혼합가스의 비율이 $BCl_3$(80%)/Ar(20%)일때 가장 높은 식각 속도을 나타냈고, 이후 점차 감소하였다. 이때의 식각 속도는 8.8 nm/min 였다. 이에 $Y_2O_3$는 이온 보조 화학식각 특성을 가짐을 확인하였다.
폐 자원에서 회수한 주석 조금속의 주석 순도 및 불순물 순도, 전해정련 및 진공정련 후 주석 순도를 ICP-OES (Inductively Coupled Plasma Optical Emission Spectrometer)분석을 통해 확인하였다. 무기산 전해액에서 전해정련 수행결과 고순도 주석을 확보하였고, 이후 증기압, 온도 및 유지시간 별 진공정련 수행결과 초고순도 주석을 회수할 수 있는 최적화 기술을 도출하였다.
In this study, we prepared ITO thin film on glass, polycarbonate (PC) and polyethersulfone (PES) substrate in Facing Targets sputtering (FTS) system. Properties of as-deposited thin films's aging change were investigated as a function of time placed in the air. The electrical and optical properties of as-deposited thin films were employed by a four point probe and an UV/VIS spectrometer, an X-ray diffractometer (XRD), a Field Emission Scanning Electron Microscope(FESEM) and a Hall Effect measurement. As a result, as time went by, transmittance of all films did not change but resistivity of films was decreasing.
Polyimide(PI) films have been considered as the interlayer dielectric materials due to low dielectric constant, low water absorption, high gap-fill and planarization capability. The PI film was etched with using inductively coupled plasma (ICP). The etching characteristics such as etch rate and selectivity were evaluated to gas mixing ratio. High etch rate was 8300$\AA$/min and vertical profile was approximately acquired 90$^{\circ}$ at CF$_4$/(CF$_4$+O$_2$) of 0.2. The selectivies of polyimide to PR and SiO$_2$ were 1.2, 5.9, respectively. The etching profiles of PI films with an aluminum pattern were measured by a scanning electron microscope (SEM). The chemical states on the PI film surface were investigated by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Radical densities of oxygen and fluorine in different gas mixing ratio of 07CF4 were investigated by optical emission spectrometer (OES).
외부 Ballast Capacitor를 이용한 Voltage Doubler 전원장치를 이용하여 Micro size의 대기압 플라즈마를 발생장치를 개발하였다. 2개의 외부 Capacitor를 병렬로 연결하여 충전한 다음 외부 Capacitor를 직렬로 연결하여 전압을 2배압 시킨 상태에서 방전이 일어나도록 하였다. Capacitor의 충 방전 제어는 Switch Device인 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)를 사용하였다. 개발된 대기압 플라즈마는 외부 Capacitor와 인가전압을 독립적으로 변화시킬 수 있기 때문에 방전 시 전류 전압을 독립적으로 제어할 수 있으며 용도에 따라 Glow 방전에서 Arc 방전까지 제어가 가능하다. 본 연구에서는 900 V의 1.22 nF 외부 Capacitor 방전과 400 V의 10 nF 외부 Capacitor 방전을 비교하였다. 방전 시 전압파형과 전류파형은 서로 다르지만 소비된 방전에너지는 340 ${\mu}J$로 동일하다. ICCD camera와 Spectrometer를 이용하여 비교 분석을 실시하였다. 방전 image 및 Optical Emission Spectroscopy 분석을 이용하여 플라즈마의 온도, 밀도 등을 시간적, 공간적으로 분석하였다.
Relationship between reflection resonance and applied current density in Bragg photonic crystal has been investigated. Multiple bit encodes of distributed Bragg reflector features have been prepared by electrochemical etching of crystalline silicon by using various square wave current densities. Optical characterization of multi-encoding of distributed Bragg reflectors on porous silicon was achieved by Ocean optics 2000 spectrometer for the search of possible applications of multiple bit encoding of distributed Bragg reflectors such as multiplexed assays and chemical sensors. The morphology and cross-sectional structure of multi-encoded distributed Bragg reflectors was investigated by field emission scanning electron micrograph.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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