현재 국내 외에서 GIS(Gas Insulated Switchgear)용 광 CT(optical current transformer)가 활발히 연구 개발되고 있다. 이러한 광 CT는 전력선에 발생하는 자기장에 의해 레이저 빛의 파장 각도가 변하는 현상인 Faraday Effect를 기련 원리로 한 전류측정용 기기이다. 본 논문에서는 GIS용 광 CT 개발을 목적으로 한 기초적 연구로써 자기장이 발생하는 전력선에 장착되는 센서부가 도선을 중심으로 해서 어떻게 위치하느냐에 따른 광 CT의 출력신호를 측정하여 연구하였다.
본 논문에서는 red, green, blue(RGB) 광학 센서를 이용하여 RGB light-emitting diode(LED) back light unit(BLU)의 출력색 자극의 변화를 점검하여 RGB LED BLU가 시간에 따라 일정한 목표 색 자극을 출력할 수 있도록 하는 RGB LED BLU 구동 전류 펄스 duty 값을 도출하는 알고리즘을 제안한다. 우선, 현재 RGB LED BLU가 발하는 색 자극 정보를 획득하기 위해 RGB 광학 센서의 출력으로부터 CIEXYZ 색 자극을 계산할 수 있는 RGB to XYZ 변환 행렬을 도출한다. 다양한 RGB LED BLU 색 자극 샘플에 대한 RGB 광학 센서의 출력 값과 CIEXYZ 색 자극 값의 쌍을 이용하여 다항 회귀 방정식을 만들고 각 항의 계수로 행렬을 구성한다. 다음으로, 현재 RGB LED BLU 상태에서 목표 색 자극 값을 발할 수 있는 duty 값을 구하기 위해 목표 색 자극으로부터 duty 값을 계산할 수 있는 XYZ to Duty 변환 행렬을 도출한다. 현재, 한 단계 이전, 두 단계 이전 시점에서 RGB 광학 센서의 출력으로부터 추정한 CIEXYZ 값과 그때 인가된 duty 값의 쌍을 이용하여 다항 회귀 방정식을 만들고 각 항의 계수로 행렬을 구성한다. 일정 시간 간격으로 RGB LED BLU의 출력 색 자극을 점검할 때마다 XYZ to Duty 변환 행렬은 RGB LED BLU의 현재 상태에 적응적으로 변하게 되어 목표 색 자극을 출력할 수 있는 duty 값을 계산할 수 있게 된다.
Nayoung, Kim;Do Won, Kim;Nam Su, Park;Gyeong Hun, Kim;Yang Do, Kim;Chang-Seok, Kim
Current Optics and Photonics
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제7권1호
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pp.38-46
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2023
Optical Fourier-domain reflectometry (OFDR) sensors have been widely used to measure distances with high resolution and speed in a noncontact state. In the electroplating process of a printed circuit board, it is critically important to monitor the copper-plating thickness, as small deviations can lead to defects, such as an open or short circuit. In this paper we employ a phase-based OFDR sensor for in situ relative distance sensing of a sample with nanometer-scale resolution, during electroplating. We also develop an optical-path difference (OPD)-regulated sensing probe that can maintain a preset distance from the sample. This function can markedly facilitate practical measurements in two aspects: Optimal distance setting for high signal-to-noise ratio OFDR sensing, and protection of a fragile probe tip via vertical evasion movement. In a sample with a centimeter-scale structure, a conventional OFDR sensor will probably either bump into the sample or practically out of the detection range of the sensing probe. To address this limitation, a novel OPD-regulated OFDR system is designed by combining the OFDR sensing probe and linear piezo motors with feedback-loop control. By using multiple OFDR sensors, it is possible to effectively monitor copper-plating thickness in situ and uniformize it at various positions.
This study presents a novel monitoring technique for underwater high-voltage direct current (HVDC) cables based on the Distributed Acoustic Sensor (DAS). The proposed technique utilizes vibration and acoustic signals generated on HVDC cables to monitor their condition and detect events such as earthquakes, shipments, tidal currents, and construction activities. To implement the monitoring system, a DAS based on phase-sensitive optical time-domain reflectometry (Φ-OTDR) system was designed, fabricated, and validated for performance. For the HVDC cable monitoring experiments, a testbed was constructed on land, mimicking the cable burial method and protective equipment used underwater. Defined various scenarios that could cause cable damage and conducted experiments accordingly. The developed DAS system achieved a maximum measurement distance of 50 km, a distance measurement interval of 2 m, and a measurement repetition rate of 1 kHz. Extensive experiments conducted on HVDC cables and protective facilities demonstrated the practical potential of the DAS system for monitoring underwater and underground areas.
We propose portable equipment that monitors a current and potential on high-potential power transmission lines. In the equipment, a current and voltage sensor are attached to a hollow insulator that supports a power transmission line: A current on a power line is detected by an air-core solenoidal coil clamped to the line and the detected current signal is transmitted to the ground station by using optical data link, A potential on a power transmission line is detected by a high resistance element, zinc oxide (ZnO) that acts as a potential divider between the power line and the ground. The equipment does not require high potential insulators and magnetic cores which. This leads to the following advantages of the equipment: (a) It is easily installed owing to its small size and its simple structure; (b) It operates in low ...
최근 전자소자는 플렉서블 기판상에 제작된 스마트폰이 출시되었으며, 스트레처블 한 전자소자의 연구가 진행되고 있다. 본 논문에서는 실리콘 기반의 스트레처블한 소재를 만들어 이것을 기판으로 사용하여 산화물을 이용한 광센서 소자를 구현하여 평가하고자 한다. 이를 위해, 실리콘 기반의 용액성 고무를 이용하여 상온에서 잘 늘어나는 기판을 만들어 소재의 350% 연신율을 확인하였으며, 반사도, 투과도, 흡수도와 같은 광특성을 측정하였다. 다음으로 이러한 소재는 표면이 소수성을 나타내기 때문에 표면 세정 및 친수성으로 변화시키기 위하여 산소 기반의 플라즈마 표면 처리를 진행하였으며, 진공장비로 AZO(Aluminium Zinc Oxide) 기반의 산화막을 증착한 후 면봉을 이용하거나 메탈 마스트로 Ag 전극을 형성시켜 광센서를 완성하였다. 제작된 광전자소자는 빛을 조사했을 때와 하지 않았을 때의 전압에 따른 전류 변화를 분석하여 광에 의하여 생성된 캐리어들에 의한 광전류를 관찰하였으며, 벤딩 장비를 이용하여 폴딩에 따른 광센서소자 영향성을 추가 테스트하였다. 벤딩 테스트 전과 빛에 의해 생성되는 전류값 변화를 추가로 분석하였다. 향후 스트레처블 기판위에 늘어나는 반도체 물질 및 전극을 형성하여 폴딩(벤딩) 및 늘어나는 광소자를 집중적으로 연구할 계획이다.
For VO2-based sensors applicable to temperature measurements and optical disk materials by the nature of semiconductor to metal transition, the crystallinity and temperature vs. resistance characteristics were investigated as a function of the heat treatment temperature. The bead-type sensors were prepared through typical sensor fabrication processing and heat-treated at 40$0^{\circ}C$, 50$0^{\circ}C$, and $600^{\circ}C$, respectively, for 30 minutes in H2 gas atmosphere. As results of the temperature vs. resistance measurements, the electrical resistance in the phase transition range was decreased by 102 order for the VO2 sensor and by 103 order for the V71P11Sra18 system. It was estimated that the hysteresis, temperature vs. resistance, and current vs. voltage characteristics of the V71P11Sr18 system could be utilized for commericialization as a temperature sensor.
Contact-type linear image sensors have been fabricated by means of RF glow discharge decomposition method of silane and hydrogen mixtures. The dependences of the electrical and optical properties of these sensor on thickness, RF power, substrate temperature and ambient gas pressure have been investigated. the ITO/i-a-Si:H/Al structure film shows photosensitivity of 0.85 and photocurrent to dark current ratio ($I_{ph}/I_{d}$) of 150 at 5V bias voltage under 200${\mu}W/cm^[2}$ red light intensity. Under 200${\mu}W/cm^[2}$ green light intensity, the ratio is 100. In order to investigate photocarrier transport mechanism and to obtain ${\mu}{\gamma}$ product we have measured the I-V characteristics of these sensors favricated with several different deposition parameters under various light sources. The linear inage sensor for document reading has been operated under reverse bias condition with green light source, resulting in ${\mu}{\gamma}$ product of about 1.5$[\times}10^{-9}cm^{2}$/V.
A pressure wave created by the photoacoustic effect is affected by the medium and by laser parameters. The effect of these parameters on the generated pressure wave can be seen by solving the photoacoustic wave equation. These solutions which are examined in the time domain and the frequency domain should be considered by researchers in acoustic sensor design. In particular, frequency domain analysis contains significant information for designing the sensor. The most important part of this information is the determination of the operating frequency of the sensor. In this work, the laser parameters to excite the medium, and the acoustic signal parameters created by the medium are analyzed. For the first time, we have obtained solutions for situations which have no frequency domain solutions in the literature. The main focal point in this work is that the frequency domain solutions of the acoustic wave equation are performed and the effects of the frequency analysis of the related parameters are shown comparatively from the viewpoint of using them in acoustic sensor designs.
Siloles of considerable current interest, both because of their unusual electronic properties and because of their possible application as electron-transporting materials in devices such as light-emitting diodes (LED's) and chemical sensor. Siloles have been characterized by NMR, FT-IR, and UV-vis absorption spectroscopy. Their optical characteristics have been also investigated using photoluminescence spectroscopy. Thus siloles exhibit a low reduction potential and a low-lying LUMO energy level, attributed to ${\sigma}^*-{\pi}^*$ conjugation arising from the interaction between the ${\sigma}^*$ orbital of the sigma-bonded silicon atom and the $\pi^*$ orbital of the butadiene moiety of the ring.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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