• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1992년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.801-802
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• 1992

Poly Si TFTs have been fabricated from low temperature annealed a-Si films. I-V and C-V characteristics in the off-state region were measured. Analytical model for the leakage current in the off-state was suggested. In the measurement, capacitance increased abruptly with Increasing gate and drain voltage. This phenomena is attributed to the leakage current.

• 전력전자학회논문지
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• 제5권6호
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• pp.610-619
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• 2000

본 논문에서는 현재 전력저장시스템으로써 가장 많이 사용하고 있는 배터리를 대체할 목적의 5MB (Superconductive Magnetic Bearing)를 이용한 off-line UPS에 관해 연구하였다 영구자석의 덩어리형 고온 초전도 체위에서의 부상득성을 이용하여 베어링 문제의 해결방안에 접근함으로써 고효율의 FES찰 구성하여 단상 off-line UPS에 적용하였으며 제어회로에는 80C 1 96KC 마이크로프로세서를 사용하였고 빠픈 응답윤 요구하는 부분 은 아날로그회로를 사용하여 구성하였다. 에너지 저장모드에서 컨버터 입력천류는 전원전압과 동상의 정현파로 제어하였으며 에너지 회생모드에서는 출력잔압윤 정현파로 제어하기위해 필터커패시터전류릎 직접 제어하였다. 시작 품제작을 통해 시스템의 안장된 동작특성을 확인함으로써 제안된 FES가 Off-line UPS 에서의 에너지 저장매체로써 우수함을 입증하였다.

• 한국해양학회지
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• 제16권1호
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• pp.1-11
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• 1981

The seasonal variations of surface current patterns in the Japan Sea were drawn out from the results of drift bottle experiments, current measurements and hydrographic observations during 1979∼1980. The North Korean Cold Current(NKCC) and the East Korean Warm Current(EKWC) were common features of circulation in the eastern sea of Korea. The intrusion of NKCC along the Korean coast became strong in summer(average velocity of 47.4cm/sec off Jumunjin and 23.4cm/sec near Jugbyeon) when the Tsushima Current was strong. But there was no indication of the NKCC in November 1979. Dynamic topography(August & November 1979) and satellite picture(November 1979) seemed to show the topographic steering of EKWC beginning off Janggigab. Drift bottles arrived at the Japaness coast were affected significantly by the strong Tsushima Current in summer and by the predominant northwesterlies in winter instead of weak current.

• Journal of Power Electronics
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• 제3권4호
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• pp.215-223
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• 2003

In this paper, a new zero-current-transition (ZCT) circuit cell is proposed. The main switch is turned-off under the zero current and zero voltage condition, and there is no additional current stress and voltage stress in the main switch and the main diode, respectively. The auxiliary switch is turned-off under the zero voltage condition, and the main diode is turned-on under the zero voltage condition. The resonant current required to obtain the ZCT condition is relatively small and regenerated to the input voltage source. The operational principles of a boost converter integrated with the proposed ZCT circuit cell are analyzed and verified by the simulation and experimental results.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제19권7호
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• pp.1617-1622
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• 2015

본 연구에서는 10 nm이하 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널도핑농도 변화에 대한 터널링 전류(tunneling current)의 변화에 대하여 분석하고자 한다. 채널길이가 10 nm이하로 감소하면 차단전류에서 터널링 전류의 비율이 문턱전압이하 영역에서 차지하는 비율이 증가하게 된다. 비록 비대칭 이중게이트 MOSFET가 단채널효과를 감소시키기 위하여 개발되었을지라도 10 nm 이하에서 터널링 전류에 의한 차단전류의 증가는 필연적이다. 본 연구에서는 채널도핑농도의 변화에 대하여 차단전류 중에 터널링 전류의 비율 변화를 계산함으로써 단채널에서 발생하는 터널링 전류의 영향을 관찰하고자 한다. 열방사 전류와 터널링 전류로 구성된 차단전류를 구하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 WKB(Wentzel- Kramers-Brillouin) 근사를 이용하여 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 10 nm이하의 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 채널도핑농도에 의하여 터널링 전류가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 채널길이, 채널두께, 상하단 게이트 산화막 및 전압 등의 파라미터에 따라 매우 큰 변화를 보이고 있었다.

• 비파괴검사학회지
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• 제22권1호
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• pp.53-58
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• 2002

계자코일에 흐르는 교류전류로 전자기장을 유도하고, 결함에 의하여 누설되는 자속을 간극을 갖는 헤드로 측정하여 결함을 검출하는 새로운 비파괴탐상장치를 구성하였다. 이 탑상장치는 비접촉으로 강자성체의 구조물 요소에 존재하는 표면결항을 검출하고, 그 크기를 평가하는데 적용할 수 있다. 본 논문은 강자성체에 도입한 2차원 표면결함에 적용하여 결함의 평가를 실시하였다. 또한 측정주파수와 lift-off가 이들 평가에 미치는 영향을 검토하였다. 결함은 전압 분포에서 최대치로 검출할 수 있고, 이 최대전압의 변화는 결함의 깊이가 증가함에 따라 증가한다. 결함의 최대전압은 주파수와 lift-off 의 영향을 받지만, 작은 깊이의 결함은 깊이와 전압이$(V_0/V_{ave})$의 관계로부터 선형적으로 예측할 수 있다.

• 전력전자학회논문지
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• 제1권1호
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• pp.38-46
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• 1996

The commutation operation of the current source converter for switched reluctance motor drives is analyzed in this paper. The commutation operation in the current source converter consists of two modes. At turn-off of phase switch, the phase current decreases sinusoidally, and the sum of two phase currents during commutation period is constant. At this time, the capacitor voltage increases quickly with changing polarity and decreases slowly when another phase switches turn on or off. Frequency of step-down DC chopper in the current source converter is low because of the dump such as BJTs and GTOs are possible as phase switches instead of Power MOSFET and IGBTS. They may result in reductions of conduction losses and manufacturing cost in the current source converter comparing to the voltage source converter of SRM.

• 대한전기학회논문지
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• 제43권2호
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• pp.244-250
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• 1994

This paper presents the design of a new turn-off gate drive circuit for GTO which can accomplish faster turn-off switching. The major disadvantage of the conventional turn-off gate drive technique is that it has a difficulty in realizing high negative diS1GQT/dt because of VS1RGM(maximum reverse gate voltage) and stray inductances of turn-off gate drive circuit[1~2]. The new trun-off gate drive technique can overcome this problem by adding another turn-off gate drive circuit to the conventional turn-off gate drive circuit. Simulation and experimental results of the new turn-off gate drive circuit in conjunction with chopper circuit verify a faster turn-off switching performance.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.350-350
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• 2012

본 연구에서는 Oxide 두께가 각각 4, 6 nm인 Symmetric NMOSFET의 전기적 특성 분석에 관한 연구를 진행하였다. 게이트 전압에 따른 Drain saturation current (IDSAT), Threshold Voltage(VT) 및 드레인 전압에 따른 Off-states 특성 변화를 분석하였다. 소자 측정 결과 oxide 두께가 4 nm인 경우 Vt는 0.3 V, IDSAT은 73 ${\mu}A$ (@VD=0.05)로, oxide 두께가 6 nm인 경우 Vt는 0.65 V, IDSAT은 66 ${\mu}A$ (@VD=0.05)로 각각 측정되었다. 이는 oxide 두께가 얇은 경우 게이트 전압 인가 시 Electric field 증가에 따른 것으로 판단된다. 또한 드레인 전압 인가에 따른 소자 특성 분석 결과 oxide 두께가 4nm인 경우 급격한 Gate leakage 증가를 보였으며, 이에 따라 Off-state에서의 leakage current가 증가함을 확인하였다. 본 연구는 Oxide 두께에 따른 MOSFET 소자의 전기적 특성 분석을 위해 진행되었으며, 상기 결과와 같이 oxide 두께 가변은 Idsat, Vt, leakage current 등의 주요 파라미터에 영향을 주어 NMOSFET 소자의 전기적 특성을 변화시킴을 확인하였다.

• 전자공학회논문지T
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• 제36T권1호
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• pp.13-18
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• 1999

본 논문은 서로 두께가 다른 실리콘 산화막의 스트레스 바이어스에 의한 트랩밀도를 조사하였다. 스트레스 바이어스에 의한 트랩밀도는 인가 시간 동안의 전류와 인가 후의 전류로 구성되어 있다. 인가 시간 동안의 트랩밀도는 직류 전류로 구성되었으며 인가 후의 트랩 밀도는 계면에서 트랩의 충전과 방전에 의한 터널링에 희해 야기되었다. 스트레스 인가 동안의 트랩밀도는 산화막 두께의 한계를 평가하는데 사용되며 스트레스 인가 후의 트랩밀도는 비휘발성 기억소자의 데이터 유지 특성을 평가하는데 사용된다.