It is well known that the graphite flakes become spherulite, when a suitable amount of nodulizing element, such as cerium or magnesium, is added to the cast iron. The change of graphite from flake to nodular shape improves not only the tensile strength but the ductility as well. However, the mechanism of spheroidization of graphite in cast iron has not yet been clearly understood, and various theories proposed by a number of investigators were such that it may be due to the special nucleation effect, prevention of flake formation by the adsorption of magnesium vapour on the graphite surface or file surface free energy difference between plain graphite and magnesium-adsorbed graphite. Regardless of the speculations of spheroidizing mechanism of the graphite in the cast iron, the final phenomenon comes to the conclusion that it may be due to the lack of wettability between graphite and iron matrix. In order to collaborate this fact through an experimental method, the authors have constructed a vacuum arc furnace for the wettability measurement as its first step. Our study and experiments were then directed to the comparison of the wettability between iron and graphite on the two cases (namely, the one where magnesium was preliminarily coated on the graphite surface and the other not coated), by means of contact angle measurements. The result was such that a significant difference of the contact angles has been shown between the above two cases. indicating the spheroidization of graphite which might have resulted from the lack of wettability between magnesium-adsorbed graphite and iron matrix.
Graphene has recently been a subject of much interest as a potential platform for future nanodevices such as flexible thin-film transistors, touch panels, and solar cells. And chemical vapor deposition (CVD) and related surface segregation techniques are a potentially scalable approach to synthesizing graphite films on a variety of metal substrates. The structural properties of such films have been studied by a number of methods, including Raman scattering, x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), atomic force microscopy (AFM), and transmission electron microscopy (TEM). An understanding of the structural quality and thickness of the graphite films is of paramount importance both in improving growth procedures and understanding the resulting films' electronic properties. In this study, we synthesized the few-layered grapheneunder optimized condition to figure out the growth mechanism seen in CVD-grown graphenee by using various electron microscope. Especially, we observed directly film thickness, quality, nucleation site, and uniformity of grpahene by using AEM. The details will be discussed in my presentation.
고분자와 희석제 간의 interaction은 phase diagram의 형태로 결정하고 상분리 mechanism은 phase diagram에 의해 설명된다. Thermodynamic interaction이 TIPS 분리막의 구조에 미치는 영향을 조사하기 위하여 PP/C20alkane, PP/C20acid, PP/TA 3가지 system을 선택하였다. 200$^{\circ}$C에서 25 $^{\circ}$C로의 급냉과 분당 10 $^{\circ}$C의 냉각조건을 적용하였다. 각 phase diagram의 형태와 냉각조건에 따라 상분리 mechanism이 달라져서 서론에서 언급한 바와 같이 각기 특유의 구조를 갖게됨을 확인하였다. 같은 종류의 희석제의 chain length가 분리막의 구조에 미치는 영향을 조사하였다. 희석제의 chain length에 따라 결정화 온도가 달라지며 PP와의 결정화 속도 차이에 의하여 구조가 다양하게 변화되었다. 또한 가 희석제의 확산계수의 차이에 의하여 PP 결정화 시 희석제의 외부 방출 정도가 달라 이에 의한 구조의 차이도 관찰되었다. TIPS 공정에서 용액의 조성이 분리막의 구조에 미치는 영향을 조사하였는데, 조성에 의한 nucleation density의 차이에 따라 PP spherulite의 충돌 (impingment)등이 구조에 영향을 미쳤으며 porosity도 변화하였다. 또한 PP/TA system에서는 조성에 따라 상분리 mechanism이 달라져 현격한 구조의 차이를 보였다. 또한 냉각 속도에 따라 PP spherulitic structure가 변화함을 확인하였고, PP 결정화에 따른 희석제의 방출에 의하여 interspherulitic과 intraspherulitic pore를 갖는 2중 구조를 갖게 됨을 알 수 있다.
Ion-beam assisted deposition (IBAD) technology has been successfully applied to high-temperature superconductor coated conductors (CC) as textured substrates. Since the coated conductors were proposed as a potential framework for utilizing the superior transport characteristics of $YBa_2Cu_3O_7$ and related cuprate oxides, several methods including rolling-assisted bi-axial textured substrates (RABiTS) and inclined substrate deposition (ISD), as well as IBAD, have been attempted. As of 2016, most companies that are trying to commercialize CC adapt IBAD technology except for American Superconductors who use RABiTS predominantly. For the materials in the IBAD process, initial efforts to use yttria-stabilized zirconia (YSZ) or related fluorites in Fujikura in Japan have quickly given way to MgO which technique was developed by Stanford University in the USA. In this review, we present a historical overview of IBAD technology, in particular, for the application of CC. We describe the key scientific understanding of nucleation, the texturing mechanism, and the growth of large bi-axial grains and discuss some potential new IBAD materials and systems for large-scale production.
한국결정성장학회 1999년도 PROCEEDINGS OF 99 INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE KACG AND 6TH KOREA·JAPAN EMG SYMPOSIUM (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM), HANYANG UNIVERSITY, SEOUL, 06월 09일 JUNE 1999
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pp.115-127
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1999
The charged clusters or particles, which contain hundreds to thousands of atoms or even more, are suggested to form in the gas phase in the thin film processes such as CVD, thermal evaporation, laser ablation, and flame deposition. All of these processes are also used in the gas phase synthesis of the nanoparticles. Ion-induced or photo-induced nucleation is the main mechanism for the formation of these nanoclusters or nanoparticles inthe gas phase. Charged clusters can make a dense film because of its self-organizing characteristics while neutral ones make a porous skeletal structure because of its Brownian coagulation. The charged cluster model can successfully explain the unusual phenomenon of simultaneous deposition and etching taking place in diamond and silicon CVD processes. It also provides a new interpretation on the selective deposition on a conducting material in the CVDd process. The epitaxial sticking of the charged clusters on the growing surface is gettign difficult as the cluster size increases, resulting in the nanostructure such as cauliflowr or granular structures.
Many studies on crystal growth mechanisms of the hen egg-white lysozyme protein crystals have mainly performed by optical microscopy and atomic force microscopy (AFM). As results, two types of growth mechanisms, which are a two-dimensional nucleation mechanism and a spiral growth mechanism, were identified. However, there was no direct evidence of grown-in screw dislocations at the spiral sites. We first observed the screw dislocations in tetragonal lysozyme crystals using synchrotron X-ray topography. In addition, to confirm the characteristics of dislocations, we have observed some elastic constants in lysozyme crystals in terms of the sound velocity measurement by pulse echo methods. Tetragonal hen egg-white lysozyme crystals were grown by the concentration gradient method. The crystals were grown in test tubes, with an inner diameter of 8 ㎜ and 80 ㎜ in length, held vertically. The test tubes were kept at 23C for 2 weeks. The maximum size of crystals were 3×3×4 ㎟. The high quality crystals were examined by Laue topography with a water filter using synchrotron radiation. Figure is a X-ray topograph. Several straight screw dislocations were observed. We also determined Burgers vector to be a [110] direction. The measurement of sound velocity was performed by the digital signal processing method. the crystals were placed in stainless steel vessel, which was filled with lysozyme solution used for crystal growth. We observed the longitudinal sound velocity along the [110] direction in the tetragonal is obtained to be 1817 ㎧. Therefore, Young modulus and shear modulus were evaluated to be 2.70 Gpa and 1.02 Gpa, respectively, if we assumed Poisson ratio is 0.33. These results will be discussed at the meeting.
The charged clusters or particles, which contain hundreds to thousands of atoms or even more, are suggested to from in the gas phase in the thin film processes such as CVD, thermal evaporation, laser ablation, and flame deposition. All of these processes are also phase synthesis of the nanoparticels. Ion-induced or photo-induced nucleation is the main mechanism for the formation of these nanoclusters or nanoparticles in the gas phase. Charge clusters can make a dense film because of its self-organizing characteristics while neutral ones make a porous skeletal structure because of its Brownian coagulation. The charged cluster model can successfully explain the unusual phenomenon of simultaneous deposition and etching taking place in diamond and silicon CVD processes. It also provides a new interpretation on the selective deposition on a conducting material in the CVD process. The epitaxial sticking of the charged clusters on the growing surface is getting difficult as the cluster size increases, resulting in the nanostructure such as cauliflower or granular structures.
PbO-TiO2-B2O3-BaO 계 유리상에서 PbTiO3의 결정화 메커니즘에 대한 이론적 고찰 및 전자현미경 관찰 그리고 결정화 기구의 열시차 분석에 대한 응용성을 조사하였다. 열시차 분석에 대한 Kissinger 식의 응용은 DTA 분석시 시료내 핵밀도가 변하지 않을 때 적용할 수 있으며, 표면결정화를 유도하기 위해 분말시료를 사용하는 경우도 활성화 에너지를 시료의 결정화 메커니즘에 크게 영향을 받는다. Ozawa 식에 의한 Avrami parameter n은 전자현미경 관찰에 의해 파악된 결정화메커니즘과 잘 일치하고 있었으며, 수정 Kissinger 식은 시료의 결정화 메커니즘을 반영하고 있어 시료의 전처리와 관계없이 참값의 활성화에너지를 구할 수 있다.
We have investigated the crystallization mechanism of the lithium disilicate ($Li_2O-2SiO_2$, LSO) glass particles with different sizes by isothermal and non-isothermal processes. The LSO glass was fabricated by rapid quenching of melt. X-ray diffraction and differential scanning calorimetry measurements were performed. Different crystallization models of Johnson-Mehl-Avrami, modified Ozawa and Arrhenius were adopted to analyze the thermal measurements. The activation energy E and the Avrami exponent n, which describe a crystallization mechanism, were obtained for three different glass particle sizes. Values of E and n for the glass particle with size under $45{\mu}m$, $75{\sim}106{\mu}m$, and $125{\sim}150{\mu}m$, were 2.28 eV, 2.21 eV, 2.19 eV, and ~1.5 for the isothermal process, respectively. Those values for the non-isothermal process were 2.4 eV, 2.3 eV, 2.2 eV, and ~1.3, for the isothermal process, respectively. The obtained values of the crystallization parameters indicate that the crystallization occurs through the decreasing nucleation rate with a diffusion controlled growth, irrespective to the particle sizes. It is also concluded that the smaller glass particles require the higher heat absorption to be crystallized.
We have studied the effect of platinum addition on the supercon ducting properties of YB $a_2$C $u_3$$O_{7-x}$ (123) compound and elucidated the mechanism of fine dispersion of $Y_2$BaCu $O_{5}$(211) particles in YB $a_2$C $u_3$$O_{7-x}$ superconductor prepared by melting method from the metallurgical point of view. In this study, BaCu $O_2$ and CuO-rich phase unreacted during the peritecitc reaction markedly decreased by the 211 powder addition. The 211 particle of Pt-fee sintered samples exhibited 8~10$\mu$m in size, but in 1wt%Pt-added sample, 211 particles were finely dispersed in 123 matrix and the size of 211 particle was about 1~2$\mu$m. And, the critical temperature( $T_{c. zero}$) of Pt doped samples was 91.5K and the transport critical current density ( $J_{c}$) of Pt-doped samples was much more than 10$^4$A/$\textrm{cm}^2$. The high $J_{c}$ and fine dispersion of 211 particles of Pt doped YB $a_2$C $u_3$$O_{7-x}$ superconductor are attributed to $Ba_4$CuP $t_2$$O_{8}$ compounds formed during the partial melting, which were considered als nucleation sites of 211 particles, rather than Pt inself.han Pt inself.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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