Saccharomyces cerevisiae Dna2 protein has biochemical activities: DNA-dependent ATPase, DNA helicase and DNA nuclease and is essential for cell viability. Especially, Pro$\^$504/ is determined as an important residue in ATPase, helicase, and nuclease activity. We synthesized and determined the three-dimensional solution structure of N-terminal domain comprising residues of Val$\^$501/ -_Phe$\^$508/ (Dna2$\^$pep/) using two-dimensional $^1$H-NMR and dynamical simulated annealing calculations. On the basis of a total of 44 experimental restraints including NOEs, $^3$J$\_$$\alpha$$\beta$/ and $^3$J$\_$$\alpha$$\beta$/ coupling constants, the solution structures of Dna2$\^$epe/ were calculated with the program CNS. The 23 lowest energy structures were selected out of 50 final simulated-annealing structures. The atomic RMSDs of the final 23 structures fur the individual residues were calculated with respect to the average structure. The mean RMSDs for the 23 structures were 0.042 nm for backbone atoms and 0.316 nm for all heavy atoms, respectively. The Ramachandran plot indicates that the $\Phi$, Ψ angles of the 23 final structures are properly distributed in energetically acceptable regions. Solution structure of Dna2$\^$pep/ showed a single unique turn spanning residues of Asn$\^$503/ Val$\^$506/.
Optical properties were studied in the Japan Sea based on the optical observations in nine oceanographic stations from September 28 to October 2, 1976. Submarine light intensity was measured by using a submarine illuminometer (RIGO, Type: 2501-A) : equipped with a filter(RIGO, Type:V-R-60, wavelength: 600-620nm). In the upper 40 m depth layer light intensity was measured at 1 m depth interval. The absorption coefficient for red color in the area ranged from 0.142 to 0.323 (mean 0.232) : the Secchi-disc depth in the area ranged from 15 to 23 meters (mean 19.8 meters). The relation ship between absorption coefficient (m) am transparency depth (D) was m =4.93/D. The rates of light penetration for red color at three different depths are computed with reference to the surface light intensity At tile depths of 5 m, 10 m and 20 m, the rates of light penetration were $23.11\%(15-34.2\%),\;6.49\%(3.04-12\%)\;and\;0.698\%(0.113-1.27\%)$ respectively.
The ablation dynamics and cluster formation of $C_n^+$ ions ejected from 355 nm laser ablation of a graphite target in vacuum are investigated using a reflectron time-of-flight (RTOF) mass spectrometer. At low laser fluence, odd-numbered cluster ions with $3{\leq}n{\leq}15$ are predominantly produced. Increasing the laser fluence shifts the maximum size distribution towards small cluster ions, implying the fragmentation of larger clusters within the hot plume. The temporal evolution of $C_n^+$ ions was measured by varying the delay time of the ion extraction pulse with respect to the laser irradiation, providing significant information on the characteristics of the ablated plume. Above a laser fluence of $0.2J/cm^2$ , large cluster ions ($n{\geq}30$) are produced at relatively long delay times, indicating that atoms or small carbon clusters aggregate during plume propagation. The dependence of the intensity of ablated $C_n^+$ ions on delay time after laser irradiation shows that the most probable velocity of each cluster ion decreases with cluster size.
Mo-based thin films are frequently used as back electrode materials because of their low resistivity and high crystallinity in CIGS chalcopyrite solar cells. Mo:Na/Mo bilayer thin films with $1{\mu}m$ thickness were deposited on soda lime glass by varying the thickness of each layer using dc-magnetron sputtering. The effects of the Mo:Na layer on morphology and electrical property in terms of resistivity were systematically investigated. The resistivity increased from $159{\mu}{\Omega}cm$ to $944{\mu}{\Omega}cm$; this seemed to be caused by increased surface defects and low crystallinity as the thickness of Mo:Na layer increased from 100 nm to 500 nm. The surface morphologies of the Mo thin films changed from a somewhat coarse fibrous structures to irregular and fine celled structures with increased surface cracks along the cell boundaries as the thickness of Mo:Na layer increased. Na contents varied drastically from 0.03 % to 0.52 % according to the variation of Mo:Na layer thickness. The change in Na content may be ascribed to changes in surface morphology and crystallinity of the thin films.
This experimental study deals with on Nitric Oxide Formation & Reduction in Industrial Bunner. In this study, Laser-induced fluorescence (LIF) techniques have been used for quantitative measurements of Nitric Oxide. The NO A-X (0, 0) Vibrational band around 226 nm was excited using a XeCl excimer-pumped dye laser. And on-line excitation used $P_{21}+Q_1(14.5)/R_{12}+Q_2(20.5)/P_1(23.5)$ transition, for minimizing the other interferential effect. The measurements were taken NO concentration distribution in double swirling diffusion flame. In this swirl burner, NO concentration in downstream fo the flame decrease as primary/secondary air ratio increases.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.6
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pp.440-443
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2010
We report a top-down approach based on atomic force microscopy (AFM) local anodic oxidation for the fabrication of the nano-pattern field effect transistors (FETs). AFM anodic oxidation is relatively a simple process in atmosphere at room temperature but it still can result in patterns with a high spatial resolution, and compatibility with conventional silicon CMOS process. In this work, we study nano-pattern FETs for various cross-bar distance value D, from ${\sim}0.5\;{\mu}m$ to $1\;{\mu}m$. We compare the optical characteristics of the patterned FETs and of the reference FETs based on both 2-dimensional simulation and experimental results for the wavelength from 100 nm to 900 nm. The simulated the drain current of the nano-patterned FETs shows significantly higher value incident the reference FETs from ${\sim}1.7\;{\times}\;10^{-6}A$ to ${\sim}2.3\;{\times}\;10^{-6}A$ in the infrared range. The fabricated surface texturing of photo-transistors may be applied for high-efficiency photovoltaic devices.
The effect of LII interference on the measurement of LIF signals from PAH in a diffusion flame has been investigated. Argon-ion laser at 488 nm was vertically or horizontally polarized, and irradiated to the centerline of the flame at varying flame height. Signals from PAH-rich regions measured at 515 nm were mostly LIF signals, however, signals from soot-rich regions were determined to be mixed with Mie scattering signals and/or LII signals. Signals measured 1 mm above the excitation height were mostly LII signals from soot particles. The results show that a quantitative determination of the LIF's contribution to the measured signals would be difficult as long as the experimental setup described here is used for the regions where PAHs and soot particles exist together.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.23
no.3
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pp.142-145
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2013
The upconversion (UC) luminescence of $Li^+/Er^{3+}/Yb^{3+}$ co-doped $CaWO_4$ phosphors and effects of $Yb^{3+}$ concentration are investigated in detail. Single crystallized $CaWO_4$ : $Li^+/Er^{3+}/Yb^{3+}$ phosphor can be obtained, co-doped up to 35.0/5.0/30.0 mol% ($Li^+/Er^{3+}/Yb^{3+}$) by solid-state reaction. Under 980 nm excitation, $CaWO_4$ : $Li^+/Er^{3+}/Yb^{3+}$ phosphor exhibited strong green UC emissions visible to the naked eye at 530 and 550 nm induced by the intra 4f transitions of $Er^{3+}$ ($^4H_{11/2}$, $^4S_{3/2}{\rightarrow}^4I_{15/2}$). The optimum doping concentrations of $Yb^{3+}$ that would result in the highest UC luminescence were determined, and a possible UC mechanism that depends on the pumping power is discussed in detail.
Journal of the Korean Data and Information Science Society
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v.23
no.6
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pp.1085-1091
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2012
Phase I clinical trials are designed to identify an appropriate dose; the maximum tolerated dose, which assures safety of a new drug by evaluating the toxicity at each dose-level. The adjusted maximum tolerated dose estimation is presented by stopping rule in phase I clinical trial on this research. The suggested maximum tolerated dose estimation is compared to the standard method3 and NM method using a Monte Carlo simulation study.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.4
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pp.261-266
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2010
In this paper, we report the changes of electrical, structural and optical characteristics in $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films according to an increase of Si content. The Si-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films were prepared by rf-magnetron co-sputtering method. Isothermal annealing was carried out at $N_2$ atmosphere. The crystallization speed (v) of amorphous thin films was evaluated by detecting the reflection response signals using a nano-pulse scanner (wavelength = 658 nm) with illumination power of 1~17 mW and pulse duration of 10~460 ns. Structural phase changes were evaluated by XRD, and the optical transmittance was measured in the wavelength range of 300~3000 nm using UV-vis-NIR spectrophotometer. The sheet resistance (RS) of the thin films was measured using 4 point probe. Conclusivlely, the v-value decreased with an increase of Si content, while the RS-values of both crystalline and amorphous phases were increased. In particular, fcc-to-hexagonal transition was suppressed by the added Si atoms.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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