Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.19
no.1
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pp.15-18
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2009
To enhance near UV-visible absorption region and to applied phosphor convert-white LEOs (PC-WLEDs), a red phosphor composed of ${Y_2}{SiO_5}:\;EU^{3+}$, $Bi^{3+}$ compounds was prepared by the conventional solid-state reaction. The photoluminescence (PL) shown that samples were excited by near UV light 395 nm for measurement of PL spectra. Emission spectra of samples have shown red emissions at 612 nm ($^5D_0{\to}^7F_2$). The enhanced near $UV{\sim}$ visible excitation spectrum with a broad band centered at 258 nm and 282 nm originated in the transitions toward the charge transfer state (CTS) due to the $Eu^{3+}-Bi^{3+}-O^{2-}$ interaction. The other excitation band at $350\;nm{\sim}480\;nm$, corresponding to the transitions $^7F_0{\to}^5L_9$ (364 nm), $^7F_0{\to}^5G_3$ (381 nm), $^7F_0{\to}^5L_6$ (395 nm), $^7F_0{\to}^5D_3$, (415 nm) and $^7F_0{\to}^5D_2$ (466 nm), occurred due to enhanced the f-f transition increasing $Bi^{3+}$ and $Eu^{3+}$ ions. The PL intensity increased with increased as concentration of $Bi^{3+}$ and the emission intensity becomes with a maximum at 0.125 mol.
Studies were carried out to investigate the phenotypic characteristics of the non-molting mutant (nm-f) which was mapped on the 2nd linkage group. The results obtained were as follows : The nm-f mutant was distinguishable in the 3rd day of hatching. About 80 percentage of the non-molting mutant larvae died at the first instar within 10 days of hatching. The remaining larvae survived to the 2nd ad the 3rd instar but did not live to the final instar. There was no difference in non-molting nutant manifestation between hibernating and artificial hatching eggs. As a result of hemolymph protein analysis, the protein content on nm-f mutant was less than the normal larvae's. Therefore, we conclude that the characterization of nm-f is similar to the already known strains of non-molting mutant and the shortage of hemolymph protein is closely related to the non-molting characteristic in nm-f.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.220-220
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2016
본 연구에서는 녹황색 빛을 내는 NaY(WO4)2:Tb3+ 형광체 파우더를 하소 350도에 1시간 소결 950도에 4시간 고상반응법으로 합성하였으며, 파우더는 X-ray diffraction과 PL 장비를 이용하여 측정하였다. XRD 분석은 Tb3+이온 도핑농도에 의한 순수한 NaYWO4 상을 나타내었다. Fig.1 220-330nm에서 관찰되는 넓은 밴드는 $O2-{\rightarrow}W6+$에 의해 발생한 LMCT(ligand to metal charge transfer)이고, Tb3+에서 WO42-그룹으로 에너지 전달에 의해서 생긴다. 이것의 최대세기는 272nm 이다. LMCT 옆 330-390nm에 관찰되어지는 약한 강도와 넓은 밴드는 Tb3+ 4f8의 f-f transition에 의해 발생한다. Fig.2에서 보여 지듯이$ 5D4{\rightarrow}7F6$, 7F5, 7F4, 7F3는 파장 489nm, main peak인 545nm (Green,초록색), 588nm (orange, 주황색), 620nm (Red, 적색)에서 Peak가 나타났으며, Tb3+이온의 함량비가 0.08mol일 때 최대 발광이 관측 되었다.
Sudden enhancements of daytime NmF2 appeared in Anyang ionosonde data during summer seasons in 2006-2007. In order to investigate the causes of this unusual enhancement, we compared Anyang NmF2's with the total electron contents (GPS TECs) observed at Daejeon, and also with ionosonde data at at mid-latitude stations. First, we found no similar increase in Daejeon GPS TEC when the sudden enhancements of Anyang NmF2 occurred. Second, we investigated NmF2's observed at other ionosonde stations that use the same ionosonde model and auto-scaling program as the Anyang ionosonde. We found similar enhancements of NmF2 at these ionosonde stations. Moreover, the analysis of ionograms from Athens and Rome showed that there were sporadic-E layers with high electron density during the enhancements in NmF2. The auto-scaling program (ARTIST 4.5) used seems to recognize sporadic-E layer echoes as a F2 layer trace, resulting in the erroneous critical frequency of F2 layer (foF2). Other versions of the ARTIST scaling program also seem to produce similar erroneous results. Therefore we conclude that the sudden enhancements of NmF2 in Anyang data were due to the misrecognition of sporadic-E echoes as a F-layer by the auto-scaling program. We also noticed that although the scaling program flagged confidence level (C-level) of an ionogram as uncertain when a sporadic-E layer occurs, it still automatically computed erroneous foF2's. Therefore one should check the confidence level before using long term ionosonde data that were produced by an auto-scaling program.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.11a
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pp.166-167
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2009
본 연구에서는 2,3,5,6-fluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4-TCNQ)를 이용한 유기 발광 소자의 전기적 특성에 대하여 연구하였다. F4-TCNQ 는 높은 전자 친화도를 가지고 있어서 전하 수송층이나 전하 주입층에 많이 사용되고 있다. 또한 TCNQ 유도체들은 물질의 전도도를 조절하는 용도로 많이 이용된다. TCNQ 유도체를 유기 발광 소자의 전하 수송층이나 전하 주입층에 이용할 경우, 소자의 구동 전압이나 효율과 같은 특성들이 향상된다고 알려져 있다. 우리는 소자 특성에 있어서 F4-TCNQ의 영향을 알아보기 위해서 ITO(170nm)/TPD(40nm)/$Alq_3$(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)의 구조로 기본 소자를 제작하였다. 그리고 TPD층에 F4-TCNQ를 도핑하여 소자를 제작하였다. 도핑 농도는 5와 10%로 하였다. 또한 ITO와 TPD층 사이에 F4-TCNQ층을 1, 2, 그리고 5nm의 두께로 하여 소자를 제작하였다. F4-TCNQ를 5와 10% 도핑한 소자의 구동 전압은 도핑하지 않은 소자에 비해 감소하였다. 그리고, ITO와 유기물층 사이에 F4-TCNQ층을 삽입한 소자의 특성은 삽입하지 않은 소자에 비해 향상되었다.
We fabricated a vacuum ultraviolet spectre-reflectometer which consists of a deuterium light source, a vacuum monochromator, and a sample chamber and detector module. The operation was performed in the ultraviolet spectral ranges between 115 nm and 330 nm at the vacuum pressure of 3.0 ${\times}$ 10$^{-4}$ Pa. The wavelength of the vacuum monochromator was calibrated with the line spectrum of a low pressure Mercury lamp of 253.652 nm and 184.95 nm wavelengths, and its resolution was 0.012 nm, and the precision of wavelength was $\pm$ 0.03 nm. With this reflectometer and a deuterium lamp, we measured the spectral regular transmittance and reflectance of materials(MgF$_2$, CaF$_2$, BaF$_2$, SiO$_2$, Sapphire) used as optical components over the spectral range between 115 nm and 230 nm.
유전장벽 방전(또는 silent방전)은 조절된 마이크로아크방전 형태로서 비교적 높은 압력(0.1~수기압)에서도 방전이 안정하므로 엑시머 생성에 의한 진공자외선 및 자외선 광원으로 적합하다. 본 연구에서는 평면형 및 원통형 유전장벽 방전장치를 제작하였고, Ar, Kr, Xe와 3% F2/He의 혼합기체를 이용하여 ArF*(193nm), KrF*(248nm), XeF*(351nm)엑시머자외선 생성실험을 수행하였다. 또한 부하전력, 기체압력, 기체조성등의 방전조건에 대한 KrF*(248nm)발광세기의 의존성을 조사하였다.
Sung Soo Park;Mi-Ra Kim;Weontae Oh;Yedam Kim;Yeeun Lee;Youngeon Lee;Kangbeom Ha;Dojun Jung
Journal of Adhesion and Interface
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v.24
no.4
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pp.136-142
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2023
In this study, TEOS was used as a silica source, and a triblock copolymer (P123) was used as a template to produce mesoporous silica with a well-ordered hexagonal mesopore array through a self-assembly method and hydrothermal process under acidic condition. (Surfactant-extracted SBA-15). Surfactant-extracted SBA-15 showed the particle shape of a short rod with a size of approximately 980 nm. The surface area and pore diameter were 730 m2g-1 and 70.8 Å, respectively. Meanwhile, aminosilane (3-aminopropyltriethoxysilane, APTES) was grafted into the mesopores using a post-synthesis method. Mesoporous silica (APTES-SBA-15) modified with aminosilane had a well-ordered pore structure (p6mm) and well-maintained the particle shape of short rods. The surface area and pore diameter of APTES-SBA-15 decreased to 350 m2g-1 and 60.7 Å, respectively. APTES-modified mesoporous silica was treated with a solution of rare earth metal ions (Eu3+, Tb3+) to synthesize a mesoporous silica material in which rare earth metal complexes were introduced into the mesopores. (Eu/APTES-SBA-15, Tb/APTES-SBA-15) These materials exhibited characteristic photoluminescence spectra by λex=250 nm. (5D4→7F5 (543.5 nm), 5D4→7F4 (583.5 nm), 5D4→7F3 (620.2 nm) transitions for Tb/APTES-SBA-15; 5D0→7F0 (577.7 nm), 5D0→7F1 (592.0 nm), 5D0→7F2 (614.9 nm), 5D0→7F3 (650.3 nm) and 5D0→7F4 (698.5 nm) transitions for Eu/APTES-SBA-15)
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.24
no.4
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pp.140-144
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2014
Co-(0.7 wt%) and Pr-(2.0, 3.5 or 5.0 wt%) doped cubic zirconia ($ZrO_2:Y_2O_3=50:50wt%$) single crystals grown by a skull melting method were heat-treated in $N_2$ at $1150^{\circ}C$ for 5 hrs. The brown colored as-grown single crystals were changed into either dark brownish green, greenish blue and light green color after the heat treatment. Before and after the heat treatment, the YSZ (yttria-stabilized zirconia) single crystals were cut for wafer form (${\phi}7.5mm{\times}t3mm$). The optical and structural properties were examined by UV-VIS spectrophotometer and X-ray diffraction. Absorption by $Co^{2+}$(${\fallingdotseq}589nm$: ${\Gamma}_8[^4A_2(^4F)]{\rightarrow}{\Gamma}_8+{\Gamma}_7[^4T_1(^4F)]$, ${\fallingdotseq}610nm$: ${\Gamma}_8[^4A_2(^4F)]{\rightarrow}{\Gamma}_8[^4T_1(^4F)]$], ${\fallingdotseq}661nm$: ${\Gamma}_8[^4A_2(^4F)]{\rightarrow}{\Gamma}_6[^4T_1(^4F)]$]) and $Pr^{3+}$(${\fallingdotseq}450nm$: ${^3}H{_4}-{^3}P{_2}$, ${\fallingdotseq}473nm$: ${^3}H{_4}{\rightarrow}{^3}P{_1}$, ${\fallingdotseq}484nm$: ${^3}H{_4}{\rightarrow}{^3}P{_0}$), change of ionization energy and lattice parameter were confirmed.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.147-147
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2015
The multilayer structure of the organic light emitting diode has merits of improving interfacial characteristics and helping carriers inject into emission layer and transport easier. There are many reports to control hole injection from anode electrode by using transition metal oxide as an anode buffer layer, such as V2O5, MoO3, NiO, and Fe3O4. In this study, we apply thin films of LiF which is usually inserted as a thin buffer layer between electron transport layer(ETL) and cathode, as an anode buffer layer to reduce the hole injection barrier height from ITO. The thickness of LiF as an anode buffer layer is tested from 0 nm to 1.0 nm. As shown in the figure 1 and 2, the luminous efficiency versus current density is improved by LiF anode buffer layer, and the threshold voltage is reduced when LiF buffer layer is increased up to 0.6 nm then the device does not work when LiF thickness is close to 1.0 nm As a result, we can confirm that the thin layer of LiF, about 0.6 nm, as an anode buffer reduces the hole injection barrier height from ITO, and this results the improved luminous efficiency. This study shows that LiF can be used as an anode buffer layer for improved hole injection as well as cathode buffer layer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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