Acousto-optic tunable filter is a compact, all solid state electronic dispersive device. It is based on the acousto-optic interaction in an anisotropic crystal. Compared to conventional grating monochromators. the AOTF has no moving parts, wider spectral tuning range (from UV through visible and near-IR to IR), higher throughput, higher resolution, faster scanning (${\mu}s$) and random wavelength access. These features make it possible to use the filter to develop novel instruments which are not possible otherwise. The instrument development and unique advantages of such AOTF based instruments including the multidimensional fluorimeter, the multiwavelength thermal lens spectrometer, and the detectors for HPLC and flow injection analysis are described.
Park, Hyeong-Gil;Nam, Gi-Ung;Yun, Hyeon-Sik;Kim, So-A-Ram;Im, Jae-Yeong
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2012.11a
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pp.137-138
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2012
ZnO 박막을 Sol-gel용액을 이용한 스핀코팅 방법으로 석영기판 위에 성장하였고 Sol-gel 용액의 온도 변화에 따른 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. ZnO 박막의 구조적, 광학적 특성을 조사하기 위해 field-emission scanning electron microscopy, X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), 그리고 ultraviolet-visible (UV) spectroscopy을 사용하였다. PL 분석에서 ZnO 박막은 orange 계열의 발광을 하였으며, PL spectra는 3.3 eV 부근의 near-band edge emission (NBE) 피크와 2.0 eV 부근의 deep-level emission (DLE) 피크로 이루어져있다. 모든 sol-gel 용액 온도에서, DLE 피크가 NBE 피크보다 더 우세하고 이 DLE 피크는 sol-gel 용액의 온도가 증가함에 따라 점점 증가하다가 감소하는 것을 알 수 있다. 이런 DLE 피크는 산소 공공, 아연 공공, 침입형 산소, 침입형 아연 등과 같은 결함에 의한 것이며, ZnO 박막은 sol-gel 용액의 온도에 따라 결함의 특성이 변화하였다.
ZnO thin films for light emission device have been deposited on sapphire and silicon substrates by pulsed laser deposition technique(PLD). A Nd:YAG laser was used with the wavelength of 355 nm. In order to investigate the emission properties of ZnO thin films, PL measurements with an Ar ion laser as a light source using an excitation wavelength of 351 nm and a power of 100 mW are used. All spectra were taken at room temperature by using a grating spectrometer and a photomultiplier detector. ZnO exhibited PL bands centered around 390, 510 and 640 nm, labeled near ultra-violet (UV), green and orange bands. Structural properties of ZnO thin films are analized with X-ray diffraction (XRD).
Ultrafast deep-ultraviolet (DUV) pulse generation from the subwavelength aperture of a plasmonic waveguide was investigated. The plasmonic nanofocusing of near-infrared (NIR) pulses was exploited to enhance DUV photoemission of surface third harmonic generation (STHG) at the amorphous $SiO_2$ dielectric. The generated DUV pulses which are successfully made from a nano-aperture using 10 fs NIR pulses have a spectral bandwidth of 13 nm at a carrier wavelength of 266 nm. This method is applicable for tip-based ultrafast UV laser spectroscopy of nanostructures or biomolecules
Hung Phan Duy;Lan Huong Nguyen Thi;Ngoc Yen Pham Thi;Castelli Eric
Proceedings of the IEEK Conference
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summer
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pp.249-253
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2004
Wavelet transform (WT) has attracted most engineers and scientists because of its excellent properties. The coherence of practical approach and a theoretical basis not only solves currently important problems, but also gives the potential of formulating and solving completely new problems. It has been show that multi-resolution analysis of Wavelet transforms is good solution in speech analysis and threshold of wavelet coefficients has near optimal noise reduction property for many classes of signals. This paper proposed applications of wavelet in speech processing: pitch detection, voice-unvoice (V -UV) decision, denoising with the detailed algorithms and results.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.31
no.4
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pp.483-489
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2007
We have investigated quantitative measurement techniques of the degree of dispersion of single-walled carbon nanotubes (SWNTs). SWNTs were suspended in aqueous media using a sodium dodecyl sulfate (SDS) surfactant. SWNTs with different dispersion states were prepared by controlling the intensity and time of sonication and centrifugation. The laser spectroscopic techniques were employed to characterize the dispersion state; i.e., raman fluorescence and absorption spectroscopic techniques. Raman spectroscopy has been used to probe the dispersion and aggregation state of SWNTs in solution. Individually suspended SWNTs show increased fluorescence peaks and decreased roping peaks at a raman shift 267 $cm^{-1}$ compared with the samples containing bundles of SWNTs. The ultraviolet-visible-near infrared (UV-vis-NIR) absorption spectrum of decanted supernatant samples show sharp van Hove singularity peaks
Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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1998.09a
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pp.43-46
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1998
The effect of dopant and stoichiometry on the optical properties of LiNbO3 were studies. We prepared three samples, which are undoped, MgO doped LiNbO3 and near-stoichiometric LiNbO3 dielectric constant and transmittance in UV/VIS/IR light range were measured. The results showed that the features for high [Li]/[Nb] were similar to those for low [Li]/[Nb] but with high [Mg].
Controlled reduction of silver alkylcarbamate complexes with hydrogen gas was investigated as a facile synthetic method for high concentrations of silver nanocolloids in organic solvent. Polyvinylpyrrolidone (PVP) was used to stabilize the silver colloids obtained from the chemical reduction. To determine optimum conditions for preparation of the stable and controlled silver colloids with the narrowest particle size and distribution, a large number of experiments were carried out involving variations in the concentrations of the silver 2-ethylhexylcarbamate (Ag-EHCB) complex, PVP, and 2-propanol. The initial colloid had a mean particle diameter between 5$\sim$50 nm, as measured by transmission electron microscopy, and exhibited a sharp absorption band in the UV region with a maximum size near 420 nm. After treatment with a reducing agent, the colloids were characterized by ultraviolet-visible spectroscopy, X-ray diffraction, and high-resolution transmission electron microscopy.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.11a
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pp.539-542
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2000
ZnO thin films for light emission device have been deposited on sapphire and silicon substrates by pulsed laser deposition technique(PLD). A Nd:YAG laser was used with the wavelength of 355 nm. In order to investigate the emission properties of ZnO thin films, PL measurements with an Ar ion laser as a light source using an excitation wavelength of 351 nm and a power of 100 mW are used. All spectra were taken at room temperature by using a grating spectrometer and a photomultiplier detector. ZnO exhibited PL bands centered around 390, 510 and 640 nm, labeled near ultra-violet (UV), green and orange bands. Structural properties of ZnO thin films are analized with X-ray diffraction (XRD).
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.11a
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pp.535-538
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2004
Zinc Oxide (ZnO) films have attracted considerable attention for transparent conducting films, because of their high conductivity, good optical transmittance from UV to near IR as well as a low-cost fabrication. To increase the conductivity of ZnO, doping of group III elements (Al, Ga, In and B) has been carried out. Transparent conducting films have been applied for optoelectric devices, the development of the transparent conducting thin films on flexible light-weight substrates are required. In this research, the transparent conducting ZnO thin films doped with Aluminum (Al) on polymer substrates were deposited by the RF magnetron suputtering method, and the structural, optical and electrical properties were investigated.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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