• 제목/요약/키워드: nanoimprint

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나노임프린트 패터닝과 자성박막도금을 이용하여 제작한 패턴드미디어용 자기패턴의 자기적 및 결정구조특성에 관한 연구 (Magnetic & Crystallographic Properties of Patterned Media Fabricated by Nanoimprint Lithography and Co-Pt Electroplating)

  • 이병규;이두현;이명복;김해성;조은형;손진승;이창형;정근희;서수정
    • 한국자기학회지
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    • 제18권2호
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    • pp.49-53
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    • 2008

  • 50 nm pitch의 magnetic dot pattern을 갖는 hard disk drive용 patterned media를 nanoimprint lithography(NIL) patterning과 electroplating 공정을 이용하여 제작하고 자기 및 결정구조 특성을 관찰하였다. Patterned media는 Si(100) wafer 위에 Ru(20nm)/Ta(5 nm)/$SiO_2$(100 nm)를 순차적으로 증착한 후 nanoimprint lithography를 이용하여 25 nm half pitch의 hole pattern을 형성하고 그 후 패터닝된 기판을 plasma ashing 공정을 이용하여 기판의 Ru층을 노출시킨뒤 electroplating을 이용하여 Co-Pt 합금막을 증착하여 제작하였다. Magnetic force microscopy(MFM) 분석을 이용하여 제작된 각각의 magnetic dot pattern이 single domain 특성과 수직자기이방성을 가지고 있음을 확인하였고, superconducting quantum interference device(SQUID) 분석을 통하여 2900 Oe이상의 높은 수직방향 보자력을 확인하였다.

  • https://doi.org/10.4283/JKMS.2008.18.2.049 인용 PDF KSCI

UV 나노임프린트 리소그래피 공정에서 레지스트 도포의 최적화를 통한 잔류층 두께의 최소화 (The Minimization of Residual Layer Thickness by using optimized dispensing method in UVnanoimprint Lithography Process)

  • 김기돈;정준호;심영석;이응숙;김지현;조영근;홍성철
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.633-636
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    • 2005

  • Imprint lithography is a promising method for high-resolution and high-throughput lithography using low-cost equipment. As with other nanoimprint methods, ultraviolet-nanoimprint lithography (UV-NIL) resolution appears to be limited only by template resolution, and offers a significant cost of ownership reduction when compared to other next generation lithography (NGL) methods such as EUVL and 157 nm lithography. The purpose of this paper is to suggest optimum values of control parameters of Imprio 100 manufactured by Molecular Imprint, Inc., which is the first commercially available UV-NIL tool, for sound nanoimprint. UV-NIL experiments were performed on Imprio 100 to find dispensing recipe for avoiding air entrapment. Dispensing recipe related to residual layer thickness and uniformity was optimized and 40 nm thick residual layer was achieved.

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