• ETRI Journal
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• 제28권3호
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• pp.401-404
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• 2006

A new log-domain first-order multifunction filter is proposed in this letter. The proposed filter is systematically derived using the state-space synthesis procedure from a corresponding block diagram. It provides low-pass (LP), high-pass (HP), and all-pass (AP) responses simultaneously for a single input signal. The filter circuit has a very simple structure since it uses only bipolar junction transistors (BJTs) and a grounded capacitor. It can be electronically tuned by changing an external current. The filter has a greater bandwidth due to its inherent current-mode and log-domain operations. PSPICE simulations are given to confirm the theoretical analysis.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -1
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• pp.333-336
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• 2002

An alternative CMOS implementation of a multi-output four-terminal floating nullor (FTFN) with constant-g$_{m}$ rall-to-rail input stage is proposed. This presented circuit is based on the advantages of a complementary transconductance amplifier and class AB dual translinear cell circuit that comes up with wide bandwidth. The constant-g$_{m}$ characteristic is controlled by the maximum-current selection circuits, maintaining the smooth response over the change of input common mode voltage. The circuit performances are confirmed through HSPICE simulations. A current-mode multifunction filter is used to exhibit the potentiality of this proposed scheme.eme.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1993년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.803-805
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• 1993

This paper describes the development of a digital multifunction controller for the protection, measurement and control of the high voltage customer switchboard. The magnitude of the fundamental component is estimated using a simple filter based on cross-correlation with a heptagonal wave. The characteristics of flexible relay functions such as adjustable pickup and time-dial settings, various time-magnitude curve and directional capability including measurement functions are presented. The controller implementation is carried out on two microprocessors for real time operation.

• 폴리머
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• 제35권1호
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• pp.87-93
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• 2011

본 연구에서는 LCD 컬러필터 레지스트용 fluorene 단위 구조를 가지는 다기능 바인더 고분자를 개발하여 카본블랙 기반 감광성 레지스트(CBR)를 제조하고 블랙 매트릭스(BM)에 적용하였다. 다기능 바인더 고분자를 얻기 위해 bisphcnol fluorene epoxy acrylate를 함유한 불포화 폴리에스터(BFEA-polyester)를 합성하였으며 이는 $^1H$ NMR, GPC 및 FTIR을 이용하여 분석하였다. 합성된 BFEA-polyester 바인더 고분자를 상업용 아크릴 바인더와 비교 평가하기 위하여 각각 CBR 제조 후 BM 리소그래피 테스트를 수행하였다. 그 결과, 본 연구에서 합성된 BFEA-polyester 바인더 고분자는 적합한 광경화 반응성과 알칼리 용해성을 가질 뿐만 아니라 기존 아크릴 바인더보다 더 우수한 공정 마진, 패턴 특성 및 유리 가판에 대한 접착력을 나타내었다.

• 천문학회보
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• 제36권2호
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• pp.125.2-125.2
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• 2011

We are developing medium resolution cross-dispersed silicon grisms in the near IR region ($1.45{\sim}5.2{\mu}m$). The grisms will be installed in MIMIR, a multifunction instrument at the Lowel Observatory, USA. The two devices are designed to cover H and K band and L and M band simultaneously. Our goal is to make grism with R=3000 at 1.2 arcsec slit. The Silicon has high refractive index (n=3.4 at $1.5{\mu}m$) which enhances the resolving power by up to 5 times when compared to conventional material such as BK-7 (n=1.5 at 1.5 ${\mu}m$). The bonded grisms will be installed in a filter wheel for the uses switch from spectroscopic mode to imaging mode easily. Our device is compact and light weighted while it provides a decent resolving power. We produce monolithic grisms using e-beam lithography at the NASA JPL and chemically etching the grooves on the silicon prisms. Moreover, the main-disperser and cross-disperser will be contacted together by direct Si-Si bonding technique and eventually turn into one piece. The bonded pair offers more stability in terms of the layout of the spectrum and removes the Fresnel loss at the intersection of two grisms. We report on the proper wafer bonding steps through this research, and inspected the bonding quality thermally, optically and mechanically.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권12호
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• pp.6-13
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• 2009

X-대역의 위상 배열 시스템에 응용 가능한 전력 증폭기, 6-bit 위상 변위기, 6-bit 디지털 감쇠기 및 SPDT 송수신 스위치를 각각 설계 및 측정하였다. 모든 회로는 CMOS 0.18 um 공정을 사용하여 구현되었다. 전력 증폭기는 2-단 차동 및 cascode 구조를 가지며, 20 dBm 의 P1dB, 19%의 PAE 의 성능을 8-11 GHz 주파수 대역에서 보였다. 6-bit 위상 변위기는 Embedded switched filter 구조를 가지며, 스위치용 nMOS 트랜지스터 및 마이크로스트립 선로로 인덕턴스를 구현하였다. $360^{\circ}$ 위상 제어가 가능하며 위상 해상도는 $5.6^{\circ}$ 이다. 8-11 GHz 주파수 대역에서 RMS phase 및 amplitude 오차는 $5^{\circ}$ 및 0.8 dB 이하이며, 삽입손실은 약 $-15.7\;{\pm}\;1,1\;dB$ 이다. 6-bit 디지털 감쇠기는 저항 네트워크와 스위치가 결합된 Embedded switched Pi-및 T-구조이며, 위상 배열 시스템에서 요구하는 낮은 통과 위상 변동 특성을 가지는 구조가 적용되었다. 최대 감쇠는 31.5 dB 이며 진폭 해상도는 0.5 dB 이다. 8-11 GHz 주파수 대역에서 RMS amplitude 및 phase 오차는 0.4 dB 및 $2^{\circ}$ 이하이며, 삽입손실은 약 $-10.5\;{\pm}\;0.8\;dB$ 이다. SPDT 송수신 스위치는 series 및 shunt nMOS 트랜지스터의 쌍으로 구성되었으며 회로의 면적을 최소화하기 위해 1개의 수동 인덕터만으로 SPDT 기능을 구현하였다. 삽입손실은 약 -1.5 dB, 반사손실은 -15 dB 이하이며, 송수신 격리 특성은 -30 dB 이하이다. 각각의 칩 면적은 $1.28\;mm^2$, $1.9mm^2$, $0.34\;mm^2$, $0.02mm^2$ 이다.