A multi-perforated tube indicates the existence of multiple holes of various shapes on the surface of a long cylinder-type or rectangular tube, and a hole installed on the surface is called an orifice, as it is relatively small in size, compared with the surface area of the tube. In this study, the flow characteristics of a circular multi-perforated tube with many orifices on the surface were investigated experimentally and numerically. The volume flowrate issuing from each orifice, discharge angle, effective flow area ratio, and the flow fields around the orifices were measured and visualized, with the variation of the orifice area ratio, at the same blockage ratio. The volume flowrate distributions along the flow direction of the multi-perforated tube tends to be more uniform, as larger orifices were positioned at the inlet side of the multi-perforated tube, compared with no orifice area change along the flow direction.
Hydrogenated microcrystalline silicon (${\mu}c-Si:H$) films have attracted much attention as materials of the bottom-cells in Si thin film tandem photovoltaics due to their low bandgap and excellent stability against light soaking. However, in PECVD, the source gas $SiH_4$ must be highly diluted by $H_2$, which eventually results in low deposition rate. Moreover, it is known that high-rate ${\mu}c-Si:H$ growth is usually accompanied by a large number of dangling-bond (DB) defects in the resulting films, which act as recombination centers for photoexcited carriers, leading to a deterioration in the device performance. During film deposition, Si nanoparticles generated in $SiH_4$ discharges can be incorporated into films, and such incorporation may have effects on film properties depending on the size, structure, and volume fraction of nanoparticles incorporated into films. Here we report experimental results on the effects of nonoparticles incorporation at the different substrate temperature studied using a multi-hollow discharge plasma CVD method in which such incorporation can be significantly suppressed in upstream region by setting the gas flow velocity high enough to drive nanoparticles toward the downstream region. All experiments were performed with the multi-hollow discharge plasma CVD reactor at RT, 100, and $250^{\circ}C$, respectively. The gas flow rate ratio of $SiH_4$ to $H_2$ was 0.997. The total gas pressure P was kept at 2 Torr. The discharge frequency and power were 60 MHz, 180 W, respectively. Crystallinity Xc of resulting films was evaluated using Raman spectra. The defect densities of the films were measured with electron spin resonance (ESR). The defect density of fims deposited in the downstream region (with nonoparticles) is higher defect density than that in the upstream region (without nanoparticles) at low substrate temperature of RT and $100^{\circ}C$. This result indicates that nanoparticle incorporation can change considerably their film properties depending on the substrate temperature.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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제4C권1호
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pp.21-25
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2004
From the gradual increasing state of charge (GISOC) observations, electrochemical behavior of multi-walled carbon nanotube│(lM LiP $F_{6}$ , EC,DEC,DME 3:5:5 volume ratio)│lithium cells was evaluated using the galvanostatic charge-discharge process. A MWCNT delivers a specific charge capacity of 1,300 mAh/g in a Li cell when cycled up to an end voltage of 0 V (vs. Li/L $i^{+}$ )at a constant current rate every 10 hours. However, in the present study, the specific discharge capacity obtained is 338 mAh/g, thus amounting to a coulombic efficiency of only 26%. Further, when the MWCNT│Li cells were tested using the GISOC method, two distinguishable linear-fit ranges were observed due to the intercalation/deintercalation of lithium, which were found to have II $E_1$, IIC $s_1$ and II $E_2$of 27.3%, 372 mAh/g, and 25.5%, respectively. Q $c_1$, could be calculated from the data of IIE and IICs of each range by the modified equation "II $C_{sum}$= $\Sigma$( $Q_{C}$- $Q_{D}$)=(II $E_{1}$$^{-1}$ ) $Q_{Dl}$ +(II $E_2$$^{-1}$ -1) ( $Q_{D2}$- $Q_{Dl}$ ) + IIC $s_1$= $Q_{Cl}$ - $Q_{Dl}$ ". Results of the GISOC method could be converted to the results of galvanostatic charge-discharge process, irrespective of the state of charge of the cell or battery.ery.y.y.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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제4C권2호
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pp.55-59
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2004
Throughout manufacturing processes, pulse shaping is required for material processing and it is regarded as an important (actor according to the specific characteristics of materials. Therefore, this study suggests a highly appropriate pulse shaping technique using a multi-switching method. This is a pulse superposition method in which one flash lamp can consecutively turn on by the double switching of the discharging system. It is possible to construct a variety of pulse shapes and pulse widths by the consecutive trigger of the silicon-controlled rectifiers (SCR) of a PIC (program integrated circuit) one-chip microprocessor. The use of this technique can provide a number of advantages to people who require suitable pulse shaping for particular applications such as welding, cutting, and drilling.
The nanocomposites of polypyrrole (PPy) and multi-walled carbon nanotube (MWCNT) with different composition are synthesized by the chemical oxidative polymerization method. In these composites, the MWCNTs are uniformly coated by PPy with different thickness. The electrochemical properties of the composite electrodes are investigated by cyclic voltammetry, galvanostatic charge-discharge cycling and electrochemical impedance spectroscopy. The full cells assembled with the PPy/MWCNT composite electrodes deliver initial specific capacitances ranging from 146.3 to 167.2 F/g at 0.5 mA/$cm^2$ and exhibit stable cycling characteristics. The effect of content of MWCNT in the composite on cycling performance of the cells is also investigated.
In practice, there may be various defects in an insulating system, so that the PD signals can be produces from these defect simultaneously. Regarding these situations, we have to discriminate the type of defect as well as to determine whether the PD occurs or not. In our research. some analysis results of the PD signals from multi-defects insulating system will be presented. We measure the PD signals using three kind of electrode system: IEC(b). Needle-Plane and mixed electrodes. To simulate multi-defect systems, we combine two electrode systems and apply test voltage simultaneously. Neural network, statistical analysis methods will be tested, and the possibilities and limitations of each method will be clarified.
The frequent occurrence of sewer flooding and the intermittent discharge of non-point pollutions into the receiving water body are emerging issues recently due to the climate change and urbanization. These problems might be solved by introducing a multifunctional storage facility. Unlike a single-purpose storage facility, a multi-purpose storage facility should be operated at an instant to meet for flood prevention, reduction of non-point pollution and/or rainwater reuse. Considering various operational combinations it is suggested that prevention of sewer flooding coupled with reduction of non-point pollution is the most effective operational strategy for a multi-functional storage facility.
Journal of Electrical Engineering and information Science
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제3권2호
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pp.170-173
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1998
In practice, there may be various defects in an insulating system, so that the PD signals can be produced from these defects simultaneously. Regarding these situations, we have to discriminate the type of defect as well as determine whether the PD occurs or not. In this paper, some analysis results of the PD signals from multi-defects insulating system were presented. We measure the PD signals by using three kind of electrode system, IEC(b), Needle-Plane and mixed electrodes. To simulate multi-defect systems, we combined to electrode systems and apply test voltage simultaneously. Neural network, statistical analysis methods were tried, and the possibilities and limitations of each method were clarified.
Proposed Multi-level PDP sustain Driver make use of element which has a low voltage rating instead of suggested method by the existing Webber and it passes through a second phase both rising and falling at sustaining voltage waveform In accordance with the change of timing phase(Tr1, Ti1, Tr2) performance comparison of a electric discharge characteristics in a PDP module has been carried out. At the conclusion of experimentation, the feature is extended by alteration of Ti1 and it has little to do with alteration of Tr1.
SiN and SiCN film production using plasma-enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) is investigated in this study. A developed high-power and high-density multiple inductively coupled plasma (multi-ICP) source is used for a low temperature PE-ALD process. High plasma density and good uniformity are obtained by high power $N_2$ plasma discharge. Silicon nitride films are deposited on a 300-mm wafer using the PE-ALD method at low temperature. To analyze the quality of the SiN and SiCN films, the wet etch rate, refractive index, and growth rate of the thin films are measured. Experiments are performed by changing the applied power and the process temperature ($300-500^{\circ}C$).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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