• 제목/요약/키워드: millimeter wave source

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Development of a V-Band Millimeter-Wave Source Module

  • Kwon, Jae-Yong;Lee, Dong-Joon;Bakti, Aditia Nur;Angin, Windi Kurnia Perangin
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제16권4호
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    • pp.225-228
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    • 2016
  • KRISS-V, a V-band millimeter-wave source module for a primary RF power standard and calibration system developed by the Korea Research Institute of Standards and Science is here presented. The output power of KRISS-V is several times higher than that of commercial amplifier/multiplier chains and is highly stable (the standard deviations of output power are less than 0.01% in the worst case). The spectral purity of KRISS-V is high enough to consider it a single-tone signal generator. We also added programmable attenuation capability to KRISS-V for remote power control. Moreover, the in-house source module is cost-effective and adaptable to various measurement schemes. The structure of the model as well as detailed component information are introduced so that it can be reproduced.

밀리미터파 대역 제2고조파 출력 발진기의 주입동기 특성 (Injection Locked Synchronization Characteristics of a Millimeter Wave Second Harmonic Oscillator)

  • 최영규
    • 전기학회논문지
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    • 제62권12호
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    • pp.1700-1705
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    • 2013
  • A second harmonic millimeter wave oscillator utilizing sub-harmonic injection-synchronization is presented. A 8.7GHz oscillator with MES-FET is designed, and is driven as a harmonic output oscillator at 17.4GHz by means of sub-harmonic injection-synchronization. The oscillator operates as a multiplier as well as a oscillator in this scheme. Adopting this method, a high sable, high frequency millimeter wave source is obtainable even though self-oscillating frequency of an oscillator is relatively low. The range of injection-synchronization is about 26MHz, and is proportional to the input sub-harmonic power. The spectrum analysis of the 2nd harmonic output frequency shows remarkably decreased the phase noise level.

Cascode 구조에 Shunt Peaking 기술을 접목시킨 밀리미터파 광대역 Amplifier (Millimeter-wave Broadband Amplifier integrating Shunt Peaking Technology with Cascode Configuration)

  • 권혁자;안단;이문교;이상진;문성운;백태종;박현창;이진구
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제43권10호
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    • pp.90-97
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    • 2006
  • 본 논문에서는 cascode 구조에 shunt peaking 기술을 접목시킨 밀리미터파 광대역 amplifier를 설계 및 제작하였다. 밀리미터파 광대역 cascode amplifier의 설계 및 제작을 위해서 $0.1{\mu}m\;{\Gamma}-gate$ GaAs PHEMT와 CPW 및 passive library를 개발하였다. 제작된 PHEMT는 최대 전달 컨덕턴스는 346.3 mS/mm, 전류이득 차단 주파수 ($f_T$)는 113 GHz, 그리고 최대공진 주파수($f_{max}$)는 180 GHz의 특성을 갖고 있다. 설계된 cascode amplifier는 회로의 발진을 막기 위해서 저항과 캐패시터를 common-rate 소자의 드레인에 병렬로 연결하였다. 대역폭의 확장 및 gain의 평탄화를 위해 바이어스 단들에 short stub 및 common-source 소자와 common-gate 소자 사이에 보상 전송선로를 삽입하고 최적화하였으며, 입출력 단은 광대역 특성을 갖는 정합회로로 설계하였다. 제작된 cascode amplifier의 측정결과, cascode 구조에 shunt peaking 기술을 접목시킴으로써 대역폭을 확장 및 gain을 평탄화 시킬 수 있다는 것을 확인하였다. 3 dB 대역폭은 34.5 GHz ($19{\sim}53.5GHz$)로 광대역 특성을 얻었으며, 3 dB대역 내에서 평균 6.5 dB의 $S_{21}$ 이득 특성을 나타내었다.

Design and Fabrication of the 0.1${\mu}{\textrm}{m}$ Г-Shaped Gate PHEMT`s for Millimeter-Waves

  • Lee, Seong-Dae;Kim, Sung-Chan;Lee, Bok-Hyoung;Sul, Woo-Suk;Lim, Byeong-Ok;Dan-An;Yoon, yong-soon;kim, Sam-Dong;Shin, Dong-Hoon;Rhee, Jin-koo
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제1권1호
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    • pp.73-77
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    • 2001
  • We studied the fabrication of GaAs-based pseudomorphic high electron mobility transistors(PHEMT`s) for the purpose of millimeter- wave applications. To fabricate the high performance GaAs-based PHEMT`s, we performed the simulation to analyze the designed epitaxial-structures. Each unit processes, such as 0.1 m$\mu$$\Gamma$-gate lithography, silicon nitride passivation and air-bridge process were developed to achieve high performance device characteristics. The DC characteristics of the PHEMT`s were measured at a 70 $\mu$m unit gate width of 2 gate fingers, and showed a good pinch-off property ($V_p$= -1.75 V) and a drain-source saturation current density ($I_{dss}$) of 450 mA/mm. Maximum extrinsic transconductance $(g_m)$ was 363.6 mS/mm at $V_{gs}$ = -0.7 V, $V_{ds}$ = 1.5 V, and $I_{ds}$ =0.5 $I_{dss}$. The RF measurements were performed in the frequency range of 1.0~50 GHz. For this measurement, the drain and gate voltage were 1.5 V and -0.7 V, respectively. At 50 GHz, 9.2 dB of maximum stable gain (MSG) and 3.2 dB of $S_{21}$ gain were obtained, respectively. A current gain cut-off frequency $(f_T)$ of 106 GHz and a maximum frequency of oscillation $(f_{max})$ of 160 GHz were achieved from the fabricated PHEMT\\`s of 0.1 m$\mu$ gate length.h.

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밀리미터파 수동 이미징 시스템 연구 (Studies on the millimeter-wave Passive Imaging System)

  • 정민규;채연식;김순구;미즈노코지;이진구
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제43권5호
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    • pp.182-188
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    • 2006
  • 본 연구에서는 물체의 복사 에너지를 수신하여 영상화하는 밀리미터파 수동 이미징 시스템을 설계하였다. 수동 이미징 시스템은 수신하는 열 잡음 신호가 매우 미약하기 때문에 렌즈와 수신기 전단이 매우 중요하다. 수신된 신호를 집중시키기 위한 렌즈는 광학전달함수를 적용하여 설계하였다. 수동 이미징 시스템에서는 열 잡음을 고감도 및 광대역으로 수신할 필요가 있기에, 이미징에 필요한 증폭기의 목표성능을 최대이득40dB, 최대잡음지수 5dB로 하였으며, 대역폭을 10GHz로 하였다. 증폭된 밀리미터파를 직류 출력하는 검파회로 설계에는 SBD MSS-20 141B10D 다이오드를 사용했다.

서브하모닉 주입동기에 의한 밀리미터파 대역 고조파 발진기의 고성능화 (High-Performance Millimeter Wave Harmonic Output Oscillator using Sub-Harmonic Wave Injection-Synchronization)

  • 최영규;남병근
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제12권1호
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    • pp.17-24
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    • 2008
  • 서브하모닉파 주입동기에 의한 밀리미터파 대역 고주파원의 고성능화에 대하여 다루었다. MES-FET로 8.7GHz의 발진기를 구성하고 서브하모닉파의 주입동기 방식으로 구동하여 17.4GHz의 고조파를 발생시켰다. 이러한 시스템에서 발진기는 발진과 동시에 체배기의 기능을 수행하여 안정된 고조파 발생시킬 수 있다. 이 기술을 채택하면 자려발진주파수가 비교적 낮은 발진기로도 고안정, 고출력 고주파를 발생시키는 고조파출력 발진기를 실현할 수 있다. 실험의 결과, 주입 동기의 범위 26MHz 내에서 고출력 고조파가 관측되었으며, 서브하모닉파 주입전력에 비례하였다. 스펙트럼 분석기로 고조파 출력의 파형을 관측한 결과, 제2고조파 출력의 위상 안정성이 현저히 향상되었음이 확인되었다.

Millimeter-Wave High-Linear CMOS Low-Noise Amplifier Using Multiple-Gate Transistors

  • Kim, Ji-Hoon;Choi, Woo-Yeol;Quraishi, Abdus Samad;Kwon, Young-Woo
    • ETRI Journal
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    • 제33권3호
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    • pp.462-465
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    • 2011
  • A millimeter-wave (mm-wave) high-linear low-noise amplifier (LNA) is presented using a 0.18 ${\mu}m$ standard CMOS process. To improve the linearity of mm-wave LNAs, we adopted the multiple-gate transistor (MGTR) topology used in the low frequency range. By using an MGTR having a different gate-source bias at the last stage of LNAs, third-order input intercept point (IIP3) and 1-dB gain compression point ($P_{1dB}$) increase by 4.85 dBm and 4 dBm, respectively, without noise figure (NF) degradation. At 33 GHz, the proposed LNAs represent 9.5 dB gain, 7.13 dB NF, and 6.25 dBm IIP3.

밀리미터파 라디오미터를 이용한 인체의 내부 밝기온도 측정에 관한 연구 (Study on the Brightness Temperature Measurement in the Human Body Using Millimeter-wave Radiometer)

  • 정민규;김태훈;나승욱
    • 전자공학회논문지
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    • 제53권5호
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    • pp.163-167
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    • 2016
  • 본 논문은 밀리미터파 라디오미터를 이용한 의료응용의 한 분야인 인체 내부의 밝기온도 측정에 관한 연구이다. 밀리미터파 대역 중에서 Ka - band의 주파수 영역에서 동작하는 렌즈, 직접 검출 수신기, 캘리브레이션 소스 등을 설계 제작하여 라디오미터 시스템을 구성하였다. 밀리미터파 렌즈 초점에 수신안테나를 스캔하는 방식을 통하여 미약한 신호를 수신하였으며, 렌즈 수차를 감소시키기 위해 광선 추적 방법을 사용하여 비구면 렌즈를 설계 하였다. 직접 검출 수신기는 Dicke 타입 수신기 형태로 설계되었으며, 제작된 수신기의 잡음지수는 3.3 dB, 온도감도는 0.1 K으로 측정되었다. 라디오미터의 수신기 교정은 밀리미터파 대역에서 사용가능한 새로운 형태의 블랙바디(Black body)를 제작하여 물체의 등가 잡음온도와 출력전압의 관계를 도출하였다. 제작된 시스템을 이용하여 1.7 m 거리에서 인체의 상반신을 측정하여 약 $38^{\circ}$[C]의 밝기온도를 측정하였다. 적외선 영상과 라디오미터 영상의 비교를 통해 상반신의 밝기온도 영상을 통하여 밀리미터파 라디오미터의 의료응용 가능성을 제시하였다.

Studies of MIMIC Power amplifier for millimeter-waves

  • Rhee, Eung-Ho;Yoon, Jin-seub;Cho, Seung-ki;Yoon, Jin-seub
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2000년도 ITC-CSCC -2
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    • pp.1009-1012
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    • 2000
  • In this paper, we have designed and fabricated power PHEMT’s with an unit gate width of 80$\mu\textrm{m}$ and 4 fingers, and MIMIC power amplifiers using the PHEMT’s as well. The PHEMT’s have a 0.2$\mu\textrm{m}$ gate length and source to drain spacing of 3$\mu\textrm{m}$. The characteristics of the fabricated PHEMT’s are 4.08dB of S$\sub$21/ gain at the 35GHz and 317mS/mm of gm, and 62GHz of f$\sub$T/ and 120GHz of f$\sub$max/. The designed and fabricated MIMIC’s power amplifiers with 6 PHEMT’s and MIN capacitors were fully passivated by 1000 Α of Si$_3$N$_4$ film for higher performance and surface protects. The chips were processed using the MINT processes, and size was 3.25 ${\times}$ 1.8$\textrm{mm}^2$. The fabricated MIMIC power amplifiers have RF characteristics such as 11.25dB of S$\sub$21/ gain, 11.37dB of input return-loss and 12.69dB of output return-loss at the 34.55GHz.

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The Biologic Effect of Millimeter Wave Irradiation Followed to Photodynamic Therapy on the Tumor

  • Ahn, Jin-Chul;Lee, Chang-Sook;Chang, So-Young;Yoon, Sung-Chul
    • 대한의생명과학회지
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    • 제17권1호
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    • pp.79-84
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    • 2011
  • Photodynamic therapy consists of a photosensitizer, suitable light source and oxygen. The excitation of the photosensitizer at a cancer mass results in oxidation which would ultimately reduce the mass via apoptosis. Millimeter wave (MMW) therapy has also been known to be effective on cancer cell mass reduction, human cell regeneration and immunity enhancement among the Russian clinicians and scientists. In the present study, the two modalities were combined to achieve synergistic effects while reducing the administration dosage of the photosensitizer, photogem, thus minimizing the side effects. The CT-26 adenocarcinoma cell mass was implanted on mice and the tumors were exposed to a simple MMW irradiation or a combined treatment of MMW and PDT. The treatments continued for 4 weeks and the size of the tumor was measured continuously. The significant therapeutic result of MMW was not found during 4 weeks, preferably more cancer recurrence possibility after MMW irradiation was observed. The results of this study suggest that the combination of MMW irradiation and photodynamic treatment should not be recommended. The result of the MMW treatment alone, however, displayed suppressive effect on cancer cell proliferation for both in vitro and in vivo. The results of the present study suggest that the millimeter wave therapy deserves a further study.