An organic junction transistor with a vertical structure based on an active layer of poly(3-hexylthiophene) was fabricated by facile micro-contact printing combined with the Langmuir-Schaefer technique, without conventional e-beam or photo-lithography. Direct printing and subsequent annealing of Au-nanoparticles provided control over the thickness of the Au electrode and hence control of the electrical contact between the Au electrode and the active layer, ohmic or Schottky. The junction showed similar current-voltage characteristics to an NPN-type transistor. Current through the emitter was simply controllable by the base voltage and a high transconductance of ~0.2 mS was obtained. This novel fabrication method can be applied to amplifying or fast switching organic devices.
We give a textured front on silicon wafer for high-efficiency solar cells by using micro contact printing method which uses PDMS (polydimethylsiloxane) silicon rubber as a stamp and SAM (self assembled monolayer)s as an ink. A random pyramidal texturing have been widely used for a front-surface texturing in low cost manufacturing line although the cell with random pyramids on front surface shows relatively low efficiency than the cell with inverted pyramids patterned by normal optical lithography. In the past two decades, the micro contact printing has been intensively studied in nano technology field for high resolution patterns on silicon wafer. However, this promising printing technique has surprisingly never applied so far to silicon based solar cell industry despite their simplicity of process and attractive aspects in terms of cost competitiveness. We employ a MHA (16-mercaptohexadecanoic acid) as an ink for Au deposited $SiO_2/Si$ substrate. The $SiO_2$ pattern which is same as the pattern printed by SAM ink on Au surface and later acts as a hard resist for anisotropic silicon etching was made by HF solution, and then inverted pyramidal pattern is formed after anisotropic wet etching. We compare three textured surface with different morphology (random texture, random pyramids and inverted pyramids) and then different geometry of inverted pyramid arrays in terms of reflectivity.
Inkjet printing is a non-contact and direct writing associated with a computer. In the industrial field, there have been many efforts to utilize the inkjet printing as a new way of manufacturing, especially for electronic devices. For the application of inkjet printing to electronic field, one of the key factors is exact realization of designed images into printed patterns. In this work, micro patterning for conducting line has been studied using the piezoelectric print head and silver nano ink. Dimensions of printed images have been predicted in terms of print resolution and diameter of a single dot. The predicted and the measured values showed consistent results. Using the results, the design capability for industrial inkjet printing could be achieved.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1118-1121
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2009
We have fabricated inverted staggered pentacene Thin Film Transistor (TFT) with 1-${\mu}m$ channel length by micro contact printing (${\mu}$-CP) method. Patterning of micro-scale source/drain electrodes without etching was successfully achieved using silver nano particle ink, Polydimethylsiloxane (PDMS) stamp and FC-150 flip chip aligner-bonder. Sheet resistance of the printed Ag nano particle films were effectively reduced by two step annealing at $180^{\circ}C$.
본 논문에서는 금속 전극을 미세접촉인쇄방식으로 Ag ink를 이용하여 제작하는데 있어서 접착속도, 분리속도, 접촉시간의 세 가지의 동역학적 파라미터가 잉크 전이율에 미치는 영향을 분석하여 최적의 공정조건을 도출하였다. 잉킹공정에서는 접촉속도는 1 mm/s 이하, 접촉 후 유지시간은 짧게 하며, 분리속도는 1000 mm/s로 빠르게 해야 잉크의 전이율이 98%이상 높았다. 프린팅 공정에서는 반대로 접촉속도는 100mm/s 이상의 빠르게, 접촉 후 유지시간은 30초 이상, 분리속도는 1mm/s 이하로 느리게 할 때 최고의 인쇄특성을 보였다. 이를 이용해 전체 $5cm{\times}5cm$ 면적에 최소 선폭 $30{\mu}m$, 두께는 300~500nm, 50nm이하의 약 $15{\sim}16{\mu\Omega\cdot}cm$ 비저항을 가지는 전극을 인쇄하였다.
본 논문은 PDMS(polydimethyl siloxane) 스탬프를 이용한 원통형 마이크로 접촉인쇄(roll-type micro-contact printing)에 관한 것으로 대면적 플라스틱 기판에 미세 금속 전극 인쇄를 PDMS 스탬프의 평탄화, 은 나노 잉크의 은 함량, 공정변수인 코팅속도, 잉킹속도, 프린팅속도, 프린팅 압력을 조절하여 가장 우수한 인쇄특성을 나타내는 조건을 도출하였다. 그 결과 면적 $4.5cm\;{\times}\;4.5cm$ 기판에 최소선폭 10 um, 두께 300 nm, 표면거칠기 40 nm 이하, 비저항 $2.08\;{\times}\;10^{-5}{\Omega}{\cdot}cm$의 특성을 갖는 은미세 전극을 인쇄하였다.
Recently, there has been much focus on the controlled alignment and patterning process of nanowires for nanoelectronic devices. A simple and effective method for patterning of highly aligned nanowires using a microcontact printing technique is demonstrated. In this method, nanowires are first directionally aligned by contact printing, following which line and space micropatterns of nanowire arrays are accomplished by microcontact printing with a micro patterned NOA mold.
일반적인 포토리소그래피를 사용하지 않고 마이크로미터 혹은 나노미터 단위의 패턴형성을 위한 연구가 최근 많은 연구그룹에 의해 진행되고 있다. 본 실험에서는 패턴이 형성된 polydimelthylsiloxane (PDMS) 몰드를 octadecyltrichlorosilane (OTS) 용액에 dipping 하여 PDMS 표변에 OTS 단분자막을 형성하고 micro contact printing (${\mu}-CP$) 방법으로 OTS 단분자 막을 유리기판 표면위로 전사하였다. 전사된 OTS 단분자막은 친수성 유리기판 위에서 소수성 표면특성을 갖게 하며, 친수성은 용액 속에 dipping 하였을 때 소수성 표면 위에는 코팅되지 않도록 한 이 방법을 이용하여 유리기판 위에 Ag 패턴을 형성하였다. 또한, 세척직후 친수성 표면 특성을 보이는 유리기판의 시간에 따른 접촉각 측정을 통해 표면에너지의 변화를 분석하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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