Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
/
v.33A
no.12
/
pp.47-52
/
1996
Cl-based gas chemistry is generally used to etching for al alloy metallization. After the etching of Al alloy with Cl-based gas plasma, residual chlorine on Al alloy reacts with H$_{2}$O due to air exposure and results in Al corrosion. In this study, the corrosion phenomena of Al wer examined with XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) and SEM (scanning electorn microscopy). It was confirmed that chlorine mainly existed at the grian boundary of Al alloy after plasma etching of Al alloy with cl-based gas chemistry and Al corrosion was largely generated at the grain boundary of Al alloy. And residual chlorine was passivated by sulfur and fluorine which were generated by SF$_{6}$ plasma. These effects of passivation reduced the Al corrosion due to air exposure.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2004.11a
/
pp.33-36
/
2004
탄소 도핑$(5{\times}10^{19}\;cm^{-3})$된 p-type GaAsSb 에피층 위에, Ti/Pt/Au, Pd/Au, Pd/Ir/Au를 이용한 다층 오믹 접촉을 제작하였다. MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition)를 이용하여 성장시킨 이 p-GaAsSb의 정공 이동도는 탄소의 도핑 농도가 매우 높음에도 불구하고, $50\;cm^2/Vs$로 측정되었다. 오믹 접촉의 전기적 특성을 측정하기 위하여 TLM(Transfer length method)를 이용하였다. Pd/Ir/Au을 이용한 오믹접촉의 specific contact resistivity는 $10^{-8}\;ohm-cm^2$ 보다 작은 수치를, transfer length는 100 nm보다 작은 수치를 보였으며, Ti/Pt/Au을 이용한 ohmic contact의 specific contact resistivity는 $10^{-7|\;ohm-cm^2$ 보다 작은 수치를, transfer length는 400 nm보다 작은 수치를 나타내었다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2004.07b
/
pp.1019-1022
/
2004
본 연구에서는 PERC(passivated emitter and rear cell) 구조를 갖는 고효율 단결정 실리콘 태양전지에 도금법을 적용하여 Ni/Cu 전극을 형성하였다. 고효율 태양전지는 제작 비용이 높고 공정이 복잡하기 때문에 실용화에 적용이 어려운 단점이 있다. 따라서 태양전지의 효율은 그대로 유지하고, 공정을 간단하게 줄이면서 저가격화 할 수 있는 방법에 대한 연구가 필요하다. 기존의 고효율 실리콘 태양전지에 가장 일반적으로 적용되고 있는 Ti/Pd/Ag 전극의 경우 고가의 증착 장비를 이용할 뿐만 아니라 재료 자체도 매우 고가의 물질이 사용되고 있다. 도금법으로 Ni/cu 전극을 형성하여 태양전지를 제작한 결과 공정을 간소화하고 비용을 절감 하면서, 20% 이상의 고효율 태양전지를 얻을 수 있었다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2000.05b
/
pp.237-241
/
2000
The effects of Si addition on the precipitation processes of in Al-Cu-Si alloy films were studied by the transmission electron microscopy. Deposition of an Al-1.5Cu-1.5Si (wt. %) film at $305^{\circ}C$ resulted in formation of fine, uniformly distributed spherical $\theta$-phase particles due to the precipitation of the $\theta$ and Si phase particles during deposition. For deposition at $435^{\circ}C$, fine $\theta$-phase particles precipitated during wafer cooldown, while coarse Si nodules formed at the sublayer interface during deposition. The film susceptibility to corrosion is discussed in relation to the film microstructure and deposition temperature.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2010.06a
/
pp.383-383
/
2010
TiN is one of the mostly used barrier materials in copper metallization because of low friction coefficient and superior electrical properties. We need to investigate for the etching characteristic of TiN. In this study, we investigated about etching characteristic of TiN using $BCl_3$/Ar inductively coupled plasma system. The etch rate was measured by a depth pro filer. The chemical etching reactions of the TiN surface was investigated X-ray photoelectron spectroscopy.
IEIE Transactions on Smart Processing and Computing
/
v.5
no.2
/
pp.123-128
/
2016
In this paper, an inversely tapered coupler with Bragg reflectors is reported for the first time. With appropriately positioned reflecting structures, our fiber-to-chip coupler can more efficiently transmit the light from fiber to a waveguide in a photonic integrated circuit (PIC). A numerical simulation evaluated the coupler's efficiency with the reflector. Optimized parameters that maximize the efficiency of the coupler are also investigated. Simulation results show that the reflector with appropriate parameters enhances efficiency by up to 7 dB. Likewise, Bragg metal reflectors implemented by the conventional metallization process can also improve efficiency. It is also shown that the proposed reflector enhances the coupling efficiency in a double-tip taper coupler.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
/
v.29A
no.8
/
pp.49-55
/
1992
We Have investigated the properties of the titanium nitrite films widely used in VLSI devices as diffusion barrier in Al-based metallization. TiN films were formed by reactive sputtering from Ti target in Ar-N$_2$ mixtures, varying deposition parameters such as N$_2$ partial pressure, substrate temperature, power, and total pressure. All the samples received the heat treatment at 45$0^{\circ}C$ for 30 min. The resulting films are characterized by mechanical stylus($\alpha$-step), x-ray diffraction(XRD), scanning electron microscopy(SEM), and four point probe method. The Tin film properties strongly depend on the deposition condition. The stoichiometry and Ti deposition rate are critically affected by nitrogen partial pressure, and the resistivity, in particular, is dependent on both the substrate temperature and sputtering power.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
/
v.31A
no.12
/
pp.115-121
/
1994
Aluminum films were chemically vapor deposited for the metallization of the integrated circuits and the spiking characteristics of the direct CVD Al/Si contacts were investigated. When the aluminum was formed by CVD uniform consumption of the substrate silicon was observed, which is quite different from the phenomena observed in sprttered Al. Silicon consumption occured during the deposition of CVD Al and the erosion depth of the silicon was several hundred $\AA$ when the continuous films were formed on the substrate while much less erosion of the silicon occured when the Al were formed in islands. When the submicron contacts were selectively plugged, contact resistances were very low and the erosion depth of the silicon was trivial.
One of perspective direction of microfabrication is direct laser writing technology that allows to create metal, semiconductive and dielectric micropatterns on substrate surface. In this work, a two step method, the combination of seed forming process, in which metallic Al seed was selectively generated on AlN ceramic substrate by direct writing technique using a pulsed Nd : YAG laser and subsequent electroless Ni plating on the activated Al seed, was presented. The effects of laser parameters such as pulse energy, scanning speed and pulse frequency on shape of Alseed and conductor line after electroless Ni plating were investigated. The nature of the laser activated surface is analyzed from XPS data. The line width of this metallic Al and Ni is analyzed using SEM. As a results, Al seed line with 24㎛ width and 100㎛ isolated line space is obtained. Finally, laser direct writing can be applied in the field between thin and thick film technique in electronic industry.
The laser induced forward transfer(LIFT) technique employs a pulsed laser to transfer parts of a thin metal film from an optically transparent target onto an arbitrary substrate in close proximity to the metal film on the target. In this work, a two-step method, the combination of LIFT process, in which a Au film deposited on the $Al_2$O$_3$ substrate by Nd:YAG laser and subsequent Au electroless metal plating on the by LIFT process generated Au seed, was presented. The influence of laser parameters, wavelength, laser power, film thickness and overlap ratio of pulse tracks, on the shapes of deposit and conductor line after electroless plating is experimentally studied. As a results, the threshold power densities for ablation, deposition and metallization were determined and comparison of threshold value between the wave length 1064nm and the second harmonic generated 532nm. In odor to determine a possible application in the electronic industry, a smallest conduct spot size, line width and isolated line space were generated.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.