탄화온도 차이에 따른 목질 탄화물의 중금속 흡착성 변화를 알아보기 위하여, 신갈나무(Quercus mongolica) 목부와 낙엽송(Larix kaempferi) 수피분말을 $400{\sim}900^{\circ}C$에서 탄화하였다. 목질 탄화물의 pH는 재료의 종류와 관계없이 탄화온도의 증가와 함께 증가하여 $900^{\circ}C$의 목탄 및 수피탄은 각각 10.8, 10.4를 나다내었다. 또한 탄화 온도 증가와 함께 탄소함량비가 증가하고 동일 탄화온도에서 목탄에 비해 수피탄의 탄소함량비가 큰 경향을 보였다. 액상흡착력을 나타내는 요오드흡착력은 목탄이 수피탄보다 다소 큰 경향을 나타내었다. 이러한 특성을 지닌 목탄과 수피탄에 의한 15ppm의 Cd, Zn 및 Cu 중금속용액에 대한 흡착제거율을 조사한 바, 높은 탄화온도에서 제조된 목탄과 수피탄일수록 높은 중금속제거율을 나타내었으며, 탄화물 종류에 있어서는 목탄이 수피탄 보다 높은 중금속 제거율을 나타내는 경향이 있었다. 특히 목탄의 경우, $500^{\circ}C$ 이상에서 제조된 탄화물 0.2 g의 사용으로 거의 100%에 가까운 제거율을 나타내었다. 한편 흡착질 종류에 있어서의 제거성능에는 다소 차이가 있으며, 본 연구에서 사용한 탄화물의 흡착성은 Cu>Cd>Zn 순으로 높았다. 이는 목탄과 같은 흡착제와 흡착의 대상이 되는 흡착질과의 물리 화학적 상호관계가 흡착에 영향을 주기 때문으로 목탄의 흡착효율을 높이기 위해서는 이에 대한 연구가 더 필요할 것으로 생각된다.
묽은 염산용액에서 이온성액체에 의한 코발트(II)와 니켈(II)의 분리를 조사하기 위해 이온성액체의 종류와 농도 및 수상의 초기 pH를 변화시켜 추출실험을 수행했다. 본 논문에서는 유기인산(D2EHPA, PC88A, Cyanex 272, Cyanex 301)을 Aliquat 336과 반응시켜 제조한 이온성액체와 Aliquat 336의 염소이온을 SCN과 치환한 이온성액체를 사용했다. 세 종류의 이온성액체(ALi-D2, ALi-PC, ALi-CY272)에 코발트(II)가 니켈(II)보다 추출이 잘 되었으며 평형 pH가 초기 pH보다 높았다. ALi-CY301의 경우 코발트(II)와 니켈(II)의 선택도는 추출조건에 의존했다. 또한 상기 이온성액체에 TBP의 첨가가 두 금속의 추출에 미치는 영향도 조사했다. 추출제로 ALi-SCN를 사용하는 조건에서 코발트(II)가 선택적으로 추출되어 두 금속을 완전히 분리하는 것이 가능했다.
4'-Aminobenzo-15-crown-5를 수식한 새로운 $K^{+}-ISFET$를 제조하고 그 감응특성을 조사하였다. $K^{+}-ISFET$의 pH에 대한 감응기울기는 30.0 mV/decade였으며, 감응시간은 3분 이상이었다. 또 $K^{+}-ISFET$의 $K^{+}$에 대한 감응기울기와 감응시간은 각각 $19.5{\pm}0.2{\;}mV/decade$와 약 3분이었다. $K^{+}$에 대한 이 센서의 직선감응범위는 $2.0{\times}10^{-4}{\sim}1.0{\times}10^{-2}M$이었다. 알칼리금속과 알칼리토금속 이온들에 대한 $K^{+}-ISFET$의 선택계수도 구하였다. 나트륨, 암모늄 및 칼슘이온 등이 비교적 크게 방해하였다. 이 센서의 장기안정도는 매우 개선되었으며, 약 50일 이상동안 사용할 수 있었다.
Undoped $SnO_x$ thin films were deposited on Si(100) substrate by using reactive ioassisted deposition technique (R-IAD). In order to investigate the effect of initial oxygen content and heat treatment on the oxidation state and crystalline structure of tin oxide films, $SnO_x$ thin films were post-annealed at 400~$600^{\circ}C$ for 1 hr. in a vacuum ~$5 \times 10^{-3}$ -3/ Torr or were directly deposited on the substrate of $400^{\circ}C$ and the relative arrival ration ($Gamma$) of oxygen ion to Sn metal varied from 0.025 to 0.1, i.e., average impinging energy ($E_a$) form 25 to 100 eV/atom. As $E_a$ increased, the composition ratio of $N_ON{sn}$ changed from 1.25 to 1.93 in post-annealing, treatment and 1.21 to 1.87 in in-situ substrate heating. In case of post-annealing, the oxidation from SnO to $SnO_2$ was closely related to initial oxygen contents and post-annealing temperature, and the perfect oxidation of $SnO_2$ in the film was obtained at higher than $E_a$=75 eV/atom and $600^{\circ}C$. The temperature for perfect oxidation of $SnO_2$ was reduced as low as $400^{\circ}C$ through in-situ substrate heating. The variation of the chemical state of $SnO_x$ thin films with changing $E_a$'s and heating method were also observed by Auger electron spectroscopy.
본실험에서 얻어진 결과를 요약하면 다음과 같다. 1) Inulin을 분해하는 효소를 생산하는 Aspergillus속 1주를 선별하였다. 2) 선별된 묘주효소의 E.P차에 의한 침전은 pH8~5에서 효소단백질이 다량 회수되었다. 3) 선별된 묘주가 분비하는 Inulase활성최적 pH는 3.0부근이 었다. 4) 선별된 묘주의 Inulin 분해효소의 활성최적 온도는 $55^{\circ}C$였다. 5) 본 Sample효소의 열에 대한 안정성은 $50^{\circ}C$에서 10분간 열처리 하여도 안정하였다. 6) 본 Sample효소의 안정 pH는 2.5~4.5정도였다. 7) 본 Sample효소의 금속 ion에 대한 영향은 $Mg^{++}$는 Activator였으며 $Sb^{+++}$, $Bi^{+++}$.는 저농도에서는 inhibitor였으나 $10^{-4}$ M~$10^{-4}$ M 농도일때는 촉진시켰으며 더욱 금속 ion농도가 높아짐에 따라 inhibition하였으며 $Ag^{++}$, $Hg^{++}$의 경우에는 저농도($10^{-8}$ M)일 때는 Activation하였고 반면, 농도가 높아짐에 따라 저해효과가 더욱 컸으며 특히 $Hg^{++}$의 경우 $10^{-2}$ M 농도에서 약 80% 저해를 나타내었다.내었다.
Kim, Su-Nam;Min, Kwan-Ki;Kim, Seung-Hwan;Choi, In-Hwa;Lee, Suhk-Hyung;Pyo, Suhk-Noung;Rhee, Dong-Kwon
Journal of Microbiology
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제34권2호
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pp.179-183
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1996
Streptoccus Pneumoniae (pneumococcus), the most common cause of bacterial pneumonia, has an ample polysaccharide (PS) capsule that is highly antigenic and is the source of PS vaccine. This investigation was undertaken to optimize the culture conditions for the production of capsulard PS by type 1 pneumococcus. Among several culture media, brain heart infusion (BHI) and Casitone based media were found to support luxuriant growth of pneumococcus type 1 at the same level. Because BHI medium is rather expensive and more complex than the Casitone based media, the Casitone based media was uwed to study optimization of the culture condition. The phase of growth which accomodated maximum PS production was logarithmic phase. Concentrations of glucose greater than 0.2% did not ehnahce growth or PS production. Substitution of netrogen sources with other resources or supplementation of various concentrations of metal ion (with the exception of calcium ion) had adverse affects on growth and PS production. On the other hand, low level aeration was beneficial for increased PS production. Addition of 3 mg/1 concentration of methionine, phenylalanine, and threonine were found to enhance growth and PS production. The synerigistic effect of all the favorable conditions observed in pneumococcal growth assays provided a two-fold cummulative increase in capsular PS production.
Cerium dioxide (CeO$_2$) was used as the intermediate layer between the ferroelectric thin film and Si substrate in a metal-ferroelectric-semiconductor field effect transistor (MFSFET), to improve the interface property by preventing the interdiffusion of the ferroelectric material and the Si substrate. In this study, CeO$_2$ thin films were etched with a CF$_4$/Ar gas combination in inductively coupled plasma (ICP). The maximum etch rate of CeO$_2$ thin films was 270$\AA$/min under CF$_4$/(CF$_4$+Ar) of 0.2, 600 W/-200V, 15 mTorr, and $25^{\circ}C$. The selectivities of CeO$_2$ to PR and SBT were 0.21, 0.25, respectively. The surface reaction in the etching of CeO$_2$ thin films was investigated with x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). There is a chemical reaction between Ce and F. Compounds such as Ce-F$_{x}$ remains on the surface of CeO$_2$ thin films. Those products can be removed by Ar ion bombardment. The results of secondary ion mass spectrometry (SIMS) were consistent with those of XPS. Scanning electron microscopy (SEM) was used to examine etched profiles of CeO$_2$ thin films. The etch profile of over-etched CeO$_2$ films with the 0.5${\mu}{\textrm}{m}$ line was approximately 65$^{\circ}$.>.
In these days, increase requirement of TEM (Transmission Electro Microscope) in not only scientific field but also industrial field. Because TEM can measure inner-structure of specimen a variety of materials like metal, bio. etc. When use TEM, specimen should be thin about 50nm. So making for thin specimen, use Ion milling device that include specimen holder. The holder generally made of Aluminium Aluminium holder is worn away easily. For this reason, using time of ion milling with aluminum holder is too short. To solve the problem, we replace aluminium holer to molybdenum alloy holder. In this paper, we design molybdenum alloy holer for CAM and modify CAD modeling for effective machining process. So we array a specimen 3 by 4 and setup orientation for one-shot machining process. Next we make a CAM program for machining. we making a decision two machining strategy that chose condition of tool-path method, step-down, step-over. etc. And then conduct machining using CNC milling machining center. To make clear difference between case.1 and case.2, we fixed machining conditions like feed-rate, main spindle rpm, etc. After machining, we confirm the condition of workpiece and analysis the problems case by case. Finally, case.2 work piece that superior than case.1 cutting with WEDM because that method can not ant mechanical effect on workpiece.
Layered $LiNi_{0.83}Co_{0.11}Mn_{0.06}O_2$ cathode materials single- and dual-doped by the rare-earth elements Ce and Nd are successfully fabricated by using a coprecipitation-assisted solid-phase method. For comparison purposes, non-doping pristine $LiNi_{0.83}Co_{0.11}Mn_{0.06}O_2$ cathode material is also prepared using the same method. The crystal structure, morphology, and electrochemical performances are characterized using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive spectrometer (EDS) mapping, and electrochemical techniques. The XRD data demonstrates that all prepared samples maintain a typical ${\alpha}-NaFeO_2$-layered structure with the R-3m space group, and that the doped samples with Ce and/or Nd have lower cation mixing than that of pristine samples without doping. The results of SEM and EDS show that doped elements are uniformly distributed in all samples. The electrochemical performances of all doped samples are better than those of pristine samples without doping. In addition, the Ce/Nd dual-doped cathode material shows the best cycling performance and the least capacity loss. At a 10 C-rate, the electrodes of Ce/Nd dual-doped cathode material exhibit good capacity retention of 72.7, 58.5, and 45.2% after 100, 200, and 300 cycles, respectively, compared to those of pristine samples without doping (24.4, 11.1, and 8.0%).
분자량이 각각 300(PEGMA300) 및 1100(PEGMA1100) g $mol^{-1}$인 PEGMA와 합성된 $BF_3LiMA$ 리튬염을 이용하여 다양한 조성의 고분자전해질을 제조하고 전기화학적 특성을 평가하였다. 흥미롭게도 AC-impedance 측정법에 의한 상온 이온전도도는 분자량 $300g\;mol^{-1}$로 합성된 액체 고분자전해질에서 $8.54{\times}10^{-7}S\;cm^{-1}$의 값이 얻어진 반면, PEGMA1100으로 합성된 고체상태의 고분자전해질에서 최대 14배 이상 높은 $1.22{\times}10^{-5}S\;cm^{-1}$가 관찰되었다. 이러한 결과는 PEGMA에 ethylene oxide 단위가 5개인 $300g\;mol^{-1}$보다 23개인 $1100g\;mol^{-1}$에서 리튬이온의 배위가 쉽게 일어나기 때문으로 해석된다. 또한 양이온 수율 측정결과 리튬메탈과 $BF_3$간의 반응으로 인해 0.6의 비교적 낮은 값이 나왔지만 초기 3000초 동안에는 0.9 이상의 값이 관찰되어 단일이온 전도체의 특징을 보여주었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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