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Magneto-transport Properties of La0.7Sr0.3Mn1+dO3-Manganese Oxide Composites Prepared by Liquid Phase Sintering

  • Kim, Hyo-Jin;You, Jae-Hyoung;Choi, Soon-Mi;Yoo, Sang-Im
    • Journal of Magnetics
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    • 제19권3호
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    • pp.221-226
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    • 2014
  • Significantly enhanced low-field magnetoresistance (LFMR) and maximum dMR/dH {$(dMR/dH)_{max}$} values were successfully achieved from $La_{0.7}Sr_{0.3}MnO_3$(LSMO)-manganese oxide composite samples prepared by liquid phase sintering, compared with those of the same composites prepared by solid state reaction. For this study, pure LSMO and LSMO-manganese oxide composites with various nominal compositions of (1-x)LSMO-$xMn_2O_3$ (x = 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, and 0.8) were sintered at $1450^{\circ}C$, above the eutectic temperature of $1430^{\circ}C$, for 1 h in air. The highest LFMR value of 1.28% with the highest $(dMR/dH)_{max}$ value of 21.1% $kOe^{-1}$ was obtained from the composite sample with x = 0.3 at 290 K in 500 Oe. This enhancement of LFMR and $(dMR/dH)_{max}$ values is ascribed to efficient suppression of magnetic disorder at the LSMO grain boundary, by forming a characteristic LSMO-manganese eutectic structure.

비정질 Ge1-xMnx 박막의 자기수송특성에 미치는 열처리 효과 (Annealing Effect on Magneto-transport Properties of Amorphous Ge1-xMnx Semiconductor Thin Films)

  • 김동휘;이병철;찬티난안;임영언;김도진;김효진;유상수;백귀종;김창수
    • 한국자기학회지
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    • 제19권4호
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    • pp.121-125
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    • 2009
  • 비정질 $Ge_{1-x}Mn_x$ 박막을 $400^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$까지 온도범위에서 각 3분씩 고진공챔버($10^{-8}$ torr)에서 열처리하였고, as-grown 시료와 열처리한 시료의 전기적 특성과 자기수송특성을 연구하였다. 성분함량은 energy dispersive X-ray spectroscopy(EDS)와 x-ray photoelectron spectroscopy(XPS)로 측정하였으며, 박막의 구조분석은 x-ray diffractometer(XRD)와 transmission electron microscopy(TEM)를 이용하였다. 자성특성은 여러 범위의 자기장에서 Magnetic property measure system(MPMS)를 이용하였다. 박막의 전기적 특성은 standard four-point probe와 Physical property measurement system(PPMS)로 측정하였으며, van der Pauw 방법을 사용하여 Anomalous Hall effect를 측정하였다. X-ray 회절 패턴 분석을 통해 $500^{\circ}C$에서 3분 동안 열처리한 시료는 여전히 비정질 상태인 것을 알 수 있었으며, $600^{\circ}C$의 열처리 온도에서 결정화를 확인할 수 있었다. as-grown $Ge_1$_$_xMn_x$ 박막과 열처리한 $Ge_{1-x}Mn_x$ 박막을 온도에 따른 비저항 값의 변화를 측정하였고, 반도체의 특성을 보이는 것을 확인할 수 있었다. 또한 열처리 온도가 높을수록 비저항도 증가하는 것을 관찰할 수 있었다. $700^{\circ}C$에서 열처리한 $Ge_1$_$_xMn_x$ 박막은 저온에서 negative magnetoresistance(MR)을 확인할 수 있었고, MR ratio는 10 K에서 약 8.5 %를 보였다. 모든 MR 그래프에서 curve의 비대칭을 확인 할 수 있었으며, anomalous Hall Effect는 약하지만 250 K까지 관측이 되었다.