• Title/Summary/Keyword: magnetoimpedance effect

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Magnetoimpedance(MI) Effect due to the Removal of Skin Layer in Amorphous Metal $\textrm{Co}_{66}\textrm{Fe}_{4}\textrm{NiB}_{14}\textrm{Si}_{15}$ (표면층 제거에 대한 비정질 금속 $\textrm{Co}_{66}\textrm{Fe}_{4}\textrm{NiB}_{14}\textrm{Si}_{15}$의 자기임피턴스 효과)

  • Jo, Wan-Sik;Kim, Jong-O;Lee, Hui-Bok
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.7 no.9
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    • pp.728-732
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    • 1997

  • 비정질 금속 $Co_{66}$F $e_{4}$Ni $B_{14}$S $i_{15}$ 의 표면층 제거에 대한 자기임피턴스 효과는 시료의 길이방향에 평행한 일축자기장에 대하여 측정하였다. MIR(Magnetoimpedance Ratios)은 비정질 금속의 두께가 얇아짐에 따라 감소하고, 전류에 비례하여 증가하는 경향을 나타내었다. 인가전류 주파수에 대한 MIR과 자기장의 감도는 모든 시료에서 주파수에 비례하여 증가하며 수 MHz 부근에서 최대값을 가지고 점차 감소하는 경향을 나타내었다. 시료의 표면층제거에 기인한 이방성자기장의 변화는 MI $R_{Max}$을 나타내는 외부 자기장을 감소시키지만, MIR은 표면층 제거에 따른 부피효과에 기인하여 감소하였다....

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Current sensor application of giant magnetoimpedance in amorphous materials (교류자기저항효과를 이용한 비정질 리본 전류센서)

  • Rheem, Y.W.;Kim, C.G.;Kim, C.O.;Kim, G.D.;Park, Y.T.
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2002.04a
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    • pp.11-13
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    • 2002

  • The performance of DC current sensor based on giant magnetoimpedance (GMI) effect in amorphous ribbon has been tested. The ribbon after field annealing shows the maximum GMI ratio of 30 % at 100 kHz measuring frequency. In the sensor element of sample wound the circular form, GMI ratio and sensitivity are decreased due to internal stress. The sensor voltage output increases with applied DC current up to 1 A with a good linearity, of which direction can be known due to asymmetric characteristics.

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Enhanced Giant Magnetoimpedance in Co-based Microwire by Pluse Nd:YAG laser (펄스형 레이저를 비정질 와이어 거대 자기교류저항전류 향상)

  • Lee, B.S.;Kim, C.G.;Kim, C.O.;Rheem, Y.W.;Jin, Lan;Kim, G.D.;Ahn, S.J.;Yoon, S.S.
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2002.04a
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    • pp.76-78
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    • 2002

  • The influence of laser annealing on gaint magnetoimpedance effect of glass-covered Co-based amorphous microwires is investigated by illuminating pulse Nd:YAG laser on the etched microwires. The maxium GMI ratio reaches maximum of around 85 % at the frequency of 5 MHz for the sample iluminated by the pulse with laser energy fo 132 mJ/pulse.

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