Park, Yong-Seong;O, Yong-Rok;Hong, Ji-Sang;Kim, Won-Dong;Hwang, Chan-Yong
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.400-400
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2010
우리는 기본 진공 $10^{-11}\;Torr$의 UHV surface magneto-optical Kerr effect (SMOKE) 시스템을 quarter-wave plate를 사용하였던 기존의 방식에서 PEM (photo elastic modulator)를 사용하는 방식으로 장비의 기능을 향상시켰다. 기존 quarter-wave plate를 사용하는 방식의 경우 Kerr signal을 구하기 위해 편광자와 검광자를 수직으로 두어 광량을 0으로 만들어야 한다. 그러나 금속의 경우 대부분 가시광선 영역에서 큰 반사율 때문에 측정되는 광량이 편광자와 검광자를 거치면서 넓은 각도 범위에서 최소값을 갖기 때문에 정확한 영점을 잡는 데 한계가 있다. 이러한 단점을 해결하기 위하여 우리는 PEM을 이용한 위상변조방식을 사용하였다. 위상변조 방식은 Kerr signal과 관계된 양을 PEM을 이용하여 50 kH ($1{\omega}$)와 100 kH ($2{\omega}$)의 진동 주파수에 공조시키고 이를 Lock-in-amplifier를 사용하여 탐지하기 때문에 좋은 sensitivity를 얻을 수 있을 뿐 아니라 Kerr ellipticity와 Kerr rotation을 동시에 측정할 수 있다. 자화에 필요한 전자석은 순철로 된 코어를 제작하여 챔버에 부착하였고 10 A에서 최대 7 kOe의 고자장을 얻을 수 있어 포화자화가 큰 물질에 대해서도 필요한 자성영역까지 측정이 가능하게 하였다. 또 저온 측정을 위해 SMOKE 샘플 홀더를 개조하여 액체 질소를 이용하여 100 K 근방의 영역에서 온도를 제어할 수 있도록 저온 장치를 구성하였다. 여기에서 샘플 근처에 위차한 e-beam heater가 장착된 고온 부분과 액체 질소 냉각, 온도감지를 위한 센서, cartridge heater가 장착된 저온 부분을 sapphire plate로 분리하여 저온용 cartridge heater의 파손을 최소화하였다. 이러한 SMOKE 시스템을 구성한 후에 우리는 Fe/Cr(001)시스템의 자성특성에 대해 연구하였다. Fe/Cr 시스템은 Fe/Cr/Fe의 exchange coupling이나 bulk Cr의 복잡한 자성 특성 때문에 주목을 받아왔다. 이 연구에서 우리는 저온 및 상온에서 Cr(001) 단결정 위에 증착된 Fe 박막의 자성 특성을 보고한다.
Uchida, H.;Tanizaki, K.;Khanikaev, A.B.;Fedyanin, A.A.;Lim, P.B.;Inoue, M.
Journal of Magnetics
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v.11
no.3
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pp.139-142
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2006
We fabricated new one-dimensional magnetophotonic crystal (1D-MPC) utilizing the second and third photonic band gaps where localized modes existed. Structure of the 1D-MPC was $(Ta_{2}O_{5}/SiO_{2})_{5}/Bi:YIG/(SiO_{2}/Ta_{2}O_{5})_{5}$ with optical thicknesses of 3$\lambda$ /4 for $Ta_{2}O_{5} and $SiO_2$ dielectric layers and $\lambda$ /2 for Bi:YIG defect layer, where $\lambda$ is a wavelength of a localized mode in the second photonic band gap. Faraday rotation at the localized mode in the second photonic band gap was enhanced, which was confirmed by calculation using 4${\times}$4 matrix method.
The TbFeCo thin films were prepared by the magnetron sputtering system to investigate the effect of the base pressure, film thickness and pre sputtering on the oxidation of the films by analyzing the change of matneto optical properties and by AES depth profile. The films prepared by the facing targets sputtering system represented almost constant magneto optical properties independent of the base pressure resulting from the short flight distance of the sputtered particles. Also, the thin TbFeCo films represented better perpendicular anisotropy as the films thickness increased with pre sputtering. However, it was still needed a deposition rate higher than a certain critical deposition rate to obtain a perfect perpendicular anisotropy even at a very high film thickness.
The effects of differential partial pressures of oxygen during sputtering on the magnetic and recording characteristics of magneto-optical disks were investigated. Different flows of oxygen were deliberately introduced into the sputtering chamber to have a variety of partial pressures of oxygen during sputtering. A residual gas analyzer was employed to monitor the oxygen peak before, during, and after sputtering and to estimate the reacted oxygen amount. Most of the oxygen introduced into the chamaber was reacted during sputtering. As the partial pressure of oxygen increased, the oxygen content of the TbFeCoCr film increased also. The oxygen appeared to be bound as Tb-O, effectively decreasing the magnetically active Tb content of the film The coercivity decreased but the squareness of the Kerr hysteresis loops was still excellent. The perpendicular anisotropy was not significantly affected by oxygen amount. The carrier-to-noise ratio, includi!1g the write power sensitivity and bias field sensitivity did not change too much with oxygen content in the film The disks sputtered with oxygen showed better bias field sensitivity with lower write power threshold than the disk sputtered without oxygen, due to high demagnetization during domain formation. No significant degradation of coercivity for the disk sputtered oxygen was observed during an accelerated aging test.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.162-162
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2000
We have studied magnetic properties of Co/Pt multilayered films which have attracted great interest as high-density magneto-optical (MO) recording media due to their good MO properties. For this study, [Pt(45 )/Co(35 )]$\times$8 films were deposited with a Pt buffer layer of 60 on Si(100) substrate by alternating electron-beam evaporation in a high vacuum and were ion beam mixed by using 80keV Ar+ at 25$0^{\circ}C$. Especially, an external magnetic field was added to help changing magnetic property during ion beam mixing (IBM). The intermixing of Co and Pt layers after IBM was confirmed with Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS) and Transmission Electron Microscopy (TEM). The MO property of the film was measured with magneto-optical Kerr spectrometer and the change of magnetic easy axis in the film plane was observed from Ker loop data. This anomalous result might be correlated with the change of atomic structure due to the intermixing effect.
We have investigated an optical waveguide isolator with a multimode interference section by wafer direct bonding, operating at a wavelength $1.55\;{\mu}m$. In order to fabricate the device for monolithic integration, the wafer direct bonding between a magnetic garnet material as a cladding layer and a semiconductor guiding layer has been achieved. We found that wafer direct bonding between InP and GGG $(Gd_3Ga_5O_{12})$ is effective for the integration of a waveguide optical isolator. The isolation ratio was obtained to be 2.9 dB in the device.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.140-140
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1999
Ti/Ni multilayered films (MLF) are ideal for neutron optics particularly in neutron guides and focusing devices. This system also possesses the tendency of amorphization through a solid-state reaction (SSR). This behaviors are closely related to the electronic structures and both magneto-optical (MO) and optical properties of metals depend strongly on their electron energy structures. Mutual inter-diffusion of the Tin and Ni atoms in the MLF caused by a low temperature annealing should decrease the thickness of pure Ni, as well as change the chemical and atomic order in the reactive zone. The application of the MO spectroscopy to the study of SSR in the MLF allows us to obtain an additional information on the changes in the atomic and chemical orders in the interface region. The optical one has no restriction on the magnetic state of the constituent sublayers. Therefore, the changes in magnetic, MO and optical properties of the Ti/Ni MLF due to SSR can be expected. To the best of our knowledge, the MO and optical spectroscopies were not used for this purpose. SSR has been studied in the series of the Ti/Ni MLFs with bilayer periods of 0.65-22.2nm and constant ratio of the Ti to Ni sublayers thickness by using MO and optical spectroscopies as well as an x-ray diffraction. The experimental MO and optical spectra are compared with the computer-simulated spectra, assuming various interface models. The relative changes in the x-ray diffraction spectra and MO properties of the Ti/Ni MLF caused by annealing are bigger for the multilayers with "thick" sublayers, or the SSR with the formation of amorphous alloy takes place mainly in the Ti/Ni multilayers with "thick" sublayers, while in the nominal threshold thickness of the Ni-sublayer for the observation of the equatorial Kerr effect in the as-deposited and annealed Ti/Ni MLFs of about 3.0 and 4.5nm thick is explained by the formation of amorphous alloy during the deposition or the formation of the nonmagnetic alloyed regions between pure components as a result of the SSR. For the case of Ti/Ni MLF the MO approach is more sensitive for the determination of the thickness of the reacted zone, while x-ray diffraction is more useful for structural analyses.structural analyses.
광자기 디스크의 자기 및 기록특성에 SiN 하지층이 미치는 영향에 대해서 연구하였다. PC기관에 4층구조막의 디스크를 DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 성막하였으며 스퍼터링 압력이 증가함에 따라 SiN 박막의 표면이 거칠어 지고 주상형성장이 현저하게 나타났다. SiN 하지층의 비세조직의 변화는 자기기록막의 보자력, 수직이방성 등에는 영향을 미치지 않았지만 지구의 형 성과정은 SiN 하지층의 조직에 따라 민감하게 변화하였다. SiN 하지층이 Porous 할수록 광자기 디스크의 기록이 이루어 지는 임계파우워 값이 작고, 또한 자구의 형성이 이루어 지는 임계외자 계의 크기도 넓은 범위에서 나타났다. 광자기 디스크의 기록특성을 증대시키기 위해서는 자기기 록막의 성능과는 관계없이 치밀하고 표면이 평할한 SiN 하지층을 증착하는 것이 필수적임을 관 찰하였다.
Since the wall mobility of bubble magnetic materials havin g the large q (q=Kac/2$\pi$$M_s^2$) like a $YFeO_3$ has been found to be proportional to the wall energy theoretically crystallographical direction dependence of wall energy calculated by the basis on the spin configuration of the bubble wall which lies in the ac plane was compared with the crystallographical direction dependence of wall mobility which was measured by the experiment. The sample was a single crystal of $YFeO_3$ which was cut into plate normal to the C axis and polished t a thickness of about 60${\mu}{\textrm}{m}$ The measurement of the wall mobility was carried out by optical system using the magneto-optic Faraday effect. From the good agreement of the crystallographical direction dependence of wall mobility and will energy it was found that the spin configuration of the bubble wall suggested is fair.
Lee, Han-Seok;Kim, Seung-Ho;Chang, Young-Wook;Yoo, Kyung-Hwa;Lee, J.
Journal of Magnetics
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v.14
no.1
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pp.15-17
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2009
The magnetostatic interaction between the two magnetic nanowires was studied by using the longitudinal magneto-optical Kerr effect (MOKE). For this purpose two magnetic nanowires having different widths (400 nm, 800 nm) were fabricated on an Si substrate with electron beam lithography and the lift-off method. Magnetic hysteresis loops measured by MOKE showed double switching behavior, corresponding to the separated switching fields of each wire. The switching field of the narrow wire was greatly affected by the separation between the two wires. Based on how the switching field changes with decreasing separation, it is concluded that the magnetostatic field of the 800-nm wire strongly affects the switching of the 400-nm wire when the separation is less than $0.5{\mu}m$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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