Ni/Cu 인공초격자의 계면에 얇은 NiFeCo와 NiFe층을 삽입시 Ni/Cu 인공초격자의 자기 저항 거동에 미치는 영향에 관해 연구하였다. NiFe층이 Ni/Cu 인공초격자의 계면에 삽입된 경우 6%의 자기저항과 50 Oe의 포화자장을 보였으며 이때의 자기저항곡선은 hysteresis를 거의 보이지 않았다. NiFeCo층이 삽입된 경우는 자기저항값은 7%를 보였으나 포화자장과 hysteresis가 많이 증가하였다. 교류자장원을 이용한 동적자기저항을 측정한 결과 bias 자장하에서 자기저항의 증가폭이 NiFe층을 삽입한 경우가 NiFeCo를 삽입한 경우보다 컸으며 이는 hysteresis가 작았기 때문으로 해석된다.
A highly sensitive magnetic sensor using the Giant MagnetoImpedance effect has been developed. The sensor performance is studied and estimated. The sensor circuitry consists of a square wave generator (driving source), a sensing element in a form of composite wire of a 25 $\mu$m copper core electrodeposited with a thin layer of soft magnetic material ($Ni_{80}Fe_{20}$), and two amplifier stages for improving the gain, switching mechanism, scaler circuit, an AC power source driving the permeability of the magnetic coating layer of the sensing element into a dynamic state, and a signal pickup LC circuit formed by a pickup coil and an capacitor. Experimental studies on sensor have been carried out to investigate the key parameters in relation to the sensor sensitivity and resolution. The results showed that for high sensitivity and resolution, the frequency and magnitude of the ac driving current through the sensing element each has an optimum value, the resonance frequency of the signal pickup LC circuit should be equal to or twice as the driving frequency on the sensing element, and the anisotropy of the magnetic coating layer of the sensing wire element should be longitudinal.
Spatially rotating magnetic fields have been observed in the solar wind and in the Earth's magnetopause as well as in reversed field pinch (RFP) devices. Such field configurations have a similarity with extended current layers having a spatially varying plasma pressure instead of the spatially varying guide field. It is thus expected that magnetic reconnection may take place in a rotating magnetic field no less than in an extended current layer. We have investigated the spontaneous evolution of a collisionless plasma system embedding a rotating magnetic field with a two-and-a-half-dimensional electromagnetic particle-in-cell (PIC) simulation. In magnetohydrodynamics, magnetic flux can be decreased by diffusion in O-lines. In kinetic physics, however, an asymmetry of the velocity distribution function can generate new magnetic flux near O- and X-lines, hence a dynamo effect. We have found that a magnetic-flux-reducing diffusion phase and a magnetic-flux-increasing dynamo phase are alternating with a certain period. The temperature of the system also varies with the same period, showing a similarity to sawtooth oscillations in tokamaks. We have shown that a modified theory of sawtooth oscillations can explain the periodic behavior observed in the simulation. A strong guide field distorts the current layer as was observed in laboratory experiments. This distortion is smoothed out as magnetic islands fade away by the O-line diffusion, but is soon strengthened by the growth of magnetic islands. These processes are all repeating with a fixed period. Our results suggest that a rotating magnetic field configuration continuously undergoes deformation and relaxation in a short time-scale although it might look rather steady in a long-term view.
A spin valve structure of NiO(40 nm)/Co(2 nm)/Cu(2.6 nm)/Co(x nm)/Ta(5 nm) has been investigated for the application of magnetic random access memory (MRAM). The spin valve structure exhibited very large difference in the coercivities between pinned and free layers, a relatively high GMR ratio, and a low free layer coercivity. The spin valves were prepared by sputtering and were characterized by dc 4-point probe, and VSM. The spin valves with combined free layer exhibited a maximun GMR ratio of 10.4% with a free layer coercivity of about 82 Oe. The spin valves with a single 10 nm thick a-CoNbZr free layer exhibited a GMR ratio of about 4.3% with a free layer coercivity of about 12 Oe. The GMR ratio of the spin valves increased by addition of Co between Cu and a-CoNbZr. It has been confirmed that the coercivity of free layer can be decreased by increasing the thickness of a-CoNbZr. It has been confirmed that the coercivity of free layer can be decreased by increasing the thickness of a-CoNbZr layer without losing the GMR ratio substantially, which was mainly due to high resistivity of the amorphous "layers".
A similarity solution of the Navier-Stokes equation for the axisymmetric stagnation flow near a plane wall coated with a magnetic fluid of uniform thickness is constructed. The shape functions representing the flow in two (magnetic and normal) fluid layer are determined from a third order boundary value problem, which is solved by the Runge-Kutta method with two shooting parameters. Features of the flow including streamline pattern and interface velocity are investigated for the varying values of density ratio, viscosity ratio, and Reynolds number. The results for the interface and wall shear stress, boundary layer and displacement thickness are also presented.
Using the Vienna ab initio simulation package (VASP) incorporating both semiempirical and nonlocal van der Waals interaction, the structural, adsorption, and magnetic properties of Ni/BN/Co systems were investigated. We proposed that the relative spin direction of Ni and Co magnets can be easily tuned, because the total energy difference between ferromagnetic (FM) and antiferromagnetic (AFM) states is small. Despite this feature, very interestingly, both Ni and Co layers manifest half-metallic state, whereas the spacer BN layer becomes weak metal for one monolayer (ML) thickness and an insulating barrier for two ML thicknesses. The half-metallic behavior of the magnetic layers seems very robust, because it is independent of the magnetic coupling between Ni and Co. This finding indicates that the Ni/BN/Co system can be used as a potential candidate for tunneling magnetoresistance system.
We have studied magnetic and transport properties of NbN/FeN/Cu/FeN/FeMn spin-valve structure. In-plane magnetic moment exhibited typical hysteresis loops of spin valves in the normal state of NbN film at 20 K. On the other hand, the magnetic hysteresis loop in the superconducting state exhibited more complex behavior in which exchange bias provided by antiferrmagnetic FeMn layer to adjacent FeN layer was disturbed by superconductivity. Because of this, the ideal superconducting spin-valve effect was not detected. Instead the stray field originated from unsaturated magnetic states dominated the transport properties of NbN/FeN/Cu/FeN/FeMn multilayer.
In this project, buckling response of polymeric plates reinforced with carbon nanotubes (CNTs) and coated by magnetostrictive layer was studied. The equivalent nanocomposite properties are determined using Mori-Tanak model considering agglomeration effects. The structure is simulated with first order shear deformation theory (FSDT). Employing strains-displacements, stress-strain, the energy equations of the structure are obtained. Using Hamilton's principal, the governing equations are derived considering the coupling of mechanical displacements and magnetic field. Using Navier method, the buckling load of the sandwich structure is obtained. The influences of volume percent and agglomeration of CNTs, geometrical parameters and magnetic field on the buckling load are investigated. Results show that with increasing volume percent of CNTs, the buckling load increases. In addition, applying magnetic field, increases the frequency of the sandwich structure.
고밀도 자기기록용 Ba-페라이트/$SiO_{2}$ 자성박막에서 계면확산 장벽으로써 ${\alpha}-Al_{2}O_{3}$ 버퍼층의 역할을 연구하였다. 열처리동안 $1900{\AA}$의 두께를 가진 비정질 Ba-페라이트/$SiO_{2}$ 박막에서 계면확산은 약 $700^{\circ}C$에서 일어나기 시작하였다. 열처리온도를 $800^{\circ}C$까지 증가시켰을 때, 계면확산은 자기특성을 저하시킬 정도로 급격히 진행되었다. 고온에서의 계면확산을 억제하기 위하여, $110{\AA}$ 두께의 ${\alpha}-Al_{2}O_{3}$ 버퍼층을 Ba-페라이트/$SiO_{2}$ 박막의 계면에 증착하여 사용하였다. Ba-페라이트/${\alpha}-Al_{2}O_{3}/SiO_{2}$ 박막에서는 $800^{\circ}C$의 고온까지 열처리하여도 계면확산이 심각하게 일어나지는 않았다. ${\alpha}-Al_{2}O_{3}$ 버퍼층에 의하여 계면확산이 억제되기 때문에 Ba-페라이트 자성박막의 포화자속밀도와 보자력이 향상되었다. 따라서 Ba-페라이트/$SiO_{2}$ 박막의 계면에서 ${\alpha}-Al_{2}O_{3}$ 버퍼층은 $SiO_{2}$ 기판 성분의 계면확산 장벽으로 사용될 수 있다.
Rare earth metal films have been used as a buffer layer for growing ferroelectric t thin film or a seed layer for magnetic multilayer. But when it was deposited on s semiconductor substrates for the application of magneto-optic (MO) storage media, it i is difficult to exactly measure magnetic cons떠nts due to shunting current, and so it n needs to grow metal films on insulator substrate to reduce such effect. Recently, it w was reported that ultra-thin Pt layer were epitaxially grown on A12O:J by ion beam s sputtering in 비떠 high vacuum and it can be used as a seed layer for the growth of C Co-contained magnetic multilayer. In this stu$\phi$, Pt thin film were epi떠xially grown on AI2D3 ($\alpha$)OJ) by RF magnetron s sputtering. The crystalline structure was analyzed by transmission electron microscope ( (TEM) and Rutherford Back Scattering (RBS)/Ion Channeling. In TEM study, Pt was b believed to be twinned on AI잉3($\alpha$)01) su$\pi$ace about Pt(ll1) plane.Moreover, RBS c channeling spectra showed that minimum scattering yield of Pt(111)/AI2O:J(1$\alpha$)OJ) was 4 4% and Pt(11J)/AI2D3($\alpha$)OJ) had 3-fold symmetry.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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